大功率LED芯片材料研究进展分析

大功率LED芯片材料研究进展分析小组成员：余楠仪吕品LED简介大功率LED芯片简介大功率LED芯片（GaN）研究情况研究目标和结语什么是LED?什么是LED

这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长（光的颜色），是由形成P-N结材料决定的。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附着在一个支架上，是负极，另一端连接电源的正极，整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。LED是英文单词LightEmittingDiode的缩写，中文意思是发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。

发光二极管的基本结构球透镜环氧树脂P层有源层N层发光区(a)正面发光型微透镜P型限制层有源层波导层N型限制层(b)侧面发光型LED发展史1965年，全球第一款商用化发光二极管诞生，它是用锗材料作成的可发出红外光的LED。1968年，LED的研发取得了突破性进展，利用氮掺杂工艺使镓砷磷器件的效率达到了1流明/瓦，并且能够发出红光、橙光和黄色光。到了1971年，业界又推出了具有相同效率的磷化镓绿色芯片LED。80年代早期的重大技术突破是开发出了铝镓砷

LED，它能以每瓦10流明的发光效率发红光1994年，中村修二在氮化镓基片上研制出了第一只蓝色发光二级管从20世纪90年代中期开始，许多广告、体育和娱乐场所开始应用LED大屏幕显示。现在白光LED的发光效率已经达到130lm/W，实验室研究成果甚至可达到300lm/W注：流明即光通量的单位。发光强度为1坎德拉(cd)的点光源，在单位立体角（1球面度）内发出的光通量为“1流明”，英文缩写(lm)。大功率LED

大功率LED是指拥有大额定工作电流的发光二极管。普通LED功率一般为0.05W、工作电流为20mA，而大功率LED可以达到1W、2W、甚至数十瓦，工作电流可以是几十毫安到几百毫安不等。目前大功率白光LED的转换效率还较低，光通量较小，成本较高，因此决定了大功率白光LED短期内的应用主要是一些特殊领域的照明，中长期目标才是通用照明。制造大功率LED芯片的方法

大尺寸法。通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。但是，简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应用效果。

矽底板倒装法。首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的矽底板，并在矽底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层（超声金丝球焊点），再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与矽底板焊接在一起。

陶瓷底板倒装法。先利用LED芯片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。

蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN（氮化镓铟）芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。

AlGaInN碳化矽（SiC）背面出光法。美国Cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造AlGaInN超高亮度LED的厂家，几年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提高。由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部，采用单引线键合，相容性较好，使用方便，因而成为AlGaInNLED发展的另一主流产品。制作大功率LED材料目前面临的问题

芯片在大电流注入或升温过程中会有出现内量子效率（电子转化为光子的效率）急剧下降。内量子效率则取决于LED的内部多量子阱微观结构及晶体材料特性和质量,内量子效率的研究是目前LED发光效率研究的切实而有效的突破点。

在各种工艺条件下，材料的损伤变形、应力和缺陷的演变规律以及对器件性能的影响等缺乏深入和系统的研究，使得对大功率LED芯片设计和制造工艺中材料选择、结构设计、工艺参数控制等进行优化设计缺乏实验数据的支撑。

目前以GaN基为代表的解决大功率LED芯片上诉问题的研究情况

LED设计领域GaN基三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。研究者通过涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。结果证实：双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED

可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。

沟槽结构LED芯片，研究者研究了同合金选择及热处理工艺对p型

GaN欧姆接触的比接触电阻的影响，发现500℃退火处理可有效降低比接触电阻率。对GaN外延层的干法刻蚀进行了较为全面的工艺实验，确定了适于新型沟槽结构LED芯片制备的刻蚀工艺参数。通过标准LED芯片制备流程制得新结构的LED芯片并对其进行光学电学特性测试，发现该种结构的LED芯片较之普通结构LED芯片在光功率随注入电流增加而饱和的特性上有明显优势。

采用蓝宝石衬底上形成的周期性分布的半球形图形打破GaN材料与蓝宝石衬底之间的全反射界面，采用ITO（IndiumTinOxides铟锡金属氧化物）透明导电薄膜上形成的周期性分布和随机分布的圆形和六边形图形打破p-GaN与ITO透明导电层以及ITO透明导电层与空气之间的全反射界面，从而显著的提升

LED芯片光功率。

但是，怎样正确认识GaN基在大功率LED芯片中起到的作用？GaN基LED芯片从上世纪90年代发展至今，许多的理论和技术仍处于摸索发展中，尽管前面讲述有部分研究在LED芯片结构的优化设计中取得了一些研究成果，但GaN基大功率LED芯片仍有诸多问题亟待解决。

在LED芯片的光学建模研究上，当芯片中微结构尺寸与波长处于相同量级时，蒙特卡罗光线追踪模型就无法准确仿真该芯片的出光现象，还需建立有效的全波电磁场有限元模型，而电磁场模型中需要解决偏微分方程的收敛性及求解效率等问题。

监管有研究表明新型沟槽结构LED芯片在某些特性上较之普通结构LED芯片有所改善，但是跟计算结果仍有差距，应进一步研究该差异产生的原因，并尝试将该沟槽结构应用于超大尺寸LED芯片的制备。要真正实现大功率高亮度的LED，不能将芯片的设计和制备孤立出来进行研究，而应该对LED外延、芯片、封装和应用进行协同设计，才能更有效的提高整体LED器件的性能。研究目标

研究表明LED发展的目前的目标主要集中在两个方面：一是高功率，通过增加单个芯片的尺寸面积达到，或是组合使用大功率单个LED芯片。二是高效率，在内部量子效率无法提高的情况下，尽可能提高外量子效率，是产生的光子有效地辐射出来。所以也就是将大功率LED芯片材料的改进将是发展的主要方向。结语

半导体照明被认为是