标准解读

《GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》与《GB/T 5252-1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》相比，在内容上进行了更新和完善，主要体现在以下几个方面：

首先，新标准对术语和定义部分进行了更加明确的描述。例如，对于“位错腐蚀坑”、“腐蚀液”等关键术语给出了更为精确的定义，这有助于减少因理解差异导致的操作误差。

其次，《GB/T 5252-2006》版本中增加了实验条件控制的具体要求。比如，在温度控制、时间设定以及样品处理等方面都给出了更加详细的规定，旨在提高测量结果的一致性和准确性。

再次，新版标准还改进了样品制备流程。包括但不限于样品切割尺寸、抛光质量要求等方面的调整，这些变化都是基于最新研究成果而做出的优化，以期获得更高质量的数据。

此外，《GB/T 5252-2006》还特别强调了安全操作规程的重要性，并在附录中提供了相关指导信息，提醒实验人员注意个人防护及实验室安全管理。


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  • 被代替
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  • 2006-07-18 颁布
  • 2006-11-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS77.040.01H17中华人民共和国国家标准GB/T5252—2006代替GB/T5252—1985错单晶位错腐蚀坑密度测量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity2006-07-18发布2006-11-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局爱布中国国家标准化管理委员会

GB/T5252-2006前本标准是对GB/T5252—1985《错单品位错腐蚀坑密度测量方法》的修订本标准与原标准相比.主要变动如下：-将原标准中的适用范围改为0cm-～100000cm²；-取消了原标准中对磨砂牌号的规定；-更正原标准中位错密度单位。本标准自实施之日起代替GB/T5252—1985。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。本标准起草单位：北京有色金属研究总院。本标准主要起草人：余怀之.刘建平。本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释本标准所代替标准的历次版本发布情况为：-GB/T5252-1985。

GB/T5252—2006错单晶位错腐蚀坑密度测量方法T范围本标准适用于位错密度0cm一～100000m一的n型和p型错单品棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为(111)、(100)和(113)面。2术语和定义以下术语和定义适用于本标准21位错dislocation单晶中.部分原子受应力的作用产生滑移。已滑移部分与未滑移部分的分界线为位错线，简称2.2位错密度dislocationdensity单位体积内位错线的总长度称为位错密度（cm/cm')。本标准指单位表面上位错腐蚀坑的数目（个/cm）.23位错堆pile-upofdislocation某区域的位错密度高于该断面其他区域的平均位错密度5倍以上,且其面积大于视场面积5倍以上·则称此区域为位错堆(图1)。24平底坑flatbasepit单品经化学腐蚀后，除位错腐蚀坑外，还有一些浅坑，这里称平底坑。它可能是由于空位或晶体的夹杂(如SiO、)等因素所致(图2)。2.5小角度晶界Lsmall-angleboundary单品中取向差很小的小品粒的交界面称为小角度品界。要求1mm长度内位错腐蚀坑在15个以上,且长度在1.5mm以上。（111)面上的位错腐蚀坑呈现一系列以角顶着底边的排列形式(图3)。2.6滑移线（位错排）slipline由于沿着滑移面滑移，在品体表面形成的线称滑移线或位错排。要求1mm长度内位错腐蚀坑在15个以上.且长度在1.5mm以上。（111)面上的滑移线.位错腐蚀坑按二110>方向排列成行，每一腐蚀坑的底边都在同一条直线上（图4）。27星形结构starstru

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