标准解读

《GB/T 5238-2009 锗单晶和锗单晶片》与《GB/T 5238-1995, GB/T 15713-1995》相比，在内容上进行了多方面的更新和完善。主要变化包括：

  • 标准范围的调整：新标准明确指出适用于直径不大于100mm的锗单晶及其切割成的锗单晶片，这比旧版更具体地界定了适用对象。
  • 增加了术语定义部分：为确保对标准内使用的专业词汇有一致的理解，《GB/T 5238-2009》增加了“术语和定义”章节，详细解释了如“位错密度”、“电阻率均匀性”等关键概念。
  • 技术要求更加细化：新版标准对于锗单晶及锗单晶片的技术指标提出了更为严格的要求，比如提高了纯度标准、明确了导电类型（n型或p型）的具体参数，并对表面质量、几何尺寸等方面也做了进一步规范。
  • 检验规则的变化：在检验方法上，《GB/T 5238-2009》不仅保留了原有的物理性能测试项目，还新增了一些先进的检测手段和技术，旨在提高产品质量控制水平。
  • 包装、标志、运输和贮存条款有所更新：为了更好地保护产品免受损害，以及便于识别与管理，新版本对此部分内容进行了修订，给出了更为详细的指导建议。


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  • 被代替
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  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
©正版授权
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文档简介

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犎６６

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜５２３８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ５２３８—１９９５、ＧＢ／Ｔ１５７１３—１９９５

锗单晶和锗单晶片

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２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

犌犅／犜５２３８—２００９

前言

本标准代替ＧＢ／Ｔ５２３８—１９９５《锗单晶》和ＧＢ／Ｔ１５７１３—１９９５《锗单晶片》。

本标准与ＧＢ／Ｔ５２３８—１９９５、ＧＢ／Ｔ１５７１３—１９９５相比，主要有如下变动：

———扩大了锗单晶和锗单晶片的适用范围；

———删掉了锗单晶按电阻率允许偏差分成的三个等级和锗单晶片中的大圆片及小圆片；

———标准格式按ＧＢ／Ｔ１．１—２０００《标准化工作导则》的要求进行了修改、补充和完善。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准负责起草单位：南京锗厂有限责任公司。

本标准主要起草人：张莉萍、吴玉麟。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ５２３８—１９８５，ＧＢ／Ｔ５２３８—１９９５，ＧＢ／Ｔ１５７１３—１９９５。

Ⅰ

书

犌犅／犜５２３８—２００９

锗单晶和锗单晶片

１范围

本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单（或

合同）内容。

本标准适用于制作半导体器件、激光、外延衬底等用的锗单晶和锗单晶片。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＧＢ／Ｔ１５５０非本征半导体材料导电类型测试方法

ＧＢ／Ｔ１５５２硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰退法

ＧＢ／Ｔ２８２８．１计数抽样检验程序第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ５２５２锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

ＧＢ／Ｔ５２５４锗单晶晶向Ｘ光衍射测定方法

３要求

３．１产品分类

锗单晶和锗单晶片按导电类型分为ｎ型和ｐ型。

３．２牌号

３．２．１锗单晶和锗单晶片的牌号表示方法为：

—Ｇｅ—（）—〈〉

４

３

２

１

１———表示锗单晶和锗单晶片的生产方法；用ＣＺ表示直拉法，用ＨＢ表示水平法。

２———Ｇｅ表示锗单晶和锗单晶片。

３———用ｎ或ｐ表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂。

４———用密勒指数表示晶向。

３．２．２牌号示例：

ａ）ＣＺＧｅｎ

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