中文版意大利薄膜设备有限公司产品介绍

ThinFilmEquipmentsrl

ProductsIntroductionBySunnyYANG

TFEsrl介绍TLCSRL–TFE公司1998–2001最初从事收购，翻新和重新出售二手真空沉积工具-Eclipse和MRCbatch溅射系统今天该公司的产品组合，延伸到各种高技术薄工艺设备产品范围包括batch溅射系统，客户应用程序特定的真空和超高真空系统，和零部件的种洁净室设备公司有专门的销售人员，客户服务人员，和一支现场服务工程师和工艺工程师。TFE公司是总部设在米兰，意大利TFEsrl支持TFE是通过网络化的多个组织提供本地服务支持。办公地点有德国，法国，英国，西班牙，意大利......TFE天津代表处TFE天津代表处2009TFE翻新的MRCEclipsesputter工具在中国的业务代表一群小型的总部欧洲的全新的和翻新的设备供应商进行销售以及技术支持我们专注于为前端客户提供半导体和太阳能电池薄膜加工设备TFE天津代表处的优势多年的设备管理，薄膜的前端工艺设备专家尤其是sputter（PVD）设备和应用为客户提供优质服务支获得声誉。经验丰富的销售和支持团队TFE天津代表处TFE天津代表处2009TFE翻新的MRCEclipsesputter工具在中国的业务代表一群小型的总部欧洲的全新的和翻新的设备供应商进行销售以及技术支持我们专注于为前端客户提供半导体和太阳能电池薄膜加工设备TFE天津代表处的优势多年的设备管理，薄膜的前端工艺设备专家尤其是sputter（PVD）设备和应用为客户提供优质服务支获得声誉。经验丰富的销售和支持团队ThinFilmEquipmentsrl

TFE溅射设备分为:

翻新改造类:-MRC600:

：垂直配置-MRC900::水平配置

-MRCEclipse:单片溅射设备:垂直配置

全新的设备::BHF3F/S;BH4F/SMRCBatch产品客户：Semileds–1xMRC943-Refurbished–2011/5SolarSCI–1xMRC643and1xMRC943–refurbished-2012/3Institute55–1xMRC603–Saw–Refurbished-2011/8Solorein–1xMRC943–Refurbished-2011/11Corenergy:1xMRC603-Refurbished–2014/06Institute55:1xTFE644–YZGuoyu-2013/12Institute55:1xBH4F-Brandnew–WBG-2014/08MRCEclipse产品客户：Dongguang–2xEclipseStar–Refurbished–2011/3ThinFilmEquipmentsrl成功案例：ThinFilmEquipmentsrl垂直配置的设备配置三个阴极+加热和刻蚀功能承载腔配备机械泵负载腔配备冷泵MRC603MRC600:ThinFilmEquipmentsrlThinFilmEquipmentsrlMRC643垂直配置的设备三个阴极+加热和刻蚀功能

负载腔和溅射腔均配置冷泵MRC903:

水平配置的设备配置三个阴极+加热和刻蚀功能负载腔配置机械泵溅射腔配置冷泵MRC943:水平配置的设备配置三个阴极+加热和刻蚀功能负载腔和溅射腔均配置冷泵ThinFilmEquipmentsrlMRC943:ThinFilmEquipmentsrlMRC900:ThinFilmEquipmentsrl900和600系列配置比较表溅射面积配置形式负载腔泵体种类刻蚀功能靶材数量及尺寸60313”x13”垂直配置机械泵YES标配35”x15”90312”x12”水平配置机械泵YES标配35”x15”64313”x13”垂直配置机械泵+冷泵+压缩机+加热YES标配35”x15”94312”x12”水平配置机械泵+冷泵+空压机+加热YES标配35”x15”ThinFilmEquipmentsrl溅射面积与产能溅射面积基片尺寸75mm基片尺寸100mm基片尺寸150mm基片尺寸200mm60313”x13”1694190312”x12”1694164313”x13”1694164312”x12”16941MRCEclipseThinFilmEquipmentsrl三个型号:Star,Mark2,Mark4区别:Star和Mark2适用于4”,5”,6”的基片.Mark4适用于8”基片Star配备5个冷泵.Mark2配备6个冷泵.特点：垂直配置的设备；三个独立的溅射腔；一个独立的承载腔（1.5L）；一个独立的刻蚀腔；边缘限制：2.5mm（标准）1.5mm（可选）

可以连续作业的设备高产能的设备：48WPH(1umAl沉积)基片传送连续作业程序化控制真空隔离的作业腔体可旋转的磁性阴极特别的隔离设计与N2和O2反应的溅射能力具有GaAs和背面工艺处理ThinFilmEquipmentsrlMRCEclipse减少维护

快速夹具交换

迅速更换靶材On-BoardCTI快速再生低温泵ICPSoftEtch*ProcessModuleProcessModuleProcessModuleLoadlockEquipeRobotOpticalPre-AlignerPreprocessCassetteCassetteNest“A”CassetteNest“B”LoadArmVerticalWaferTransportModuleHorizontalWaferHandler*OptionalprocessmoduleinlieuofICPSoftEtchEclipseSputteringSystemSchematicThinFilmEquipmentsrl全新的产品包括：TFEBH3FTFEBH4FTFEBH3STFEBH4SThinFilmEquipmentsrlCOMPANYCONFIDENTIALThinFilmEquipmentsrl溅射面积型式溅射方向靶材数量和尺寸装片方向TFEBH3F13”X13”批式水平3个5”x17”正面TFEBH3S13”X13”批式水平3个5”x17”侧面TFEBH4F13”X13”批式水平3个5”x17”正面TFEBH4S13”X13批式水平3个5”x17”侧面配置比较ThinFilmEquipmentsrl全新的设备：TFEBH3F

特点•水平配置的设备•三个阴极+加热和刻蚀功能•负载腔和溅射腔配置冷泵•托盘尺寸330x330mm•通过PLC&PC全自动的操作，并且可以

通过网络进行遥控

•溅射金属类沉积使用直流磁场；溅射绝

缘材料使用射频磁场靶材类型靶材利用率RFDiode30%平面式标准厚度：6mm20-25%插入式标准厚度：12mm40-60%ThinFilmEquipmentsrl平面式靶材:-适用于RFM/DC磁性溅射-绝缘体和金属的溅射-用于研发和生产型均可嵌入式靶材：

高效的靶材利用率

只能用于金属材料的溅射

只能用于DCM

靶材形状取决于材料的要求靶材利用率

ThinFilmEquipmentsrl材料嵌入式

平面式配置均一性防护罩DCM金属靶材±5%±5%±3-5%RFM绝缘体靶材NA±7.5-10%±5%RFDIODE绝缘体靶材NA±7.5-10%±5%产品的均一性MoveblefingerThinFilmEquipmentsrl均一性防护罩示意图D.C.MAGNETRON(7kW)RFDIODE(1.5kW)RFMAGNETRON(1.5kW)AngstromsAngstromsAngstromsAg18,800Au1,000Al2O3300Al6,000Cr300Cr/SiO600Au15,500Cu700MgO130Be4,400InSn600Si500C1,700Ni400SiO2500Cr7,200NiCr330Cu14,500Fe/Ni300Mo5,800Pt600MoSi25,500Rh450Nb3,600Ta200NiCr7,000Ti180NiV5,000TiW300InSn10,000at1kWTiN1,700reactiveOs5,000Pd13,300Pt10,000Re5,800Rh8,300Ta4,000Th3,900Ti3,700TiW5,000W3,300Zr4,150DCMAGNETRONINSETAl(8.5Kw)5,000SPUTTERINGRATES

FilmThicknessgivenforascanspeedof6’’/minutePlanartargets:2’’anodetocathodedistanceRFDIODE&MAGNETRONCANBEOPERATEDTO3kW