标准解读
《GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法》相比于《GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法》,主要在以下几个方面进行了修订和更新:
-
技术内容的更新:2009版标准融入了近年来在半导体单晶晶向测定技术领域的新成果和进步,包括更精确的测量技术和分析方法,以适应半导体材料科学的快速发展。
-
测试方法的完善:新标准详细规定了更多种晶向测定的技术手段,可能包括X射线衍射、电子背散射衍射(EBSD)等现代分析技术,以及相应的操作流程和精度要求,相比1997版更为详尽和先进。
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精度与误差要求的调整:为了提高测试结果的准确性和可比性,2009版标准对测量误差的允许范围进行了重新评估和设定,确保测试结果更加可靠,满足高性能半导体器件制造的高精度要求。
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术语和定义的规范:根据国际标准化组织和其他相关标准的最新进展,对一些专业术语和定义进行了修订和增补,以保持与国际标准的一致性,便于国际交流和技术合作。
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样品制备及测试条件的明确:新标准对样品的制备方法、测试环境条件(如温度、湿度)提出了更具体的要求,以减少外界因素对测试结果的影响,提升测试的重复性和稳定性。
-
数据处理与报告格式:2009版标准对测试数据的处理方法和测试报告的格式给出了更详细的指导,要求包含必要的信息项,便于数据的记录、追溯和比较。
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文档简介
犐犆犛29.045
犎80
中华人民共和国国家标准
犌犅/犜1555—2009
代替GB/T1555—1997
半导体单晶晶向测定方法
犜犲狊狋犻狀犵犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉犱犲狋犲狉犿犻狀犻狀犵狋犺犲狅狉犻犲狀狋犪狋犻狅狀狅犳
犪狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾
20091030发布20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
书
犌犅/犜1555—2009
前言
本标准代替GB/T1555—1997《半导体单晶晶向测定方法》。
本标准与GB/T1555—1997相比,主要有如下变化:
———增加了“术语”章;
———增加了“干扰因素”章;
———将原标准定向推荐腐蚀工艺中“硅的腐蚀时间5min”改为“硅的腐蚀时间3min~5min”。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:杨旭、何兰英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB1555—1979、GB1556—1979、GB5254—1985、GB5255—1985、GB8759—1988;
———GB/T1555—1997。
Ⅰ
书
犌犅/犜1555—2009
半导体单晶晶向测定方法
1范围
本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。
本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T2481.1固结磨具用磨料粒度组成的检测和标记第1部分:粗磨粒F4~F220
GB/T2481.2固结磨具用磨料粒度组成的检测和标记第2部分:微粉F230~F1200
GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264规定的术语和定义适用于本标准。
方法1犡射线衍射法定向法
4方法提要
4.1以三维周期性晶体结构排列的单晶的原子,其晶体可以看作原子排列于空间垂直距离为犱的一
系列平行平面所形成,当一束平行的单色X射线射入该平面上,且X射线照在相邻平面之间的光程差
为其波长的整数倍即狀倍时,就会产生衍射(反射)。利用计数器探测衍射线,根据其出现的位置即可确
定单晶的晶向,如图1所示。当入射光束与反射平面之间夹角θ、X射线波长λ、晶面间距犱及衍射级数
狀同时满足下面布喇格定律取值时,X射线衍射光束强度将达到最大值;
狀λ=2犱sinθ…………(1)
对于立方晶胞结构:
犱=犪/(犺2+犽2+犾2)1/2…………(2)
sinθ=狀λ(犺2+犽2+犾2)1/2/2犪…………(3)
式中:
犪———晶格常数;
犺、犽、犾———反射平面的密勒指数。
对于硅、锗等Ⅳ族半导体、砷化镓及其他ⅢⅤ族半导体,通常可观察到反射一般遵循以下规则:犺、犽
和犾必须具有一致的奇偶性,并且当其全为偶数时,犺+犽+犾一定能被4整除。表1列出了硅、锗及砷化
镓单晶低指数反射面对于铜靶衍射的θ角取值。
4.2
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