标准解读
《GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范》相对于《GB 6351-1986》,在内容上进行了多方面的更新与调整,以适应技术进步和国际标准的变化。具体来说:
- 在标准编号上,《GB 6351-1986》升级为推荐性国家标准《GB/T 6351-1998》,这表明了该标准性质从强制性转变为推荐性。
- 新版本增加了对整流二极管特别是雪崩整流二极管的技术要求描述,使得对于这类特殊用途的二极管有了更加明确的规定。
- 对于测试条件及方法,《GB/T 6351-1998》提供了更为详细的说明,并引入了一些新的测试项目,旨在提高产品的可靠性和一致性。
- 标准中关于术语定义的部分也得到了扩充和完善,确保了专业术语使用的准确性与统一性。
- 针对产品分类、标志、包装等方面的要求,《GB/T 6351-1998》给出了更具体的指导原则,有助于提升行业内相关产品的标准化水平。
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- 现行
- 正在执行有效
- 1998-11-17 颁布
- 1999-06-01 实施
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GB/T 6351-1998半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范-免费下载试读页文档简介
ICS31.080.10L43中华人民共和国国家标准GB/T6351—1998idtIEC747-2-1:1989QC750108半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范Semiconductordevices--DiscretedevicesPart2:RectifierdiodesSectionne--Blankdetailspecificationforrectifierdiodes(includingavalancherecti-fierdiodes).ambientandcase-rated,upto100A1998-11-17发布1999-06-01实施国家质量技术监督局发布
GB/T6351-1998前本规范等同采用IEC747-2-1:1989《半导体器件、分立器件100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范》。本规范是GB/T6351一1987的修订版。本规范与GB/T6351一1986的主要差别是:在第5章中增加了5.5总耗散功率。原来的5.5热阻改为5.6,删去了C2d分组热阻。除非另有规定,在本规范第8章中引用的条号对应于GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》IEC747-10:1984)的条号,测试方法引自GB/T4023一1997《半导体器件分立器件第2部分:整流二极管》IEC747-2:83);试验方法引自GB/T4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》IEC749:1984)。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。本规范主要起草人:于志贤、刘东才、王保祯。
GB/T6351—1998IEC前言1)IEC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议,是由对这些问题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的,对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。2)这些决议或协议,以推荐标准的形式供国际上使用,并在此意义上为各国家委员会所认可,3)为了促进国际间的统一,IEC希望各国家委员会在本国条件许可的情况下,采用IEC标准的文本作为其国家标准,IEC标准与相应国家标准之间的差异,应尽可能在国家标准中指明。本标准由IEC第47技术委员会(半导体器件)制定。本标准是100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范本标准文本以下列文件为依据:六个月法表决报告47(C095947(C01009表决批准本标准的所有资料均可在上表所列的表决报告中查阅。本标准封面上出现的QC号是IEC电子元器件质量评定体系(IECQ)的规范号本标准中引用的其他IEC标准:IEC68-2-17:1978基木环境试验程序第2部分:试验,试验Q:密封IEC191-2:1966半导体器件的机械标准化第2部分:尺寸(在修订中)IEC747-2:1983半导体器件分立器件第2部分:整流二极管IEC747-10:1984半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范IEC747-11:1985半导体器件第11部分:分立器件分规范IEC749:1984半导体器件机械和气候试验方法
中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇高100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范.1998QC750108Semiconductordevices-Discretedevices代荐GB/T6351—1986Part2:RectifierdiodesSectionOne-Blankdetailspecificationforrectifierdiodes(includingavalancherecti-fierdiodes).ambientandcase-rated.upto100A引本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。本标准是与GB/T4589.1—1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》IEC747-10:1984)和GB/T12560-1990《半导体器件分立器件分规范》IEC747-11:1985)有关的一系列空白详细规范中的·个要求资料下列所要求的各项内容,应列入规定的相应空栏中详细规范的识别:「11授权起草详细规范的国家标准机构的名称[21IECQ详细规范号。【3总规范号和分规范号以及年代号【4详细规范号、发布日期和国家体系要求的更多的资料。器件的识别:L57器件型号,【6典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足若干应用,则应在详细规范中指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足。如果器件对静电敏感或含有害物质,例如氧化皱·则应在详细规范中附加注意事项。【7外形图和(或)引用有关的外形标准。L81质量评定类别。【9能在各器件型号之间比较的最重要
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