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文档简介
第九章半导体异质结构异质结：两种不同的半导体单晶材料组成的结内容
异质结的能带结构
半导体超晶格缓变异质结：从一种半导体材料向另一种半导体材料的过
渡发生在几个扩散长度范围内。突变异质结：从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡
只发生于几个原子距离范围内。同形异质结：导电类型相同的两种不同的半导体单晶材
料所形成的异质结反型异质结：导电类型相反的两种不同的半导体单晶材
料所形成的异质结异质结异质结同型：n-nGe-GaAs或(n)Ge-(n)GaAs,p-pGe-GaAs或(p)Ge-(p)GaAs,例如：n-nGe-Si,n-nSi-GaAs,n-nGaAs-ZnSe,p-pSi-GaP,p-pPbS-Ge等禁带宽度较小的半导体材料写在前面反型：p-nGe-GaAs或(p)Ge-(n)GaAs,n-pGe-GaAs或(n)Ge-(p)GaAs,例如：p-nGe-Si,p-nSi-GaAs,p-nSi-ZnS,p-nGaAs-GaP,n-pGe-GaAs等（一）不考虑界面态时的能带图电子亲和能禁带宽度功函数}决定异质结的能带图真空能级Eg2W2n2EVn1ECEg1EV1EC1EF1ECx1x0x2EV2qVD2（1）突变反型异质结能带图形成突变pn异质结接触前后的能带图（2）突变反型异质结能带图形成突变np异质结接触后的能带图EVECEC1EV1EV2EC2（3）突变同型异质结能带图形成突变nn异质结接触前后的能带图（4）突变同型异质结能带图形成突变pp异质结接触前后的能带图qVD2qVD1ΔEVΔEC产生悬挂键的示意图接触前接触后（二）考虑界面态时的能带图引入界面态原因：两种半导体材料的晶格失配ECEVEFEg/32Eg/3N型P型2Eg/3Eg/3EF表面能级密度大的半导体能带图巴丁极限：具有金刚石结构的晶体的表面能级密
度在1013cm-2以上时，在表面处的费
米能级位于禁带宽度的约1/3处。N型半导体，悬挂键起受主作用，表面处的能带向上弯曲p型半导体，悬挂键起施主作用，表面处的能带向下弯曲悬挂键起施主作用时，
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