电子技术模拟部分第四节半导体三极管课件

半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)

集电结(Jc)

基极，用B或b表示（Base）

发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。

发射区集电区基区三极管符号第四节半导体三极管一、三极管的结构与符号

结构特点：•发射区的掺杂浓度最高；•集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；•基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图二、三极管的电流放大作用1、电流放大的原因

三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来

内部条件：内部结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置2.内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子（以NPN为例）载流子为自由电子三极管的电流分配关系：

IE=IB+IC而且IC》IB，△IC》△IB

IC=IB；IE=(1+)IB；iC=iB；iE=(1+)iB；三极管的交流放大系数：

=△IC/△IB

三极管的直流放大系数：

=IC/IB

三、三极管的特性曲线

极间电压和各极电流之间的关系；包括输入特性和输出特性两组；

BCIBRBEBECRCIcIEE输入回路：EB、RB、B、E；输出回路：EC、RC、C、E；共射电路UCEUBEV1、输入特性IB=f（UBE）|UCE=常数2、输出特性IC=f（UCE）|IB=常数从输出特性曲线上，将三极管划分为三个工作区：

截止区、放大区、饱和区；输入特性曲线（UCE=1V）UBE(v)IB(uA）UCE

10.20.40.60.8截止区（1）截止区

UBE小于死区电压（或发射结反偏）IB=0；IC=ICEO（穿透电流）；（2）放大区

发射结正偏，集电结反偏：IC与UCE几乎无关；

IC大小IB控制；△IC》△IB

定义

=△IC/△IB=IC/IB

）

UBE：硅0.7v;锗0.3v（3）饱和区

UBE>UCE（集电结正偏）：集电极饱和电流ICS<IB；

IC大小不再受IB控制；

ICS=（EC-UCES）/RC；ICS=IBSUBCIBRBEBECRCIcIEEUCEUBEV第五节基本放大电路一、放大器的一般概念电压放大器功率放大器直流电源话筒扬声器晶体管放大器AUUOUi=电压放大器+-RSUSUiUoRL1122AUUOUi=电压放大倍数电压放大器的基本要求：

具有足够高的电压放大倍数，尽可能小的失真。1、例子：2、电压放大器

AU

UiUo电压放大器框图二、放大器的组成放大电路说明：

1、必须保证三极管处于放大状态：发射结正偏，集电结反偏；2、耦合电容：隔直通交，交流耦合；C1+RBEBECRCIEUi+C2UoRL（1）VC1+RBECRCIEUi+C2UoRL（2）VC1+RB+UCCRCIEUi+C2RL（3）放大电路的电位图VUoVi=0四、动态分析（ui≠0)C1+RB+UCCRCIEUi+C2RLVUo1、输入端（1）

uBE

=UBE+ui

；（2）iB=IB+ib=IB+ibmsinwt;2、输出端（1）iC=IC

+ic=IC+icmsinwt（2）uCE=UCE+uce

UCE

=UCC-ICRC

uce

=-icRC=IcmRCsinwt=Ucemsin(wt-180o)（3）uo

=uce=Ucemsin(wt-180o)；ui=Umsint（1）失真原因RB很大，使得静态工作点太低，位于三极管截止区；（2）避免措施设法提高管子的静态工作点，如减小RB。C1+RB+UCCRCIEUi+C2RL（3）放大电路的电位图VUo2、饱和失真（IB太大，接近ICS）ui=UmsintIcs（1）失真原因

RB太小，使得静态工作点过高，(IB太大)，位于或靠近三极管饱和区使得IC=ICES；（2）避免措施

设法降低管子的静态工作点，如增加RB。温度ICIEREUBE

ICIB

电路稳定静态工作点的过程（反馈）RE越大，稳定性越好；但RE不能太大，否则管子饱和。一般选取方法：I