晶体管及其小信号放大1课件

第四章

晶体管及其小信号放大(1)

电子电路基础1§1双极型晶体管（BJT）§1.1基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型发射结集电结2BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高制造工艺上的特点3§1.2BJT的电流分配与放大原理

三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。

（1）工作在放大状态的外部条件：

发射结正偏，集电结反偏。（2）三种组态共发射极接法、共集电极接法、共基极接法51内部载流子的传输过程（以NPN为例

）发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子

6（1）IE=IEN+IEP且有IEN>>IEP

IEN=ICN+IBN且有IEN>>IBN，ICN>>IBN

（2）IC=ICN+ICBO

（3）IB=IEP+IBN－ICBO（4）IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN

=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)（5）IE=IC+IB2电流分配关系式7因≈1,所以

>>1定义:=IC/IB=(ICN+ICBO)/IB(2)共射极直流电流放大系数、－共射极直流电流放大系数－共射极交流电流放大系数在放大区的相当大的范围内9BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管10§1.2晶体管的共射极特性曲线+-bce共射极放大电路VBBVCCUBEICIB+-UCE

IB=f(UBE)UCE=const1.输入特性曲线112、输出特性曲线IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。IC=f(UCE)

IB=const13IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。14IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。15例1：试判断三极管的工作状态17例2：用数字电压表测得放大电路中晶体管的各极电位，试判断晶体管的类型（为NPN型还是PNP型，硅管还是锗管，分别标上B、E、C。18例3：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

当USB

=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？当USB

=-2V时：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0，IC=0IC最大饱和电流：Q位于截止区

19USB

=5V时:例：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

当USB

=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIC>

Icmax(=2mA)，Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB

已不是的关系）211.电流放大倍数和

§1.3晶体管的主要参数2.集-基极反向截止电流ICBOICEO=

IB+ICBO

3.集-射极反向截止电流ICEO4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。225.反向击穿电压

（1）U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压

（2）U(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压（3）U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压几个击穿电压在大小上有如下关系

U(BR)CBO≈U(BR)CES＞U(BR)CEO＞U(BR)EBO23

由PCM、ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。

25§1.4晶体管的温度特性1对UBE的影响温度每升高1ºC，UBE减小2－2.5mv2对ICBO的影响温度每升高10ºC，ICBO增大一倍3对的影响温度每升高1ºC，增大0.5－1％最终使IC随温度升高而增大

26国家标准对半导体晶体管的命名如下:3

D

G

110B

第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、

C硅PNP管、D