模拟 第3章 晶体管电路

第3章场效应管及其放大路3.1.1场效应管3.1.2场效应管及放大电路

3.1场效应管

引言1结型场效应管3场效应管的主要参数2MOS场效应管引言场效应管FET

(FieldEffectTransistor)类型：结型JFET

(JunctionFieldEffectTransistor)绝缘栅型IGFET(InsulatedGateFET)特点：1.单极性器件(一种载流子导电)3.工艺简单、易集成、功耗小、

体积小、成本低2.输入电阻高

(1071015，IGFET可高达1015)1结型场效应管1.结构与符号N沟道JFETP沟道JFET2.工作原理(1)UGS对ID的控制作用2.UDS对ID的影响3.UDS和UGS共同作用uGS

0，uDS

>0

此时

uGD

=UGS(off)；

沟道楔型耗尽层刚相碰时称预夹断。当uDS

，预夹断点下移。3.转移特性和输出特性UGS(off)当UGS(off)

uGS

0时,uGSiDIDSSuDSiDuGS

=–3V–2V–1V0V–3VOO2MOS场效应管MOS场效应管（绝缘栅场效应管）N沟道绝缘栅场效应管P沟道绝缘栅场效应管增强型耗尽型增强型耗尽型一、增强型N沟道MOSFET

(MentalOxideSemi—FET)1.结构与符号P型衬底(掺杂浓度低)N+N+用扩散的方法制作两个N区在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层SD用金属铝引出源极S和漏极DG在绝缘层上喷金属铝引出栅极GB耗尽层S—源极SourceG—栅极Gate

D—漏极DrainSGDB2.工作原理1)uGS

对导电沟道的影响

(uDS

=0)反型层(沟道)1)uGS

对导电沟道的影响

(uDS

=0)a.

当UGS=0

，DS间为两个背对背的PN结；b.

当0<UGS<UGS(th)(开启电压)时，GB间的垂直电场吸引

P区中电子形成离子区(耗尽层)；c.

当uGS

UGS(th)

时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道。uGS

越大沟道越厚。2)

uDS

对

iD的影响(uGS

>UGS(th))

DS间的电位差使沟道呈楔形，uDS，靠近漏极端的沟道厚度变薄。预夹断(UGD=

UGS(th))：漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：uDSiD。预夹断发生之后：uDSiD不变。3.转移特性曲线2464321uGS/ViD/mAUDS=10VUGS(th)当uGS

>UGS(th)

时：uGS

=2UGS(th)

时的

iD值开启电压O4.输出特性曲线可变电阻区uDS

<uGS

UGS(th)uDSiD

，直到预夹断饱和(放大区)uDS，iD

不变uDS

加在耗尽层上，沟道电阻不变截止区uGS

UGS(th)

全夹断iD=0

iD/mAuDS/VuGS

=2V4V6V8V截止区饱和区可变电阻区放大区恒流区O二、耗尽型N沟道MOSFETSGDB

Sio2

绝缘层中掺入正离子在uGS

=0时已形成沟道；在DS间加正电压时形成iD，uGS

UGS(off)

时，全夹断。输出特性uGS/ViD/mA转移特性IDSSUGS(off)夹断电压饱和漏极电流当uGS

UGS(off)

时，uDS/ViD/mAuGS

=4V2V0V2VOO三、P沟道MOSFET增强型耗尽型SGDBSGDBN沟道增强型SGDBiDP沟道增强型SGDBiD2–2OuGS/ViD/mAUGS(th)SGDBiDN沟道耗尽型iDSGDBP沟道耗尽型UGS(off)IDSSuGS/ViD/mA–5O5FET符号、特性的比较OuDS/ViD/mA5V2V0V–2VuGS

=2V0V–2V–5VN沟道结型SGDiDSGDiDP沟道结型uGS/ViD/mA5–5OIDSSUGS(off)OuDS/ViD/mA5V2V0VuGS

=0V–2V–5V3场效应管的主要参数开启电压UGS(th)(增强型)

夹断电压

UGS(off)(耗尽型)指uDS

=某值，使漏极电流iD为某一小电流时的uGS

值。UGS(th)UGS(off)2.饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应管，当uGS

=0时所对应的漏极电流。IDSSuGS/ViD/mAOUGS(th)UGS(off)3.直流输入电阻RGS指漏源间短路时，栅、源间加

反向电压呈现的直流电阻。JFET：RGS>107

MOSFET：RGS=109

1015IDSSuGS/ViD/mAO4.低频跨导gm

反映了uGS

对iD的控制能力，单位S(西门子)。一般为几毫西

(mS)uGS/ViD/mAQOPDM=

uDSiD，受温度限制。5.漏源动态电阻rds6.最大漏极功耗PDM

场效应管与晶体管的比较管子名称晶体管场效应管导电机理利用多子和少子导电利用多子导电控制方式电流控制电压控制放大能力较低高直流输入电阻小约几kΩ大JFET可达107Ω以上,MOS可达1010Ω稳定性受温度和辐射的影响较大温度稳定性好、抗辐射能力强噪声中等很小结构对称性集电极和发射极不对称，不能互换漏极和源极对称，可互换使用适用范围都可用于放大电路和开关电路等3.1.2

场效应管放大电路2分压式自偏压放大电路1场效应管放大电路1场效应管放大电路三种组态：共源、共漏、共栅特点：输入电阻极高，噪声低，热稳定性好

1.固定偏压放大电路一、电路的组成（1）合适的偏置（2）能输入能输出栅极电阻RG的作用：(1)为栅偏压提供通路(2)泻放栅极积累电荷源极电阻RS的作用：提供负栅偏压漏极电阻RD的作用：把iD

的变化变为uDS

的变化+VDDRDC2CS+++uoC1+uiRGRSGSD二、静态分析UGS+VDDRDC1RGRSGSDIDUDSRL1.估算法

2.自给偏压放大电路

UDSQ=VDD–

IDQ(RS+RD)

UGS+VDDRDC1RGRSGSDIDUDSUGSQ

=–IDQRS2.图解法①在输出特性上作直流负载线②作负载转移特性曲线

③作输入回路的直流负载线

④确定静态工作点转移特性曲线与输入回路的直流负载线的交点即为静态工作点Q，Q点对应的横坐标值即为UGSQ，纵坐标值即为IDQ，再根据IDQ在输出特性曲线上求出静态工作点Q，确定UDSQ。

(a)转移特性曲线(b)输出特性曲线图

自给偏压电路Q点的图解1.场效应管的等效电路三、动态分析—场效应管电路小信号等效电路分析法移特性可知，gm是转移特性在静态工作点Q处

gm为低频跨导，反映了管子的放大能力，从转切线的斜率.rds为场效应管的共漏极输出电阻，为输出特性在Q点处的切线斜率的倒数，如图所示，通常rds在几十千欧到几百千欧之间。从输入端口看入，相当于电阻

rgs()。从输出端口看入为受

ugs

控制的电流源。id=gmugs小信号模型根据rgs

Sidgmugs+ugs+udsGDrds2.场效应管放大电路的微变等效电路RLRD+uo+uiGSD+ugsgmugsidiiRG3.计算放大电路的动态指标注意：自给偏压电路只适用耗尽型场效应管放大电路2分压式自偏压放大电路调整电阻的大小，可获得：UGSQ>0UGSQ=0UGSQ<0RL+VDDRDC2CS+++uoC1+uiRG2RSGSDRG1一、电路组成二、静态分析

UDSQ=VDD–

IDQ(RS+RD)

三、动态分析RLRD+uo+uiRG2GSDRG1+ugsgmugsidii四、改进电路目的：为了提高输入电阻有CS时：RL+VDDRDC2CS+++uoC1+uiRG2RSGSDRG1RG3RLRD+uo+uiRG2GSDRG3RG1+ugsgmugsidii无CS

时：RSRi、Ro不变3共漏放大电路RL+VDDC2++uoC1+uiRG2RSGSDRG1RG3RLRS+uo+uiRG2GSDRG3RG1+ugsgmugsiiioRo例耗尽型

N

沟道

MOS

管，RG=

1

M，

RS

=2

k，RD=12

k

，VDD=

20

V。

IDSS=

4

mA，UGS(off)

=

–4

V，求iD

和uO

。iG

=0

uGS

=iDRSiD1=4mAiD2=1mAuGS

=–8V<UGS(off)增根

uGS

=–2V

uDS

=VDD–

iD(RS+RD)=20–14=6(V)

uO

=VDD–

iD

RD=20–14=8(V)在放大区例已知UGS(off)=0.8V，IDSS=0.18mA，

1.求“Q”。2.求AU,Ri,RO解方程得：IDQ1=0.69mA，UGSQ=–

2.5V(增根，舍去)

IDQ2=0.45mA

，

UGSQ=–

0.4V

RLRDC2CS+++uoC1+uiRG2GSDRG1RG310k10k200k64k1M2k5k+24V例

gm=0.65mA/V，ui

=20sint(mV)，求交流输出uo。+RDGDSRGRSiD+uO–+VDD–uiVGG10k4k交流通路+RDGDSRGRSid+uO–ui小信号等效电路

+uiRSRDSidgmugs+ugs+uoGDRGui

=ugs+gmugsRSugs=

ui/(1+gmRS)uo

=–

gmui

RD/(1+gmRS)=–

36sint(mV)3.2

差分放大电路3.2.1差分放大电路的工作原理3.2.3具有恒流源差分放大电路3.2.2差分放大电路的输入输出形式3.2.1差动放大电路的工作原理(DifferentialAmplifier)一电路组成及抑制零漂的工作原理1、电路组成特点：

a.两只完全相同的管子；

b.两个输入端，两个输出端；

c.元件参数对称；

原理：静态时，输入信号为零，即将输入端①和②短接。由于两管特性相同，所以当温度或其他外界条件发生变化时，两管的集电极电流ICQ1和ICQ2的变化规律始终相同，结果使两管的集电极电位UCQ1、UCQ2始终相等，从而使UOQ=UCQ1-UCQ2≡0，因此消除了零点漂移。具体实践：在实践中，两个特性相同的管子采用“差分对管”，两半电路中对应的电阻可用电桥精密选配，尽可能保证阻值对称性精度满足要求。结论：可想而知，即使采取了这些措施，差动放大电路的两半电路仍不可能完全对称，也就是说，零点漂移不可能完全消除，只能被抑制到很小。2、信号的输入方式和电路的响应（1）差模输入方式Ui1=Uid，Ui2=Uid差模输入信号为Ui1－

Ui2=2

Uid差模输入方式若Ui1的瞬时极性与参考极性一致，则Ui2的瞬时极性与参考极性相反。则有：ui1↑→ib1↑→ic1↑→uc1↓ui2↓→ib2↓→ic2↓→uc2↑结论：差模电压放大倍数等于半电路电压放大倍数。输出电压uO=uC1－

uC2≠0，而是出现了信号，记为Uod。定义：Ad=Uod/2Uid（2）共模输入方式Ui1=Ui2=Uic在共模输入信号作用下，差放两半电路中的电流和电压的变化完全相同。ui1=ui2=0，uo=0Ui1=Ui2=Uic时，Uoc=0。定义：Ac=Uoc/Uic共模输入方式下的差放电路Ac叫做共模电压放大倍数。理论上讲，Ac为0，实际上由于电路不完全对称，可能仍会有不大的Uoc，一般Ac《1。既然UOC=0或者UOC很小，为什么还要讨论共模输入呢？差放的两半电路完全对称，又处于同一工作环境，这时温度变化以及其它干扰因素对这两半电路都有完全相同的影响和作用，都等效成共模输入信号。如果在Uic作用下，Uoc=0或Ac=0，则说明差放有效地抑制了因温度变化而引起的零漂。（3）任意输入方式

输入端分别接Ui1和Ui2，这种输入方式带有一般性，叫“任意输入方式”。Uic

=(Ui1+Ui2)/2Ui1=Uic+UidUi2=Uic+（-Uid）若则Uid

=(Ui1-Ui2)/2任意输入方式（3）任意输入方式

输入端分别接Ui1和Ui2，这种输入方式带有一般性，叫“任意输入方式”。Uic

=(Ui1+Ui2)/2Ui1=Uic+UidUi2=Uic+（-Uid）若则Uid

=(Ui1-Ui2)/2例如：Ui1=10mVUi2=6mV则

Uid=2mV

Uic=8mV利用叠加原理得到：Uo=Ad·2Uid+AcUic=Ad（Ui1-Ui2）结论：在任意输入方式下，被放大的是输入信号Ui1和Ui2的差值。这也是这种电路为什么叫做“差动放大的原因”。（4）存在的问题及改进的方案以上研究的是基本的差动放大电路，它实际上不可能完全抑制零漂，因为两半电路不会完全对称。另外，如果从一管输出，则与单管放大电路一样，对零漂毫无抑制能力，而这种“单端输出”方式的形式又是经常采用的。稳定静态工作点，就是要减小ICQ的变化，而抑制零点漂移也同样是减小ICQ的变化。即抑制零点漂移和稳定静态工作点是一回事。因此可以借鉴工作点稳定电路中采用过的方法，在管子的射极上接一电阻。这样，基本的差动放大电路就改进为如图4-15所示。可以想见，RE越大，则工作点越稳定，零点漂移也越小。但，RE太大，在一定的工作电流下，RE上的压降太大，管子的动态范围就会变小，如图4-16所示。为了保证一定的静态工作电流和动态范围，而RE又希望取得大些，常采用双电源供电，用电源VEE提供RE上所需的电压。采用双电源供电后，输出电压的动态范围大多了。改进后的电路叫射极耦合差动放大电路也叫长尾电路。射极耦合差动放大电路因为有负电源VEE提供发射极正偏所需要的电压，所以RB可以去掉。二射极耦合差动放大电路的静态分析静态工作点的计算：1、差模电压放大倍数三射极耦合差动放大电路的动态分析关键在于画出差模信号作用下，半电路的交流通路和微变等效电路。A、对差模信号，若一管的射极电流增大△I，则另一管的射极电流必然减小△I，因而流过射极电阻RE的总电流不变，即RW的滑动端C点的电位恒定，相当于交流接地。B、负载RL中点电位为交流地电位。由此画出半电路的交流通路如图所示。2、共模电压放大倍数在理想情况下，共模电压放大倍数Ac=0。3、差模输入电阻Rid是由图①、②两个输入端看进去的动态电阻，

它是单管共射放大电路输入电阻的两倍。4、差模输出电阻Rod=2RC5、共模抑制比KCMR=︱Ad/Ac︱用分贝表示：KCMR=20lg︱Ad/Ac︳Ad越大越好，Ac越小越好，因此KCMR越大越好。实际差动放大电路的输出电压8、差动放大电路的电压传输特性差放双入双出电压传输特性6、最大共模输入电压UICM7、最大差模输入电压UIDM3.2.2.差分放大电路的输入输出形式

差动放大器共有四种输入输出方式:

1.双端输入、双端输出（双入双出）

2.双端输入、单端输出（双入单出）

3.单端输入、双端输出（单入双出）

4.单端输入、单端输出（单入单出）主要讨论的问题有：

差模电压放大倍数、共模电压放大倍数差模输入电阻输出电阻(1)差模电压放大倍数

（2）共模电压放大倍数（3）差模输入电阻（4）输出电阻1.双端输入双端输出静态分析2.双端输入单端输出电路组成(1)差模电压放大倍数

（2）差模输入电阻（3）输出电阻动态分析（4）共模电压放大倍数共模交流通路：（5）共模抑制比KCMR=︱Ad/Ac︱

3.单端输入双端输出（1）静态分析同双端输入双端输出（2）动态分析计算同双端输入双端输出：4.单端输入单端输出

计算同双入单出：

注意放大倍数的正负号：设从T1的基极输入信号，如果从C1输出，为负号；从C2输出为正号。（1）静态分析同双端输入单端输出（2）动态分析3.2.3.差动放大电路的调零增加调零电阻后四种接法下的性能分析比较静态分析时不考虑Rp(1)差模电压放大倍数

与单端输入还是双端输入无关，只与输出方式有关：

差动放大器动态参数计算总结

双端输出时：

单端输出时：

(2)共模电压放大倍数

与单端输入还是双端输入无关，只与输出方式有关：

双端输出时：

单端输出时：

(3)差模输入电阻

不论是单端输入还是双端输入，差模输入电阻Rid是基本放大电路的两倍。

单端输出时，

双端输出时，

(4)输出电阻(5)共模抑制比

共模抑制比KCMR是差分放大器的一个重要指标。，或

双端输出时KCMR可认为等于无穷大，单端输出时共模抑制比：3.2.4具有恒流源差分放大电路1、问题的提出KCMR=Ad/Ac从以上两式看出要减小Ac，提高共模抑制比，应增大RE，但RE不能太大，因为RE上的压降由VEE提供。在保持VT1、VT2两管的工作电流为一定值时，要加大RE，必须提高VEE，这是有困难的。能不能找到这样一种元器件，它的直流电阻很小，而它的交流电阻却很大，这样静态时不需要很大的VEE，动态时的AC却很小，KCMR很大？2、电路的组成及工作原理减少共模放大倍数的思路：增大REE用恒流源代替REE特点：直流电阻为有限值动态电阻很大1.三极管电流源简化画法电流源代替差分电路中的REE+VCCRLRERB1RB2ICI0ui1V1+VCCV2RCR1uodui2RC–VEER2R3IC3V3ui1V1+VCCV2RCuodui2RCVEEI03.具有电流源的差分放大电路简化画法1、静态分析2、动态分析例3.2.1(1)求静态工作点；(2)求电路的差模Aud，Rid，Ro。[解](1)

求“Q”ui1V1+VCCV2RCuoui2RCVEER2R3IC3V3V4IREF+6V6V1001007.5k7.5k6.2k100ICQ1=ICQ2=0.5I0UCQ1=UCQ2=6–0.427.5=2.85(V)(2)求Aud，Rid，RoRo=2RC=15(k)引言3.3.1级间耦合问题3.3.2多级放大电路的分析3.3多级放大电路

为什么要多级放大？在第2章，我们主要研究了由一个晶体管组成基本放大电路，它们的电压放大倍数一般只有几十倍。但是在实际应用中，往往需要放大非常微弱的信号，上述的放大倍数是远远不够的。为了获得更高的电压放大倍数，可以把多个基本放大电路连接起来，组成“多级放大电路”。其中每一个基本放大电路叫做一“级”，而级与级之间的连接方式则叫做“耦合方式”。实际上，单级放大电路中也存在电路与信号源以及负载之间的耦合问题。引言3.3.1级间耦合问题极间耦合形式：直接耦合A1A2电路简单，能放大交、直流信号，“Q”互相影响，零点漂移严重。阻容耦合A1A2各级“Q”独立，只放大交流信号，信号频率低时耦合电容容抗大。变压器耦合A1A2用于选频放大器、功率放大器等。1、阻容耦合阻容耦合是通过电容器将后级电路与前级相连接，其方框图所示。阻容耦合放大电路的方框图单级阻容耦合放大电路两极阻容耦合放大电路1）各级的直流工作点相互独立。由于电容器隔直流而通交流，所以它们的直流通路相互隔离、相互独立的，这样就给设计、调试和分析带来很大方便。

2）在传输过程中，交流信号损失少。只要耦合电容选得足够大，则较低频率的信号也能由前级几乎不衰减地加到后级，实现逐级放大。优点：3）电路的温漂小。4）体积小，成本低。缺点：2）低频特性差；1）无法集成；3）只能使信号直接通过，而不能改变其参数。2、变压器耦合变压器可以通过磁路的耦合把一次侧的交流信号传送到二次侧，因此可以作为耦合元件。变压器耦合的两级放大电路为什么要讲变压器耦合？因为变压器在传送交流信号的同时，可以实现电流、电压以及阻抗变换。图4-5变压器的等效电路工作原理：优点：1）变压器耦合多级放大电路前后级的静态工作点是相互独立、互不影响的。因为变压器不能传送直流信号。2）变压器耦合多级放大电路基本上没有温漂现象。3）变压器在传送交流信号的同时，可以实现电流、电压以及阻抗变换。缺点：1）高频和低频性能都很差；2）体积大，成本高，无法集成。3直接耦合直接耦合和两级放大电路存在两个问题：1）静态工作点不独立2）零点漂移（1）直接耦合的具体形式为了解决这个问题：可以采用如下的办法。T1、T2都处于饱和1）静态工作点不独立（a）RRB1C1uiuoTT12UCE1E2RRC2(a)加入电阻RE2方法一：RRB1C1R

C2uiuoTT12RUz+VDzCC（b）在T2的发射极加入稳压管方法二：RRB1C1RE2uiuoTT12RC2VCC+方法三：可以在电路中采用不同类型的管子，即NPN和PNP管配合使用，如下图所示。利用NPN型管和PNP型管进行电平移动（1）电路可以放大缓慢变化的信号和直流信号。由于级间是直接耦合，所以电路可以放大缓慢变化的信号和直流信号。（2）便于集成。由于电路中只有晶体管和电阻，没有电容器和电感器，因此便于集成。缺点：优点：（1）各级的静态工作点不独立，相互影响。会给设计、计算和调试带来不便。（2）引入了零点漂移问题。零点漂移对直接耦合放大电路的影响比较严重。（2）直接耦合放大电路的优缺点（3）直接耦合放大电路中的零点漂移问题1）何谓零点漂移？2）产生零点漂移的原因3）零点漂移的严重性及其抑制方法电阻，管子参数的变化，电源电压的波动。如果采用高精度电阻并经经过老化处理和采用高稳定度的电源，则晶体管参数随温度的变化将成为产生零点漂移的主要原因。如果零点漂移的大小足以和输出的有用信号相比拟，就无法正确地将两者加以区分。因此，为了使放大电路能正常工作，必须有效地抑制零点漂移。注意：为什么只对直接耦合多级放大电路提出这一问题呢？原来温度的变化和零点漂移都是随时间缓慢变化的，如果放大电路各级之间采用阻容耦合，这种缓慢变化的信号不会逐级传递和放大，问题不会很严重。但是，对直接耦合多级放大电路来说，输入级的零点漂移会逐级放大，在输出端造成严重的影响。特别时当温度变化较大，放大电路级数多时，造成的影响尤为严重。抑制零点漂移的方法：1）采用恒温措施，使晶体管工作温度稳定。需要恒温室或槽，因此设备复杂，成本高。2）采用温度补偿法。就是在电路中用热敏元件或二极管（或晶体管的发射结）来与工作管的温度特性互相补偿。最有效的方法是设计特殊形式的放大电路，用特性相同的两个管子来提供输出，使它们的零点漂移相互抵消。这就是“差动放大电路”的设计思想。3）采用直流负反馈稳定静态工作点。4）各级之间采用阻容耦合。4）零点漂移大小的衡量△uIdr=△uOdr/Au△T△uOdr是输出端的漂移电压；△uIdr就是温度每变化1℃折合到放大电路输入端的漂移电压。△T是温度的变化；Au是电路的电压放大倍数；4.光电耦合光电耦合方式是通过光电耦合器件实现的

.思路：根据电路的约束条件和管子的IB、IC和IE的相互关系，列出方程组求解。如果电路中有特殊电位点，则应以此为突破口，简化求解过程。3.3.2多级放大电路的分析1、静态工作点的分析变压器耦合同第二章单级放大电路阻容耦合直接耦合例1:

计算其静态工作点例2:如图所示的两级电压放大电路，已知β1=β2=50,T1和T2均为3DG8D。计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V);

RB1C1C2RE1+++–RC2C3CE+++24V+–T1T21M27k82k43k7.5k51010koU.Ui.解:

两级放大电路的静态值可分别计算。

RB1C1C2RE1+++–RC2C3CE+++24V+–T1T21M27k82k43k7.5k51010koU.Ui.第一级是射极输出器:第二级是分压式偏置电路解:RB1C1C2RE1+++–RC2C3CE+++24V+–Ui.T1T21M27k82k43k7.5k51010koU.2、动态性能分析Au1第一级Au2第二级Aun末级uiuo1RLRSuousuo2ui2uinii=Au1·Au2

·

·

·

AunAu1(dB)=Au1(dB)+Au2(dB)+·

·

·+Aun

(dB)考虑级与级之间的相互影响，计算各级电压放大倍数时，应把后级的输入电阻作为前级的负载处理!!!（1）放大倍数的计算（2）输入和输出电阻的计算多级放大电路的输入电阻为第一级放大电路的输入电阻。多级放大电路的输出电阻为最后一级放大电路的输出电阻。例3:例4:如图所示的两级电压放大电路，已知β1=β2=50,T1和T2均为3DG8D。

RB1C1C2RE1+++–RC2C3CE+++24V+–T1T21M27k82k43k7.5k51010koU.Ui.（1）求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。（2）求放大电路的输入电阻和输出电阻（1）求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数第一级放大电路为射极输出器2bI2cIrbe2RC2rbe1RB11bI1cIRE1+_+_+_Ui.oU.o1U.第二级放大电路为共发射极放大电路总电压放大倍数2bI2cIrbe2RC2rbe1RB11bI1cIRE1+_+_+_Ui.oU.o1U.(2)

计算

r

i和r

0微变等效电路2bI2cIrbe2RC2rbe1RB11bI1cIRE1+_+_+_Ui.oU.o1U.由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻

ri

等于第一级的输入电阻ri1。第一级是射极输出器，它的输入电阻ri1与负载有关，而射极输出器的负载即是第二级输入电阻

ri2。2bI2cIrbe2RC2rbe1RB11bI1cIRE1+_+_+_Ui.oU.o1U.2bI2cIrbe2RC2rbe1RB11bI1cIRE1+_+_+_Ui.oU.o1U.1=60,2=100;rbe1=2k,rbe2=2.2k。求Au,Ri,Ro。例5:[解]Ri2=R6//R7

//rbe2RL1=R3//Ri2AU=AU1•AU2Ri

=Ri1=R1//R2

//

[rbe1+(1+1)R4]Ro=R8=4.7k例6:晶体管和效应管组成的多级放大电路3、三种耦合方式放大电路的应用场合阻容耦合放大电路：用于交流信号的放大。变压器耦合放大电路：用于功率放大及调谐放大。直接耦合放大电路：一般用于放大直流信号或缓慢变化的信号。集成电路中的放大电路都采用直接耦合方式。为了抑制零漂，它的输入级采用特殊形式的差动放大电路。3.4互补对称功率放大电路3.4.1

功率放大电路的特殊问题和分类3.4.3甲乙类互补对称功率放大电路3.4.2乙类双电源互补对称功率放大电路一、功率放大电路的特殊问题3.4.1

功率放大电路的特殊问题和分类1、要有足够的输出功率+VCCRLC1+RBuce

=uo设“Q”设置在交流负载线中点VCCICuCE

iCO

tiCO

QIcmUcem2、效率高3、管耗