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BBPLC基本配置及操作

一、术语和定义二、硬件部分三、软件部分RTU:RemoteTerminalUnit远程终端装置SCADA:SupervisoryControlandDataAcquisition监控与数据采集RCI:RemoteCommunicationInterface远程通讯接口服务器PLC:ProgrammableLogicController可编程逻辑控制器PSSM:PowerSupply/SequencerModule电源供应/定序器模块ECOM:ExpansionCommunicationsModule扩展通信模块ARM:AdvancedRISCMachine进阶精简指令集机器RAM:RandomAccessMemory随即存取器SRAM:StaticRandomAccessMemory静态随即存取器Updump:将控制器SRAM和SDRAM的内容上载到计算机一、术语和定义二、硬件部分

陕京二线、三线RTU阀室选用ControlWaveMicro系列可编程控制器。ControlWave是一种适应性强、高性能的自动化过程控制器,它不需要额外的网线就能提供完善的自动化管理方案。在ControlWave系列中,ControlWaveMicro特点是功耗低、可测性、模块化设计。ControlWaveMicro集成PLC,RTU和PAC的优点于一身的混合可编程的控制器,可以方便的配置出大、中、小型控制系统来满足不同需求。它还能与ControlWave系列其它产品组合成最优系统体系,另外,由于它灵活小巧的工业设计,ControlWaveMicro适用于几乎所有的控制处理场合和远程SCADA系统应用场合。

ControlWaveMicro主要由PSSM模块、CPU模块、ECOM模块、DI模块、DO模块,以及AI模块组成,陕京线RTU配置如图1和图2所示:2.1PSSM模块

——工作范围:+10.7V~+30V(+12V输入,当标称电压为+10.1V是关闭);+21.7V~+30.0V(+24V输入,当标称电压为+21.2V时关闭)。——输出电压:+3.3Vdc。——输出电流:10AMax.3.3Vdc。——输入电流:提供载荷3.3V.1.0A,Vin@+12V-IinMax.TBA,Vin@+24V-IinMax.TBA。——浪涌抑制:500Vdc(对地)转移到底板;32V从+Vin到-Vin(对地)的瞬态抑制。——关闭:+12V系统:Max.ON开关点=10.90V,Min.OFF开关点=10.00V;+24V系统:Max.ON开关点=22.13V,Min.OFF开关点=20.80V。——被监控信号:输入电源。——定序器开关点:+12V输入供电系统,输入电源ON=+10.90V;+24V输入供电系统,输入电源ON=+22.05V。+3.3VMax.ON开关点=+3.15V;+3.3VMin.OFF开关点=+3.00V。+1.8VMax.ON开关点=+1.72V;+1.8VMin.OFF开关点=+1.64V。——外部电池监控:输入信号:在保险丝和MOSFET后的输入电源;输入范围:0Vdc~32Vdc;分辨率:12位;精确性:±2%@+25℃(+77℉),±3%从-40~+85℃(-6.2~+185℉)。——熔断保险:3A。——电气隔离,无。2.2CPU模块ControlWaveMicro150

——处理器:SHARPLH7A40032-bit片上系统,32-bitARM9TDMIRISC内核,150MHz。——内存:8或16MB嵌入式同步读\写闪存,用于文件和历史存档内存;1MB非易失性SRAM,用于数据内存;4MBSDRAM(2xKM416S1120DT),用于程序执行;512KB闪存启动\下载器。——实时时钟。——2个RS-232和1个RS-485串行通讯口,支持波特率达115.2KB。——1个可选100/10Mbps以太网口。——供电:背板供电:3.3Vdc。2.3CPU模块ControlWaveMicro33

——处理器:SHARPLH7A40032-bit片上系统,32-bitARM9TDMIRISC内核,33MHz。——低电量休眠模式。——内存:8MB嵌入式同步读\写闪存,用于文件和历史存档内存;2MB非易失性SRAM,用于数据内存。——实时时钟。——1个RS-232和1个RS-485串行通讯口,支持波特率达115.2KB。——2个可选100/10Mbps以太网口。——供电:背板供电:3.3Vdc。2.4

ECOM模块——1个RS-232和1个RS-485串行通讯口,支持波特率达115.2KB。——1个可选的内置拨号线调制解调器。——1个可选的内置900MHz扩频无线电。——供电:背板供电:3.3Vdc。2.5

DI模块——通道:16点输入,2组,每组8个,每个通道可单独跳线配置为使用内部源或外部供电。——输入过滤:30ms。——输入配置:内部源的干接点24V输入;外部供电12V或24V输入——输入电流:5mA标称电流。——供电:背板供电:3.3Vdc。——‘0’状态电压:低于标称输入的10%。——‘1’状态电压:对于12V标称输入,高于其80%;对于24V标称输入,高于其90%。——总线:8位宽。——电气隔离:1500Vdc。——浪涌抑制:500Vdc转移到底板;对于12VDI,在信号和地之间有16V瞬态电压抑制;对于24VDI,在信号和地之间有31V瞬态电压抑制。2.6

DO模块——通道:16点输入,2组,每组8个。——输出类型:固态开源MOSFET(10~31Vdc外部供电)。——浪涌抑制:500Vdc转移到底板;对隔离地有31Vdc瞬态电压抑制信号。——供电:背板供电:3.3Vdc。——最大工作电压:31Vdc。——最大工作频率:20Hz。——最大电流池:500mA。——电气隔离:1500Vdc。——总线:8位宽。2.7

AI模块——通道:8点差分输入,2组,每组4个,每个通道可单独跳线配置。——输入配置:(外部供电)差分电压输入1~5Vdc;(外部供电)差分电压输入0~10Vdc;(外部供电)差分电流环4~20mA;(内部供源)差分电流环:4~20mA。——现场设备供电:21Vdc@200mA。——精确性:0.1%量程@+25℃(+77℉);0.2%量程@-40℃~+70℃(-40℉~+158℉)。——过量程:0.8~5.2V(对于0~5Vdc输入);3.2~20.8mA(对于4~20mA输入);-0.5~10.5V(对于0~10Vdc输入)。——共模抑制:75dB(AD628)。——普通模式抑制:90dB(ADS1243)。——共模(超限检测):在正极高于+10.6V最小值,在负极小于-10.6V最小值。——共模范围(绝对):对于0~10VAIs,从-10.5V~+0V间的任意输入;对于1~5VAIs,从-10.5V~+5V的任意输入。——电压输入阻抗:1MΩ。——电流输入阻抗:250Ω。——总线:8位宽。——通道到系统总线隔离:500Vdc。——浪涌保护:在信号与地之间有30V瞬态电压抑制。——供电:背板供电:3.3Vdc。2.8

RTU工作环境要求——环境温度:-40℃~70℃(保存温度可达85℃)。——相对湿度:15~95%非冷凝。——振动:1.0g对于10~150Hz,0.5g对于150~2000Hz。——冲击:30g(11ms持续时间),50g(11ms持续时间)。——RFI敏感性:符合以下两个标准:ENV55011Radio-frequencyemissions和ENV610000-4-3Radio-frequencysusceptibility。2.9模块LED指示灯

ControlWaveMICRO各模块都有LED指示灯,通过观察指示灯,可以对模块的运行情况进行分析,便于故障的排查和处理。其中,AI模块没有指示灯;DI或DO模块都有16个通道指示灯。对于DI模块,通道指示灯红色常亮表示有输入,不亮表示没有输入;对于DO模块,通道指示灯红色常亮表示有输出,不亮表示没有输出。其它模块指示灯介绍如下:PSSM模块组件和LED灯分配

PSSM模块LED灯列表(1)模块LED指示灯LED指示灯颜色功能PSSMIDLE红色ON=CPU在执行周期结束后有空闲的时间,正常;OFF=CPU没有空闲时间

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