标准解读

《GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底》是一项国家标准，它主要针对用于LED外延生长的砷化镓（GaAs）衬底材料制定了详细的技术要求。该标准涵盖了砷化镓单晶的基本参数、尺寸偏差、表面质量以及电学性能等多个方面的要求。

在基本参数部分，标准规定了砷化镓晶体直径、厚度等物理尺寸的具体范围；同时对晶体的导电类型（n型或p型）、载流子浓度也做了明确要求，以确保其适用于不同类型的LED器件制备过程中作为基板使用。

对于尺寸偏差，包括但不限于直径偏差、总厚度变化量等方面都给出了严格限制，旨在保证产品一致性与可重复性。

此外，还特别强调了砷化镓衬底的表面状况，如抛光度、平整度以及缺陷密度等指标，这些直接影响到后续外延层的质量及LED的整体性能表现。

电学特性方面，则重点考察了电阻率及其均匀性，因为这直接关系到最终LED的工作效率和可靠性。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2014-07-24 颁布
  • 2015-04-01 实施
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文档简介

ICS29045

H83.

中华人民共和国国家标准

GB/T30856—2014

LED外延芯片用砷化镓衬底

GaAssubstratesforLEDepitaxialchips

2014-07-24发布2015-04-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T30856—2014

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会及材料分技术委员会

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并归口

203/SC2)。

本标准主要起草单位中国科学院半导体研究所有研光电新材料有限公司云南中科鑫圆晶体材

:、、

料有限公司

。

本标准主要起草人赵有文提刘旺林泉于洪国惠峰赵坚强

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T30856—2014

LED外延芯片用砷化镓衬底

1范围

本标准规定了外延芯片用砷化镓单晶衬底片以下简称衬底的要求检验方法和规则以及标

LED()、

志包装运输储存质量证明书与订货单或合同内容

、、、、()。

本标准适用于外延芯片用的砷化镓单晶衬底

LED。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

包装储运图示标志

GB/T191

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划

GB/T2828.11:(AQL)

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T4326

半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6616

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6620

硅片表面平整度测试方法

GB/T6621

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T8760

硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13387

硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GB/T13388X

硅片直径测量方法

GB/T14140

半导体材料术语

GB/T14264

半导体材料牌号表示方法

GB/T14844

直径砷化镓单晶圆形抛光片切口规范

SEMIM9.7-0200150mm()

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4要求

41分类

.

砷化镓衬底按导电类型分为型和型两种类型

np。

42牌号

.

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