GB/T 1555-2023半导体单晶晶向测定方法

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T1555—2023

代替GB/T1555—2009

半导体单晶晶向测定方法

Testmethodsfordeterminingtheorientationofasemiconductivesinglecrystal

2023-08-06发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T1555—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半导体单晶晶向测定方法与相比除结构调

GB/T1555—2009《》,GB/T1555—2009,

整和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

更改了射线衍射定向法的适用范围见第章年版的第章

a)X(1,20091);

增加了试验条件见第章

b)(4);

更改了射线衍射法定向法的原理见年版的第章

c)X(5.1,20094);

增加了样品的要求见和

d)(5.46.4);

更改了试验数据处理见年版的第章

e)(5.6,200914);

更改了射线衍射法定向法的精密度见年版的第章

f)X(5.7,200915);

更改了光图定向法的干扰因素见年版的

g)(6.2.1,200912.1);

更改了研磨工序中使用的研磨材料见年版的

h)(6.4.1,200911.1);

更改了硅单晶材料的腐蚀温度范围见年版的

i)(6.4.2,200911.2);

增加了半导体晶体部分晶面布拉格角见附录

j)(A)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会和全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所有色金属技术经济研究院有限责任公

:、

司浙江金瑞泓科技股份有限公司有研国晶辉新材料有限公司浙江海纳半导体股份有限公司哈尔

、、、、

滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司云南驰宏国际锗业有限公司北京通美晶体技术股份有

、、

限公司浙江旭盛电子有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所丹东新东方晶体仪器有限公司

、、、、

国标北京检验认证有限公司新美光苏州半导体科技有限公司

()、()。

本文件主要起草人许蓉刘立娜李素青庞越马春喜张海英林泉尚鹏麻皓月潘金平

:、、、、、、、、、、

廖吉伟崔丁方任殿胜王元立陈跃骅孙聂枫赵松彬王书明李晓岚史艳磊赵丽丽夏秋良

、、、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为和

———1979GB1555—1979GB1556—1979;

年第一次修订为和

———1985GB5254—1985GB5255—1985;

年第二次修订时合并为

———1988GB8759—1988;

年第三次修订为年第四次修订

———1997GB/T1555—1997;2009;

本次为第五次修订

———。

Ⅰ

GB/T1555—2023

半导体单晶晶向测定方法

1范围

本文件描述了射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法

X。

本文件适用于半导体单晶晶向的测定射线衍射定向法适用于测定硅锗砷化镓碳化硅氧化

。X、、、、

镓氮化镓锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向光图定向法适

、、;

用于测定硅锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向

、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

固结磨具用磨料粒度组成的检测和标记第部分粗磨粒

GB/T2481.11:F4~F220

固结磨具用磨料粒度组成的检测和标记第部分微粉

GB/T2481.22:

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4试验条件

环境温度相对湿度

:23℃±5℃;:20%~75%。

5X射线衍射定向法

51原理

.

以三维周期性晶体结构排列的单晶原子其晶体可以看作原子排列于空间晶面间距d的一系列

,()

平行平面所形成当一束平行的单色射线射入该平面上且射线照在相邻平面之间的光程差为其

,X