标准解读
GB/T 21039.1-2007 是一项中国国家标准，专注于半导体器件中的分立器件领域，特别是针对微波应用的二极管、晶体管以及微波场效应晶体管。这一标准的第4-1部分，具体规定了微波场效应晶体管（MESFETs、HEMTs等）的空白详细规范，旨在为这些器件的设计、生产、测试及质量控制提供统一的技术要求和方法。
标准内容概览：
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范围：明确了本部分标准适用的微波场效应晶体管类型，包括但不限于金属半导体场效应晶体管（MESFET）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等，用于微波频率范围内的信号放大或开关功能。
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规范性引用文件：列出了执行该标准时需要参考的其他国家标准或国际标准文档，这些文档提供了基础定义、测试方法等必要信息。
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术语和定义：对标准中使用的专业术语给出清晰定义，确保读者对关键概念有统一理解。
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分类与命名：根据器件的结构、材料、工作频率等特性进行分类，并规定了命名规则，便于识别和区分不同型号的微波场效应晶体管。
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要求：详细阐述了微波场效应晶体管在电气性能（如最大输出功率、噪声系数、增益、输入/输出阻抗匹配等）、机械尺寸、工作环境条件（如温度、湿度）等方面的具体要求。
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测试方法：规定了如何对器件进行测试以验证其是否满足上述要求，包括测试环境、测试设备、测试程序等。
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标志、包装、运输和贮存：指导制造商如何正确地标记产品、选择合适的包装材料与方式，以及在运输和储存过程中的注意事项，以保护器件免受损害。
重要性：
该标准的实施有助于确保微波场效应晶体管产品的互换性、可靠性和性能一致性，促进国内外贸易，同时也为用户选择和应用这些器件提供了科学依据。它不仅是半导体器件制造商遵循的技术准则，也是质量监督、检验机构进行产品认证的重要参考。
如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2007-06-29 颁布
- 2007-11-01 实施
文档简介
ICS31.080.30L41中华人民共和国国家标准GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1:2000半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范Semiconductordevices-Discretedeyices-Part4-1：Microwavediodesandtransistors--Microwavefieldeffecttransistors-Blankdetailspecification（IEC60747-4-1:2000,IDT)2007-06-29发布2007-11-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会
GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1:2000前本部分是《半导体器件分立器件》系列国家标准之一。下面列出本系列已有的和正在制定的国家标准：-GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》;GGB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》：GB/T17573-1998《半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则》；GB/T4023—1997《半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管》：（B/T6571—1995《半导体器件分立器件第3部分：信号(包括开关)和调整二极管》：-GB/T20516—2006《半导体器件分立器件第4部分：微波器件》；GB/T21039.1—2007《半导体器件分立器件第4-1部分.微波二极管和晶体管微波场效应品体管空白详细规范》；-GB/T15291—1994《半导体器件第6部分：品闸管》;-GB/T4587-1994《半导体器件→分立器件和集成电路第7部分：双极型品体管》GB/T4586—1994《半导体器件分立器件第8部分：场效应品体管》：《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极型品体管》。本部分等同采用IEC60747-4-1:2000《半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和品体管微波场效应品体管空白详细规范》英文版)。为了便于使用，本部分作了如下编辑性修改：a）用小数点"."代替作为小数点的迎号"."：删除国际标准的前言；第7章订货资料“....3.7规定的质量评定类别·.."和".....3.6规定的筛选顺序·..“原文中章条号编辑性错误,应为"...3.8规定的质量评定类别·..“和".....3.7规定的筛洗顺序·...."：第第8章试验条件和检验要求"…….引用或重新规定GB/T12560—1999中3.8的数伯。”原文中章条号编辑性错误,应为"……….引用或重新规定GB/T12560—1999中3.7的数值。"；（3分组检验要求极限中"》无损坏".原文编辑性错误;应为"无损坏"；e经比较本部分C8分组的引用标准IEC60747-8-1附录1在内容上与本部分附录A一致,因此本部分中C8分组的引用标准改为本部分附录A。本部分中引用的国家标准对应等同采用的IEC标准是：国家标准编号IEC标准编号GB/T4589.1-2006TEC60747-10(1991GB/T20516-2006IEC60747-4（2001GB/T12560-1999TEC60747-11（1985)本部分中引用的国家标准及试验方法号相对应等同采用的IEC标准中的试验方法是：国家标准编号及方法号IEC标准试验方法号GB/T4586-19944.2T071GB/T4586-19944.5T-O74T-072GB/T4587-19954.1.13.6T-044
GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1：2000本部分附录A是规范性附录本部分由中华人民共和国信息产业部提出。本部分由全国半导体分立器件标准化分技术委员会归口本部分由中国电子技术标准化研究所本部分起草人：罗发明、刘春勋。
GB/T21039.1一2007/IEC60747-4-1:2000半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范引言IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序,以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列国家标准一起使用GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范(IEC60747-10:1991.IDT)GB/T12560-1999半导体器件分立器件分规范(idtIEC60747-11:1996)要求的资料本页及下页方括号内的数字与下列各项要求的资料相对应,这些资料应填入相应栏中。详细规范的识别口1」授权发布详细规范的国家标准化机构名称，C2详细规范的IECQ编号。总规范和分规范的编号及版本号。【4详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何资料器件的识别L5器件的类型典型结构和应用资料。如果一种器件有几种应用,则应在详细规范中说明。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足。如果器件是静电敏感型或含有危险材料，如氧化皱,应在详细规范中给出注意事项。口外形图和（或）引用有关的外形标准C8质量评定类别。L9能能在器件型号之间比较的最重要特性的参考数据【在本规范中.方括号里给出的文字是用于指导详细规范的编写者，不应纳入详细规范中。「在本规范中,×"表示应在详细规范中规定特性或额定值的值。【负责发布规范的国家代表机构(NAI)或团体的名称(地IECQ详细规范编号、版本号和（或）日期址）QC750115评定电子元器件质量的依据：总规范：GB/T4589.1-200
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