标准解读

《GB/T 5238-1995 锗单晶》是一项国家标准，规定了锗单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输和贮存等方面的内容。该标准适用于制造半导体器件和其他用途的锗单晶材料。

根据标准内容，首先明确了锗单晶按电阻率不同分为不同类型，并对每种类型的具体电阻率范围做出了规定。此外，还定义了几何参数如直径、长度等的要求，确保产品符合特定尺寸规格。对于晶体缺陷，包括位错密度在内的多个方面也有详细说明，旨在控制材料质量以满足高性能应用的需求。

在试验方法部分，标准描述了一系列用于检测锗单晶特性的测试程序，比如测量电阻率的方法、确定位错密度的技术等。这些测试不仅帮助制造商评估其产品质量，也为用户提供了选择合适材料时可参考的数据。

检验规则方面，《GB/T 5238-1995 锗单晶》指出了如何进行抽样检查及合格判定的标准流程，保证出厂前的产品能够达到规定的性能指标。同时，针对不合格品处理方式也给出了指导建议。

最后，在包装、标志、运输和贮存环节，标准强调了正确操作的重要性，以防止锗单晶受到物理损伤或环境因素影响而导致性能下降。具体措施包括使用适当的包装材料、清晰标注产品信息以及采取必要的防护手段等。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 5238-2009
  • 1995-10-17 颁布
  • 1996-03-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS29.040.30H81中华人民共和国国家标准GB/T5238一1995错单晶Monocrystaliinegermanium1995-10-17发布1996-03-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准GB/T5238—1995代替GB5238-85Monocrystallinegermanium主题内客与适用范围本标准规定了错单品的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和财存：本标准适用于制作半导体器件等用的错单品。2引用标准GB5251猪单晶电阻率直流四探针测量方法GB5252错单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB5254错单晶晶向X光衍射测定方法GB5255错单晶晶向光反射图像测定方法GB5256猪单晶导电类型测量方法GB5257错单晶少数载流子寿命直流光电导衰退测量方法3产品分类3T分类错单晶按导电类型分为n型和P型。，根据电阻率允许偏差大小单晶分为三级，用英文大写字母AB、C表示3.2牌号3.2.1错单晶的牌号表示为：其中：1--表示错单晶的生产方法。Cz表示直拉法,HB表示水平法.2--Ge表示错单晶。-用n或p表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂。4--用密勒指数表示品向。3.2.2示例：Cz-Ge-n(Sb)-(111)表示晶向为(111>n型掺梯直拉错单晶。国家

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