标准解读

《GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检》是一项国家标准,专门针对半导体器件的外部检查过程进行了详细规定。该标准适用于半导体器件在生产、使用或维修过程中需要进行外观质量评估的情况。根据这一标准,外部目检主要是指通过肉眼或者借助于放大镜等简单工具对半导体器件表面状况进行观察与判断的过程。

标准中明确了目检的具体要求,包括但不限于:

  • 检查环境条件,如照明强度应达到一定水平以确保能够清晰地看到被检物体;
  • 对于不同类型的半导体产品(如二极管、晶体管等),规定了各自特定的关注点及可能存在的缺陷类型;
  • 提供了如何记录发现的问题以及后续处理建议的指导原则;
  • 强调了执行目检人员的专业技能要求,指出他们需要接受适当培训才能胜任此项工作。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2012-11-05 颁布
  • 2013-02-15 实施
©正版授权
GB/T 4937.3-2012半导体器件机械和气候试验方法第3部分:外部目检_第1页
GB/T 4937.3-2012半导体器件机械和气候试验方法第3部分:外部目检_第2页
GB/T 4937.3-2012半导体器件机械和气候试验方法第3部分:外部目检_第3页
GB/T 4937.3-2012半导体器件机械和气候试验方法第3部分:外部目检_第4页
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文档简介

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T49373—2012/IEC6074932002

.-:

半导体器件

机械和气候试验方法

第3部分外部目检

:

Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestsmethods—

Part3Externalvisualexamination

:

(IEC60749-3:2002,IDT)

2012-11-05发布2013-02-15实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T49373—2012/IEC60749-32002

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分变频振动

———12:;

第部分盐气

———13:;

第部分引线牢固性引线强度

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐射

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热

———20:;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:;

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模式

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模式

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验器件带电模式考虑中

———28:(ESD)(CDM)();

第部分门锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

第部分手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法

———37:;

GB/T49373—2012/IEC60749-32002

.:

第部分半导体器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:。

本部分是的第部分

GB/T49373。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分

IEC60749-3:2002《3:

外部目检

》。

为便于使用本部分做了下列编辑性修改

,:

用小数点代替作为小数点的逗号

a)“.”“,”;

删除国际标准的前言

b)。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人陈海蓉李丽霞崔波

:、、。

GB/T49373—2012/IEC60749-32002

.:

半导体器件

机械和气候试验方法

第3部分外部目检

:

1范围

的本部分的目的是验证半导体器件的材料设计结构标志和工艺质量是否符合适用

GB/T4937、、、

的采购文件的要求外部目检是非破坏性试验适用于所有的封装类型本试验用于鉴定检验过程监

。,。、

控批接收

、。

2试验设备

本试验使用的设备应能证实器件是否符合要求包括能够放大倍倍的光学设备和足够大的

,3~10

视场例如带照明的圆形放大镜

。:。

3程序

根据相关详细规范和第章的判据要求对器件进行检查若怀疑器件附着外来物时可用流速最

4。,

大为的清洁过滤空气抽气或吹气处理后再检查

27m/s()。

4失效判据

如果器件出现以下任一情况则判为不合格

,:

器件设计引出端标识标志内容位置和清晰度材料结构和工艺质量不符合适用的采购

a)、、(、)、、

文件要求

;

可见的腐蚀污染破损引线弯曲度大或折断密封破裂玻璃弯月形除外缺陷剥落起皮

b)、、(,,)、(、

或起泡镀层损伤或底层金属暴露涂层褪色不应视为失效除非有起皮针孔或腐蚀

)、(,、);

引线未对准或改变了原来的正常位置或引线形状不符合规定或未加规定的弯曲带状引

c),。(

线对正常引线平面有扭曲

);

引线上粘有诸如漆或其他粘合物之类的无关材料

d);

任何不符合详细规范或适用的采购文件要求缺少任何要求的特征或是存在影响器件正常使

e),,

用的明显损伤

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