• 现行
  • 正在执行有效
  • 2013-05-09 颁布
  • 2014-02-01 实施
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GB/T 29504-2013300 mm硅单晶_第1页
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文档简介

ICS29045

H82.

中华人民共和国国家标准

GB/T29504—2013

300mm硅单晶

300mmmonocrystallinesilicon

2013-05-09发布2014-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

300mm硅单晶

GB/T29504—2013

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100013)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

/p>

年月第一版

20136

*

书号

:155066·1-47271

版权专有侵权必究

GB/T29504—2013

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC203)。

本标准起草单位有研半导体材料股份有限公司中国有色金属工业标准计量质量研究所万向硅

:、、

峰电子股份有限公司宁波立立电子股份有限公司

、。

本标准主要起草人闫志瑞孙燕卢立延张果虎楼春兰刘培东向磊

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29504—2013

300mm硅单晶

1范围

本标准规定了直径型晶向电阻率硅单晶的技术要求

300mm、p、<100>、0.5Ω·cm~20Ω·cm、

试验方法检验规则以及标志包装运输贮存等

、、、、。

本标准适用于由直拉法制备的硅单晶主要用于制作满足集成电路用线宽及以下技

,IC0.13m

术需求的硅单晶抛光片μ

300mm。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅单晶电阻率测定方法

GB/T1551—2009

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1554

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T1558

硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T11073—2007

硅片直径测量方法

GB/T14140

半导体材料术语

GB/T14264

非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

YS/T679

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4技术要求

41直径

.

滚圆后的硅单晶直径为允许偏差其他用户要求及未滚圆硅单晶的直径和允

301mm,±0.3mm。

许偏差由供需双方商定

。

42电阻率

.

421硅单晶的电阻率和径向电阻率变化应符合表的规定

..1。

表1硅单晶电学参数

电阻率径向电阻率变化

项目导电类型掺杂元素

Ω·cm%

指标

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