黄光生产简介

黃光區生產簡介1簡介大綱黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程光罩及光阻簡介下線刻號作業簡介黃光主機台生產簡介黃光Overlay生產簡介黃光PQC生產簡介(含ADI/SEM)黃光Polymide生產簡介黃光生產特色及注意事項Q&A※以上每項簡介課目將以:機台簡介、run貨方式、產能狀況、生產注意事項作串聯2黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程.半導體四大製程技術分別為擴散、薄膜沈積、微影製程及蝕刻.所以當晶片在完成薄膜沈積後,在進行蝕刻或離子植入前都必須經過微影製程這道步驟.

微影製程的主要功用是依照積體電路設計者的需求,將各層次的線路圖,一層一層的完整忠實的以光阻成像在晶片(Wafer/Chip)上,以作為後續製程的圖版.積體電路(IntegratedCircuit,IC)製程中所強調的次微米,如0.5μm微米(Micrometer),0.25微米,0.18微米代表的是積體電路的設計規則中最小的線路距離(通常指兩條相鄰線路中心點距離的一半(1/2pitch).距離越小,表示線路越密集,也就是所謂的積集度越高.

3黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程黃光原理晶片平台ProjectionReductionLensReticleMaskFlyeyesCondenserLens光阻LightSource黃光的技術很複雜,但基本的原理很簡單,與照相的原理很類似:首先先在晶片上塗上一層光阻(感光材料,作用如同底片)來自光源的平行光,經過光罩後,便投射在光阻上.因為光罩上有圖案(由鉻膜形成的不透光區域),而沒有鉻膜的地方，光線就會穿透玻璃到達晶片上的光阻，這就是曝光(Exposure)

曝光後被光照到光阻會產生化學變化,再來就是顯影,藉由顯影的過程,將不要的光阻去除,只留下所需的圖形

負光阻圖案鉻膜(不透光)光罩光源光阻受曝光部位,產生光化學作用在Stepper對準/曝光,將光罩上之電路圖形轉移至晶片的光阻上.已曝光之光阻會被顯影液顯影,未曝光區域留下所需之電路圖形.未曝光之光阻為光阻圖形區未曝光之光阻會被顯影液顯影,已曝光區域留下所需之電路圖形.正光阻4黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程黃光工程製版處理對準檢查重合檢查顯影後檢查現像檢查(目視)顯影後檢查現像檢查(SEM)PhotoProcessOverlaycheckADI(AfterDevelopInspection)SEMADICDMeasurement(AfterPhoto)PhotoProcessOverlayCheckADISEMCDReworkOKOKOKOKNGNGNG生產流程5光罩及光阻簡介光罩及光阻簡介6光罩簡介Mask=Reticle

光罩用途:

光罩上面有線路圖形，將光罩上之線路圖形轉移到晶片的光阻上。光罩外觀Substrates：Quartz石英(QZ)Size：GlassSurfacePellicleSurfacePatternSurface0.25“0.25“6“7光罩簡介光罩種類：

BinaryMask

HalfToneMask又稱PSM（PhaseShiftMask）目前大部分光罩都屬於BinaryMask，除了1F(51)、BS（83）、1B（90）、2B（75）、1C（55）這五枚光罩為HalfToneMask相偏移光罩（PhaseShiftMask，PSM）主要是在光罩上某些地方加上一層相移轉層（Phase-ShiftLayer），以提高曝光的明暗對比。利用相偏移光罩不需改變其曝光光源、光阻技術、即能達到增強曝光機台之解像能力或增加其曝光成像之焦深。8光罩簡介光罩名稱FA2S28D20AY79AQGDP02光罩名稱：FA2S28D20AY

工程代碼：79(Layer編號)副番：AQG製造番號：DP029光罩簡介ADIcheck時也會用到10光罩簡介MaskNamingRuleAligner-combinationcode:byte1F:6”StepperS:6”ScannerMajor-reversioncode:byte2A~Z(I,Q,Ocan’tbeused),alphabetonlyA:withTEG,B:withoutTEGFixedcharacterProductname:max14charactersReductionratio:Y:6”5X,P:6”4X,T:6”2Xbyte3~18S

A

2V56S30AP

-

51BSL-MH01EB-RENo.ofprocesslayer:byte19~2001~99,noalphabetex:51=1F,54=TG…..11光罩簡介MaskNamingRuleSA2V56S30AP-51B

S

L-MH01EB-REMinorreversioncode:byte21A~Z(I,Q,Ocan’tbeused),alphabetonlyminorpatternorlayoutchangeWaferprocessreversioncode:byte22EBshieldslitspecificationQ:N/A,S:5um,T:10um,R:15um,U:20umAligner-TEGcode:byte23Specifyexposuretoolrelatedinformationex:L,M,N,P--DUVpellicle,G,H,J,K--i-linepellicleex:G--for5XNikon,H--for2XCanon…...alphabetonlyDUVpellicle不能跟Ilinepellicle共用否則會使pellicle霧化12光罩簡介MaskNamingRuleSA2V56S30AP-51BSL-

MH

01

EB

-

REVendorcode:byte25~26alphabetonlyDP:DNP,TP:Toppan,MH:Melco,TC:ToppanChunghwa

TM

:TaiwanMaskCORP.SeriesNo.:byte27~2801~99,noalphabetMaskwriter:byte29~30EB:MEEBS,CE:ALTA,JX:JEOLRemark:byte32~36Fixedcharacter:byte24Fixedcharacter:byte3113光罩簡介機台種類PX3*/PU031PW*PU*/PX0*/PX1*/PX2*光罩倍率4x2x5x機台對光罩倍率使用限制※不同倍數的光罩不能在不同的機台種類混用光罩使用程序負責主機台TE要求使用光罩通知光罩小姐光罩小姐從共用機台取下光罩光罩小姐從stocker取下光罩將光罩移入指定機台並作登入光罩小姐記錄移動情形至系統中機台開始使用光罩run貨Run貨前機台會先作particlecheck將光罩取下作particle清除OKNG※移動光罩應注機台是否已有正在run的貨準備要用該枚光罩14光阻簡介CommonPhotoResistARCRelacsHMDS15光阻簡介HMDS1)VaporprimeResist2)Spincoating3)Softbake4)AlignmentandexposureUVLightMaskλ

λ

5)Post-exposurebake6)Develop7)Hardbake8)Developinspect16光阻簡介在黃光微影製程中,光阻是一種液態有機化合物,經過紫外光照射之後.能和顯影液起化學反應作用，而被去除不必要的部份或是去除想要去除的部份，光阻可分二種,一種為正光阻,一種為負光阻.正光阻在曝光後被光照射的部份可以被顯影液給去除，而其他的光阻將不會被顯液給去除。而負光阻則相反,是被光照射的部份不會被顯影液給去除，而其餘不被光所照射的區域將會被顯影液所移除。簡單說正光阻為分解反應(見光死),負光阻為聚合反應將光罩定義的線路圖形轉印到wafer上.保護底層的材質在後續的製程中不被破壞(如IMP,ETCH)使用光阻的目的:17光阻簡介負光阻蝕刻及去光阻顯影正光阻曝光光源光阻底材曝光光源照射區域曝光薄膜光阻種類光罩1218光阻簡介-ARC抗反射層先進微影解像技術-光阻技術1:抗反射層抗反射層

(Anti-ReflectiveCoating，ARC)功能:

抗反射層可有效減少光學近接效應修正技術(OpticalProximityCorrection，OPC)，減少因光阻駐波效應而使光阻圖形變差，如此可增加解像能力。類別:表層抗反射層(TopARC)---TARC

底層抗反射層(BottomARC)---BARC1.有機PHOTO(PJ2*)2.無機T/F(DR*)0.15um:1F/TG/BL/2B0.18/0.165um:2B/1S19光阻簡介-ARC抗反射層抗反射層(Anti-ReflectiveCoating，ARC)TARCOTC(OnTopCoating)BottomARC(BARC)光阻Resist表層抗反射層TARC底層抗反射層BARC光阻Resist晶片wafer晶片wafer表層抗反射層底層抗反射層1F/TG/BS/1B/BL/2B/1S/1C/1M0.15um:BS/1B/1S/1C0.18/0.165um:TG/BS/1B/BL/1C表層抗反射層(TARC):抗反射層塗於光阻之上,晶圓之下,主要是降低多層反射及光阻之駐波效應,不過其效果不如底層抗反射層(TARC)佳。例:OTC(AZ-50,TSP5A)底層抗反射層(BARC):抗反射層塗於光阻之下,晶圓之上,可以強烈吸收微影照射之光強度,降低反射,即降低光阻側壁輪廓之擺動比主阻佳。例:BARC:DUV42N920光阻簡介-ARC抗反射層TechLayerTCTool0.18um/0.165umTG/BS/1B/BL/1C0.25hrPJ202/PJ203/PJ2040.15umBS/1B/1S/1C0.25hrPJ202/PJ203/PJ204黃光有上Barc的layer及使用機台及TC※上Barc應注意各道Layer的wip及機台狀況※所有BARCQ-time均為72小時※工程碼:P*8B121光阻簡介-RELACS原理:主要在預先形成的ResistHolePattern內壁形成新的樹脂層並將其HoleSize縮到更小之製程。做法如下:事先在光阻所形成之0.22μmHolePatten上，塗上水溶性的有機材料，經過熱處理，熱硬化，再將未硬化的部份用水洗去，之後會在Hole內壁成新的樹脂層。此製程是根據KrF

Excimer

曝光技術為基礎，就有可能得到縮小0.10μm

的HolePattern。再以這個為光罩，經過DryEtch就能在下層膜成形0.10μm的Hole，如此就確立0.20μm的半導體量產製程。先進微影解像技術--光阻技術2:RELACS功能:RELACS(ResolutionEnhancementLithographyAssistedby

ChemicalShrink)是由三菱電機與AZ公司合作開發的先端鍍膜法。主要目的是對半導體元件尺寸需不斷的縮小所開發出來0.1μm層

級HolePatten縮小製程。22光阻簡介-RELACSTheProcessFlowofRELACSAZR200coatingPhotoresistCross-linkedlayerH+CoatingHolepatternMixingbakeDeveloping&rinse23光阻簡介-RELACSTechLayerTCTool0.18um/0.165um1B/2B0.59hrPJ101/PJ102/PJ1030.15um1B/2B0.59hrPJ101/PJ102/PJ103黃光有Relacs的layer及使用機台及TC

NSCNSJNSTN5AS9YS9DS9AS9BPH8R1(1B)Q-TIME10hrs10hrs10hrs24hrs24hrs24hrs24hrs24hrsPJ8R1(2B)Q-TIME48hrs48hrs48hrs48hrs24hrs48hrs48hrs48hrs

S9CS9ES9FS9GS9HS9IS9JS9LPH8R1(1B)Q-TIME24hrs24hrs24hrs24hrs24hrs24hrs24hrs24hrsPJ8R1(2B)Q-TIME48hrs48hrs48hrs48hrs24hrs48hrs48hrs24hrs各產品1B/2Brelacs

QTime時間表工程碼:P*8R124光阻簡介-HMDS塗底(Priming)HMDS.塗底主要的目的是要提昇光阻與晶片表面間的附著力。.晶片表面經過去水烘烤的步驟去除水氣後,加上一層底材以改善光阻與晶片的附著力。通常使用的底材為HMDS(Hexamethyldisilazane),HMDS有如界面活性劑,使得晶片與晶圓附著力增加。.氣化塗底(VaporPriming):為求HMDS塗底效率好,以往將「去水烘烤」及「HMDS塗底」的步驟結合在一起,經過去水烘考的晶片不需從容器拿出來,而直接進行HMDS塗底,如此HMDS塗底效率會更好。但目前「去水烘烤」溫度較高,且一般的瓶頸時間並不在這個步驟上,故大都將「去水烘烤」及「HMDS塗底」的步驟分開.HMDS有兩個作用:(1)脫水--HMDS與水發生反應產生氨氣,去除因與晶圓表面形成化學鍵而無法烘除的水份;(2)增強晶圓與光阻間附著力--HMDS的矽原子與晶片表面產生化學鍵,而使有機質的官能基裸露在外,可增進晶圓與光阻間的界面活性劑。25下線刻號簡介下線刻號簡介26下線刻號簡介TE由主任處得當日下線的工單每日領取空白的barewafer，並清點數量是否與工單的數量符合跳站後送Stocker拆卸barewafer包裝作venderbox及晶舟轉換插上FA卡並放至FA卡讀寫頭刷條碼條碼編號包括物料編號及廠商編號條碼編號顯示在OPI上形成keyno送入PT101刻號刻號注意事項!27黃光主機台生產簡介黃光主機台生產簡介28黃光主機台生產簡介黃光工程製版處理對準檢查重合檢查顯影後檢查現像檢查(目視)顯影後檢查現像檢查(SEM)PhotoProcessOverlaycheckADI(AfterDevelopInspection)SEMADICDMeasurement(AfterPhoto)PhotoProcessOverlayCheckADISEMCDReworkOKOKOKOKNGNGNG生產流程工程碼:P*811/P*81A29黃光主機台生產簡介黃光主機台run貨流程小姐依OPIlotpriority選貨Check機台有無光罩Checkby前層Feedback有無過期或禁run請光罩小姐移光罩解FBSlockPilotrun主機台releaserunOverlaycheckADISEMReworkOKNGOKNG30黃光主機台生產簡介(一)光阻覆蓋(三)顯影StepperTrackStepperTrackTrack31黃光主機台生產簡介黃光主機台track及stepper處理程序塗底HMDS硬烘烤(HardBake)光阻塗佈ResistCoating顯影Development曝前烤(Pre-Exposurebake)曝光後烘烤(PostExposureBake)PEB對準(Alignment)及曝光(Exposure)TrackStepperScanner去水烘烤DehydrationBakeLHPADHCOTLHPLHPDEVLHPIN一整台機台(PX/PU/PW):還有區分為Track及Stepper主機台TrackStepper/ScannerPU***PD***PA***PX0***PE***PK***PX1***PF***PV***PW***PN***PS***OUT32黃光主機台生產簡介Stepper光學成像系統架構33黃光主機台生產簡介廠商型號光源波長使用光罩大約產能PU*NikonI11Di-line:365nm5X(PU0314x)約23~26L/dayPW*CannonFPA3000IWi-line:365nm2X約40L/dayPX0*NikonEX12BDUV:248nm5X約25~28L/dayPX1*NikonEX14C:PX101/102EX14D:PX103~105DUV:248nm5X約30L/dayPX2*CannonFPA3000EX6DUV:248nm5X約45~50L/dayPX3*PX301(Cannon)PX302/303(Nikon)FPA5000EX4:PX301S206D:PX302/PX303DUV:248nm4X約55~60L/day黃光主機台產能概況■黃光目前主機台都是以Semi-manual方式run貨(小姐放貨、小姐收貨)■PU031每日50L,PU*run2M每日20L,PX006每日20L,PX102S9Y1S每日44L■DUV光源為KrF34黃光Overlay生產簡介黃光Overlay生產簡介35黃光Overlay生產簡介黃光工程製版處理對準檢查重合檢查顯影後檢查現像檢查(目視)顯影後檢查現像檢查(SEM)PhotoProcessOverlaycheckADI(AfterDevelopInspection)SEMADICDMeasurement(AfterPhoto)PhotoProcessOverlayCheckADISEMCDReworkOKOKOKOKNGNGNG生產流程工程碼:P*KK136黃光Overlay生產簡介

FBS回饋系統

:根據已完成的lot之檢查結果,回傳給前站,作為程式參數的調整,使下一個Lot更好

FFS前授系統

:根據已完成的lot之檢查結果,前傳給未來的站,作為程式參數的調整,或機台的選擇,使這一個Lot更好SiN反射率Photo工程QXCHKQACHKQWCHKEtch工程FFSOVLFBSCD-FBS手動(人員)回饋Defocus,刮傷,PoorCoating,顯影不良,圖形異常,用錯光罩,對準不良,CDNG….FFSFBS&FFSE8DB1P8K31C1KH1P1811CDFBS:5lot(7天內)OverlayFBS:3lot(5天內)37黃光Overlay生產簡介Feedback目的:重合檢查及線寬量測(CDSEM)結果由FA電腦(Q/PAS)計算後,將最適補正值Feedback給Stepper的FA系統,稱之為Overlay-FBS及CD-FBS(FeedbackSystem).OverlayFBS的運作,可改善並維持重合的精確度.CDFBS的運作,可改善並維持CD的精確度補正(償)值C/D(PD,N,PE)Stepper(PA,PS,PK)M/CR/CLCPU黃光工程寫真製版處理FA終端機△x1+…+△xnn-FA控制電腦MSECSECSHost量測結果KLA(QX)OverlaycheckokKLAUT重合對準檢查△x1,…,△xnSEM(QW)CDcheckok資訊情報流向Lot產品流向Overlay,曝光量補正值38黃光Overlay生產簡介Overlay重合對準檢查概念010201030203010201030203010201030203切割道上之overlaymark02層與

01層重合OK03層與

01層重合OK03層與

02層重合OK02層與

01層重合NG03層與

01層重合NG03層與

02層重合OK02層與

01層重合OK03層與

01層重合NG03層與

02層重合NGLayer1Layer3Layer2Contact上視圖39黃光Overlay生產簡介廠牌:KLA-Tencor一廠已將5100/5200升級為5100XP/5200XP※5200/5300performance較佳QXhighwip

注意事項40黃光PQC生產簡介黃光PQC生產簡介41黃光PQC生產簡介黃光工程製版處理對準檢查重合檢查顯影後檢查現像檢查(目視)顯影後檢查現像檢查(SEM)PhotoProcessOverlaycheckADI(AfterDevelopInspection)SEMADICDMeasurement(AfterPhoto)PhotoProcessOverlayCheckADISEMCDReworkOKOKOKOKNGNGNG生產流程工程碼:P*K1*(ADI)/P*K3*(SEM)42黃光PQC生產簡介QXrun完小姐手動放貨，手動選程式Run貨手動跳站至下一站SEM是否有異常製程判定PHOTOPQCrun貨流程ADIrun完小姐手動放貨，手動選程式Run貨FA跳站至下一站SEM是否有異常製程判定OKNGNGOK43黃光PQC生產簡介目視檢查Stage檢查QA*ADI檢查機台QA001/QA004/QA005/QA006/QA007/QA009/QA010/QA012黃光的QA機台:※QA001具有翻晶背的功能44黃光PQC生產簡介N5*NS*S9*程式對照表層次工程碼代號ADI程式層次工程碼代號ADI程式1FP1K115111BPHK11，39012FP1K125831B(2)PHK127831IP2K11853BLPIK119112IP3K117232BPJK11，27513IP4K117331SPLK117614IP4K1A6432SPLK129211DP5K11633CPPNK115332DP6K116431CPSK11551TGP8K115411MPVK115612NPFK117931TPWK116112PPGK116732MPXK11621BSPHK1A831

■工程碼未註明在上，請用程式1Run貨■程式1:目視全檢，stage看３片■程式3:目視3抽1，stage看３片■程式030:目視3抽1，stage全檢■程式031:目視及stage下全檢45黃光PQC生產簡介1.顯微鏡目檢:用顯微鏡以目檢的方式確定光罩層次之微影製程是否有錯誤或缺陷。2.檢查程序:(1)光罩是否正確。(2)光罩圖形是否有髒污、彩紋、漂移等現象。(3)圖形定義是否正常，有無圓角、瞎窗、線條模糊等現象。(4)檢查兩個以上的完整曝光區，是否有重覆性缺陷。如有以上的缺陷需預先訂定規格是否重工(Rework)。OverlayresultNGDefocusOverlayresultNormal顯影後檢查(AfterDevelopInspection，ADI)顯微鏡目檢46黃光PQC生產簡介顯影NGScratchPIXpatterncrackWEE邊界底層異常光阻洗邊顯影後檢查(AfterDevelopInspection，ADI)顯微鏡目檢47黃光PQC生產簡介1.線寬檢查:針對某些特殊設計之切割圖形或特定位置之電路圖形進行線寬量測及不同曝光區或相同曝光區不同的位置進行量測，以達成線寬量測之目的。2.線寬控制能力:以量測資料算出不同位置線寬所得三個標準差來定容忍範圍。利用統計學上的方法，可分析出之線寬控制狀態，必要時可採取即時改善動作。顯影後檢查(AfterDevelopInspection，ADI)--線寬檢查MarginCheck??48黃光PQC生產簡介機台廠商型號QW003Hitachi8820QW005Hitachi8820QW006Hitachi8820QW007Hitachi8840QW009Hitachi8840QW010Hitachi8840SEMrun貨模式為semi-manual:小姐放貨，小姐run貨，小姐收貨49黃光Polymide生產簡介黃光Polymide生產簡介50黃光Polymide生產簡介PolyimideProcessFlowProcessCodeProcessNameMachineNo.

P08P1

CoatingProcess

PI

P0811

Exposure

PS

P08Q1

Develop

PL

P0KQ1

ADI

QA51黃光Polymide生產簡介EquipmentConfigurationMK7-Etype(Track)CanonFPA-3000IW2Xmask(Stepper)Exposure

CoatingWaferinWaitingtime(40min)5片以下1hrQ-time4hr5片以下等15minQ-time4hrDevelopmentMK7-Etype(Track)PI*PS*PL*P08P1P0811P08Q1膜厚:9um/18um52黃光Polymide生產簡介PI601PI602PI603PS603PS601PL603PL602PL601Polymide機台run貨配對組合配對組合配對組合PW005支援PSPIPSPL9um18umTC0.77hr/L0.7hr/L0.9hr/Lot1.13hr/LotPolymiderun貨時間Polymide因膜厚的不同影響整個run貨流程53黃光Polymide生產簡介106液(剝離劑)30minReworkIPA(100%)20minDIWater10minIPA(100%)10min旋乾機10minAshing(EJ)Scrubber(PH)WZ601Curing(EF)350CPolymideReworkFlow54黃光生產特色及注意事項黃光生產特色及注意事項55黃光生產特色及注意事項1.黃光run貨分類:TypeUseFlagFeedbackBy前層機台FeedBackSGSLayer1VBarc/Relacs/PI/PL2VV2F/IMP/2N/2P/1B-2/2S/CP(不含S9*)3VV1S/1C/1M/1T/2M/CP(S9*)4VVV1F/TG/BS/1B(不含NS*)/BL/2B2.Pilotrun:(雷同擴散testrun)黃光有feedback過期限制的因素，如過期需pilotrun，pilotrunok才可下貨。禁run後pilotrun3.光罩共用因素:會影響機台配置56黃光生產特色及注意事項4.黃光SGS(StepperGroupingSystem)在CriticalLayer因為考慮overlay的精確性及機台機差的因素必需採用SGS的機制才能確保產品品質，亦即在SGSLayer從頭到尾必需採用同一台機台生產，對製造來說限制比較多晶片平台ProjectionReductionLensReticleMaskFlyeyesCondenserLens光阻LightSource每一台機台Lenscondition不同LensmatchingNGPHOTOSGSLayer:第一段第二段S9*1F~1BBL~2BN5*,NS*1F~BSBL~2BSGSRatio:在可用的SGS機台中，決定每台要投多少比重的lot，目前在1F/BL有採用SGSGroupingChange:將在SGS區間的lot，從原本的SGS機台轉到其它SGS機台(目前1F/TG/BL可以轉SGS)SGSloadingbalance控制很重要，會影響到產品的cycletime57黃光生產特色及注意事項5.Rework黃光在成像的過程中，因機台或製程或人為的因素造成成像NG時，經由檢測站別發現，可再重新再作一次。然而必需事先經過一些程序才可重新來過，這些步驟的集合稱為reworkflowPhotoProcessOverlayCheckADISEMCDReworkOKOKOKOKNGNGNGLot在rework時會分成子批(0Y)/母批(00)，子批去進行reworkflow的流程，母批則在形成rework的站別hold住(RWHL)等子批reworkok並merge之後再往下進行主flow流程ReworkFlow主要是去除光阻為主，通常以Ash/wet/photo為主要主成站別，每一layerreworkflow由基準情報定義58Q&AQ&A59線寬表示圖示PitchAPitchBPitchDPitchC積體電路製程積集度(能力)Pitch指重覆出現之圖案其固定位置(中心點)之間距，而不同之pitch大小與黃光的成像品質有絶對關係。60黃光主機台生產簡介前層１前層２1FTG1FBSTG1BBSBLTG1B2BBS1B1S2BTGCP1S1CBL1B1M1C1M(0Y)1T1M2M1T黃光run貨需對前層機台PX102要runS9Y1SPX203PX204TG2B對前層(的機台)1S※對前層的原因是為了控制機台對機台之間overlay疊對重合的精準度黃光對前層的layer黃光的SGSlayerN5*NS*S9*代碼區間代碼區間代碼區間X21F~BST21F~BSS21F~1BX3BL~2BT3BL~2BS3BL~2B黃光FBS過期的定義:Noncritical10天，critical5天過期，FBS過期需pilotrun61黃光BARC及RELACSQTime區間BARC主站別OverlayADIRelacsBARCQtime區間RELACSQtime區間QTIME:72小時QTIME:by不同產品及layer不同時間62使用負光阻Layer列表S9Y(0.15)N5*,NS*1FN850NEK102A4TS1ITSMR-in057TSMR-in0572ITSMR-in0573ITSMR-in057PolymidePL3708PL370863駐波效應.駐波效應--光阻局部有輕微的曝光過度或曝光不足的現象，其產生的原因是在曝光時，光波在不同厚度的光阻會有不同的干涉效應產生，在入射光與反射光之處產生建設性干涉與破壞性干涉之故。駐波效應使得光阻曝光強度不均勻，使得光阻線寬經顯影之後變成鋸齒狀，不利後續製程。StandingWavesonResistProfiles64PHOTOOVELAY補值1