GB/T 5252-2020锗单晶位错密度的测试方法

ICS77040

H21.

中华人民共和国国家标准

GB/T5252—2020

代替

GB/T5252—2006

锗单晶位错密度的测试方法

Testmethodfordislocationdensityofmonocrystalgermanium

2020-06-02发布2021-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T5252—2020

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法本标准与

GB/T5252—2006《》。GB/T5252—2006

相比除编辑性修改外主要技术变化如下

,:

修改了标准适用范围见第章年版的第章

———(1,20061);

增加了规范性引用文件见第章

———(2);

修改了术语和定义见第章年版的第章

———(3,20062);

修改了方法原理的内容见第章年版的第章

———(4,20063);

将年版标准试样制备中的试剂材料修改为单独章节见第章年版的第章

———2006“”(5,20064);

修改了试样制备的要求见第章年版的第章

———(7,20064);

增加了直径锗单晶的测试点位置见

———110mm、130mm、150mm(8.3);

增加了位错腐蚀坑计数的注意事项见

———(8.5);

修改了试验数据处理的内容见第章年版的第章

———(9,20067);

以位错密度-2为分界值修改了精密度见第章年版的第章

———1000cm,(10,20069);

修改了试验报告包含的内容见第章年版的第章

———(11,20068)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位有研光电新材料有限责任公司北京国晶辉红外光学科技有限公司国合通用测

:、、

试评价认证股份公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司中国电子科技集团公司第四十六研究所广东

、、、

先导稀材股份有限公司中锗科技有限公司义乌力迈新材料有限公司

、、。

本标准主要起草人张路冯德伸马会超普世坤姚康刘新军郭荣贵向清华韦圣林

:、、、、、、、、、

黄洪伟文

。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T5252—1985、GB/T5252—2006。

Ⅰ

GB/T5252—2020

锗单晶位错密度的测试方法

1范围

本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法

。

本标准适用于和面锗单晶位错密度的测试测试范围为-2-2

{111}、{100}{113},0cm~100000cm。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

锗晶体缺陷图谱

GB/T8756

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

和界定的术语和定义适用于本文件

GB/T8756GB/T14264。

4方法原理

锗单晶中位错周围的晶格会发生畸变当用某些化学腐蚀剂腐蚀晶体表面时在晶体表面上的位错

,,

露头处腐蚀速度较快进而形成具有特定形状的腐蚀坑在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有

,。

特定形状的腐蚀坑单位视场面积内的腐蚀坑个数即为位错密度

,。

5试剂和材料

除非另有说明测试分析中仅使用确认为分析纯及以上的试剂所用水的电阻率不小于

,,12MΩ·cm。

51铁氰化钾质量分数不小于

.[K3Fe(CN)6],99%。

52氢氧化钾质量分数不小于

.(KOH),85%。

53氢氟酸质量分数不小于

.(HF),40%。

54硝酸质量分数为

.(HNO3),65%~68%。

55过氧化氢质量分数不小于

.(H2O2),30%。

56硝酸铜溶液质量分数为用质量分数不小于的配制

.:10%,99%Cu(NO3)2。

57抛光液的混合液体积比为

.:HF、HNO3,1∶(1~3)。

58腐蚀液称取铁氰化钾氢氧化钾置于烧杯中用水溶解混