标准解读

GB/T 17473.3-1998 是一项中国国家标准，专注于厚膜微电子技术领域中使用的贵金属浆料的测试方法，特别是对方阻（也称方形电阻）的测定进行了规定。该标准旨在为行业内贵金属浆料的质量控制和性能评估提供统一的测试流程与评价依据。

标准内容概览

  1. 范围：标准明确了其适用对象为厚膜微电子技术中使用的各类贵金属浆料，如金、银、铂等材料的浆料。重点在于规定了这些浆料在印刷、烧结后形成的导电膜的方阻测量方法。

  2. 术语和定义：对方阻及相关的专业术语进行明确定义，确保测试过程中的概念清晰无误。

  3. 原理：简述了方阻测定的基本物理原理，即通过测量导体的电阻值并结合其几何尺寸（通常是面积和长度）来计算电阻率的一种方法。这对于评估导电膜的导电性能至关重要。

  4. 试验条件：详细规定了进行方阻测试时所需的环境条件，如温度、湿度等，以及试样制备的具体要求，包括浆料的印刷方式、烧结条件等，以保证测试结果的可重复性和准确性。

  5. 试验设备与仪器：列举了实施方阻测试所需的各种设备和仪器，如四探针测试仪、精密电阻计等，并对这些设备的精度和校准要求做出了说明。

  6. 试验步骤：详细描述了从试样制备到方阻测量的全过程，包括但不限于试样的裁剪、清洁、接触探针的放置、电阻的测量以及数据处理方法。

  7. 结果计算与表达：提供了方阻计算公式，并对方阻值的表示方式、单位及精度要求进行了规范，确保测试结果的标准化表达。

  8. 试验报告：规定了试验报告应包含的信息内容，如样品信息、测试条件、所用设备、测试结果及任何偏离标准操作程序的说明，以确保测试的透明度和可追溯性。

实施意义

该标准的实施有助于提升厚膜微电子行业中贵金属浆料质量的一致性和可靠性，为制造商、用户及第三方检测机构提供了统一的测试基准，促进技术交流与产品互认，同时也有助于推动该领域的技术创新与发展。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 17473.3-2008
  • 1998-08-19 颁布
  • 1999-03-01 实施
©正版授权
GB/T 17473.3-1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定_第1页
GB/T 17473.3-1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定_第2页
GB/T 17473.3-1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定_第3页
GB/T 17473.3-1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定_第4页
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文档简介

!CS77.040.01H21中华人民共和国国家标准GB/T17473.3-1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定Testmethodsofpreciousmetalpastesusedforthickfilmnmicroelectronicseterminationoffsheetresistance1998-08-19发布1999-03-01实施国家质量技术监督局发布

中华人民共和国园家标准厚膜微电子技术用贵金属浆料试方法方阻测定GB/T17473.3-1998中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：10X45电话：63787337、637874471999年3月第一版2005年1月电子版制作书号：155066·115491版权专有侵权必究举报电话：（010）68533533

GB/T17473.3-1998前方阻是贵金属浆料的一个重娶参数，也是浆料在产品生产、科研和使用中质世控制的一个重要指标。目前我国尚未制定出浆料方阻的测试方法标准，也没有查阅到有关该测试方法的国际标准或国外先进标准。本标准主要参照有关的技术资料,结合对浆料的方阻测最实际情况而制定的。本标准的附录A是标准的附录。本标准由中国有色金属工业总公司提出。标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。本标准由昆明贵金属研究所负责起草。本标准主要起草人：陈一、金勿毁。

中华人民共和国国家标准厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定GB/T17473.3-1998Testmethodsofpreciousmetalpastesusedforthickfilmmicroelectronics-Determinationofsheetresistance1范围本标准规定了贵金属浆料方阻的测试方法。本标准适用于贵金属烧结型浆料方阻的测定。非贵金属浆料亦可参照使用2引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时.所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T2421—1989电工电子产品基本环境试验规程总则GB/T8170—1987数值修约规则3原理将浆料用丝网印刷在陶瓷基片上，经烧成后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下，其电阻与膜层带的长度成正比。通过测量规定膜层长度下的电阻，可计算出方阻，4材料4.1试样基片为Al.O），含量不少于95%的陶瓷基片，其表面粗糙度范围为0.5～1.5m(在测量距离为10mm的条件下测量)。5仪器与设备5.1数字式电阻/电压多用表，范围为100g0～100M0,分牌率为6→位有效数字，可四线量测。5.2超高值绝缘电阻测量仪：范围为1×10°～1×10"0,精度为±2%。5.3光切显微测厚仪:最程为0～5mm,精度为0.001mm.5.4厚膜印刷机。5.5红外干燥箱:温度范围为室温～300C，控温精度为士1C。5.6S隧道烧结炉：温度范围为室温～1000℃，控温精度为士2

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