集中选频放大器

2.2.1晶体管Y参数等效模型ebci1v1+-i2v2-+三极管Y参数小信号模型分析:（1）Y参数的意义ebci1v1+-i2v2-+T（2）画Y参数小信号模型交流通路图三极管Y参数小信号模型若忽略三极管的内部反馈，则认为Yre=0选择性——矩形系数K0.1单调谐放大器矩形系数

结论：单调谐回路放大器的矩形系数远大于1，其谐振曲线与理想的矩形相差很远，选择性不好。

要想提高选择性，则必须提高Qe值，但这会造成通频带变窄。2.2.3多级单调谐回路谐振放大器若单级调谐放大器的增益不满足要求时，可采用多级单调谐放大器，包括：同步调谐放大器：若各级放大器均调谐在同一频率上，称同步调谐。参差调谐放大器：若各级放大器调谐在不同频率上，称参差调谐。同步调谐放大器参差调谐放大器（1）同步调谐放大器若放大器由n级单调谐放大器级联而成，各级的参数相同，都调谐在同一频率上，则总的谐振电压增益为结论：同步调谐回路放大器的级数越多，谐振曲线越尖锐，即选择性越好，而通频带越窄。

要保证总的通频带与单级时一样，则必须将每级通频带展宽，即每级回路的Qe值要下降，故每级增益随n的增加而减小。

多级同步调谐放大器只适用于通频带较窄、增益要求不高的场合。（2）双参差调谐放大器双参差调谐放大器是由两级电路参数完全相同的单调谐放大器组成，将两级单调谐放大器分别调谐到略高于和略低于信号的中心频率上。

结论：双参差调谐放大器的矩形系数远比两级同步调谐放大器小得多。2.2.4小信号调谐放大器的稳定性(1)不稳定因素：引起放大器不稳定的原因是由于存在各种噪声反馈造成的。Yre图2.28内部反馈对谐振曲线的影响

由于yre的存在，晶体管是一个双向的器件，增强放大器的稳定性可以考虑晶体管的单向化。单向化的方法有：⑴中和法消除yre的反馈⑵失配法通过增大负载电导YL，使输出严重失配，输出电压减小，从而使内反馈减小。在实际运用中，中和法是外加一个电容抵消正反馈电容的作用

失配法：信号源内阻不与晶体管输入阻抗匹配；晶体管输出端负载不与本级晶体管的输出阻抗匹配。即以牺牲电压增益来换取放大器的稳定性四、克服自激的方法

(1)中和法：在放大器线路中插入一个外加的反馈电路，使它的作用恰好和晶体管的内反馈互相抵消。具体线路：

电桥平衡时，CD两端的回路电压不会反映到AB两端,即对应两边阻抗之比相等。由于CN是固定的，它只能在一个频率上起到较好的中和作用，而不能中和一个频段。DC(2)

失配法

信号源内阻不与晶体管输入阻抗匹配，晶体管输出端负载阻抗不与本级晶体管的输出阻抗匹配。

原理：由于阻抗不匹配，输出电压减小，反馈到输入电路的影响也随之减小。使增益下降，提高稳定性。必须加大YL失配法一般采用共发一共基级联放大.三、（集成调谐放大器）由MC1590构成的选频放大器：

器件MC1590具有工作频率高，不易自激的特点，并带有自动增益控制的功能。

器件的输入和输出各有一个单谐振回路。输入信号V1通过隔直流电容C4加到输入端的引脚“1”，另一输入端的引脚“3”通过电容C3交流接地，输出端之一的引脚“6”连接电源正端，并通过电容C5交流接地，故电路是单端输入、单端输出。由L3和C6构成去耦滤波器，减小输出级信号通过供电电源对输入级的寄生反馈。多级LC选频放大器存在的问题：分散选择滤波，调谐麻烦，稳定性差。改进方法：放大与滤波分开，集中选频放大。集中选频放大器构成如图所示，它由两种部件组成，一部分是宽频带放大器，另一部分是集中选择性滤波器。2.3集中选频放大器集中选择性滤波器陶瓷滤波器晶体滤波器声表面波滤波器集成宽频带放大器差分放大器共发射极—共基极放大器在通信、广播等接收设备中，陶瓷滤波器有着广泛的应用。2.3.1集中选频滤波器一.陶瓷滤波器陶瓷滤波器是利用某些陶瓷材料的压电效应(定义)构成的滤波器，常用的陶瓷滤波器是由锆钛酸铅〔Pb（ZrTi）O3〕压电陶瓷材料（简称PZT）制成的。图2.32压电陶瓷片等效电路和电路符号陶瓷片具有两个谐振频率，一个是串联谐振频率fs，另一个是并联谐振频率fP,图2.33陶瓷片的阻抗图四端陶瓷滤波器图2.35四端陶瓷滤波器的电路符号

使用四端陶瓷滤波器时，要注意输入、输出阻抗必须与信号源、负载阻抗相匹配，否则其幅频特性将会变坏，通带内的响应起伏增大，阻带衰减值减小。陶瓷滤波器的优缺点。(P36)

2.声表面波滤波器声表面波滤波器结构示意图如图所示。它以铌酸锂、锆钛酸铅或石英等压电材料为基片，利用真空蒸镀法，在抛光过的基片表面形成厚度约１０μｍ的铝膜或金膜电极，称其为叉指电极。左端叉指电极为发端换能器，右端叉指电极为收端换能器。图2.36声表面波滤波器结构示意图当输入信号的频率ｆ等于换能器的频率f0时，各节所激发的表面波同相叠加，振幅最大，可写成(2─52)图2.37均匀叉指换能器声振幅——频率特性曲线声表面波滤波器的中心频率、通频带等性能除与基片材料有关外，主要取决于叉指电极的几何