标准解读

《GB/T 5252-1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》是一项国家标准，主要规定了锗单晶材料中位错腐蚀坑密度的测定方法。该标准适用于通过化学腐蚀手段，在特定条件下于锗单晶表面形成与位错相关的蚀刻坑，并据此来计算单位面积上位错的数量。

根据标准内容，首先需要准备一定尺寸和形状的锗单晶样品，然后采用适当的清洗剂去除表面污染物。接下来，将处理好的样品放入预先配制好的腐蚀液中进行腐蚀处理。腐蚀液的选择及其浓度、温度等条件对于正确显示位错至关重要。完成腐蚀后，需使用显微镜观察样品表面形成的蚀刻坑形态特征，并统计单位面积内的蚀刻坑数量。最后，基于所获得的数据，可以计算出锗单晶中的位错密度。

此过程中需要注意的是，实验操作时应严格控制各种参数如时间、温度以及溶液成分等，以确保结果准确可靠。此外，还应对仪器设备定期校准维护，保证测量精度。通过遵循本标准规定的步骤执行测试，能够有效评估锗单晶材料内部缺陷情况，为后续应用提供重要参考依据。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 5252-2006
  • 1985-07-22 颁布
  • 1986-07-01 实施
©正版授权
GB/T 5252-1985锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法_第1页
GB/T 5252-1985锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法_第2页
免费预览已结束，剩余10页可下载查看

下载本文档

GB/T 5252-1985锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法-免费下载试读页

文档简介

UDC669.783621.315.592620.193中华人民共和国国家标准GB5252—85错单晶位错腐蚀坑密度测量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity1985-07-22发布1986-07-01实施：标国家批准

中华人民共和国国家标准UDC669.783：621.315.592错单晶位错腐蚀坑密度：620.193GB5252-85测量方法Germaniummonocrystal-nspectlonordislocationetchpitdenslty本标准适用于位错密度0～100.000cm～的N型和P型铬单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为（111）、（100）和（113）面。1定义1.1位错单晶中,部分原子受应力的作用产生滑移。已滑移部分与未滑移部分的分界线为位错线，简称位错。1.2位错密度单单位体积内位错线的总长度称为位错密度（cm/cm'）。本标准指单位表面上位错腹蚀坑的数目（个/cm）。1.3位错堆某区域的位错密度高于该断面其他区域的平均位错密度五倍以上，且其面积大于视场面积五倍以上，则称此区域为位错堆（图1）。1.4平底坑，这里称平底坑。单晶经化学腐蚀后，除位错腐蚀坑外，还有一些浅坑，它可能是由于空位或晶体的夹杂（如SiO.）等因素所致（图2)。1.5小角度晶界单晶中取向差很小的小晶粒的交界面称为小角度晶界。要求1mm长度内位错腐蚀坑在15个以上，且长度在1.5mm以上。（1I1）面上的位错腐蚀坑呈现一系列以角顶着底边的排列形式（图3）。1.6滑移线（位错排）由于沿着滑移面滑移，在晶体表面形成的线称滑移线或位错排。要求1mm长度内位错腐蚀坑在15个以上，且长度在1.5mm以上。（111）面的滑移线，位错腐蚀坑按（110〉方向排列成行，每一腐蚀坑的底边都在同一条直线上（图4）。1.7星形结构由许多位错腐蚀坑在宏观上排列成三角形或六角形的星形结构（图5）。1.8夹杂晶体中存在异质颗粒。2原理采用择优化学腐蚀法显示位错腐蚀坑，其原理是基于位错周围的晶格发生畸变，在晶体表面的露头处，对某些化学腐蚀剂反应速度较快，结果形成具有某种特定形状的腐蚀坑。于是用单位面积上

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论