- 现行
- 正在执行有效
- 2014-07-24 颁布
- 2015-04-01 实施
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文档简介
ICS29045
H83.
中华人民共和国国家标准
GB/T30856—2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
GaAssubstratesforLEDepitaxialchips
2014-07-24发布2015-04-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T30856—2014
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会及材料分技术委员会
(SAC/TC203)(SAC/TC
共同提出并归口
203/SC2)。
本标准主要起草单位中国科学院半导体研究所有研光电新材料有限公司云南中科鑫圆晶体材
:、、
料有限公司
。
本标准主要起草人赵有文提刘旺林泉于洪国惠峰赵坚强
:、、、、、。
Ⅰ
GB/T30856—2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
1范围
本标准规定了外延芯片用砷化镓单晶衬底片以下简称衬底的要求检验方法和规则以及标
LED()、
志包装运输储存质量证明书与订货单或合同内容
、、、、()。
本标准适用于外延芯片用的砷化镓单晶衬底
LED。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
包装储运图示标志
GB/T191
半导体单晶晶向测定方法
GB/T1555
计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划
GB/T2828.11:(AQL)
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T4326
半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法非接触涡流法
GB/T6616
硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6618
硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6620
硅片表面平整度测试方法
GB/T6621
硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T6624
砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T8760
硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13387
硅片参考面结晶学取向射线测试方法
GB/T13388X
硅片直径测量方法
GB/T14140
半导体材料术语
GB/T14264
半导体材料牌号表示方法
GB/T14844
直径砷化镓单晶圆形抛光片切口规范
SEMIM9.7-0200150mm()
3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
4要求
41分类
.
砷化镓衬底按导电类型分为型和型两种类型
np。
42牌号
.
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