标准解读

《GB/T 14119-1993 半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范（可供认证用）》这一标准详细规定了半导体集成电路中双极熔丝式可编程只读存储器（PROM）的空白芯片的技术要求、测试方法以及质量评定准则，旨在为该类器件的设计、生产和认证提供统一的标准依据。然而，您提供的对比信息不完整，没有明确指出与哪个具体的标准或版本进行比较。因此，直接列举相对于某个特定标准的变更点无法实现。

若要一般性地讨论此类标准可能涉及的变更方向，不针对特定对比标准，可以从以下几个常见方面推测：

  1. 技术进步：随着半导体技术的发展，新标准可能会引入更先进的制造工艺要求，提高集成度、速度或降低功耗。
  2. 测试方法更新：为了适应技术进步和市场需求，测试方法可能会更加精确、高效，包括采用新的测试设备和流程。
  3. 可靠性与质量标准提升：随着时间推移，对器件的可靠性和长期稳定性要求通常会提高，新标准会设定更严格的测试条件和合格标准。
  4. 安全与环境要求：考虑到环境保护和用户安全，新标准可能会增加对材料、生产过程中的有害物质限制及废弃处理的相关规定。
  5. 兼容性与标准化：为了促进国际交流与产品互换性，新标准可能会调整以符合国际通行标准或行业规范。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

....

查看全部

  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1993-03-18 颁布
  • 1993-08-01 实施
©正版授权
GB/T 14119-1993半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范(可供认证用)_第1页
GB/T 14119-1993半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范(可供认证用)_第2页
免费预览已结束，剩余14页可下载查看

下载本文档

GB/T 14119-1993半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范(可供认证用)-免费下载试读页

文档简介

DDG621.382：681.327.28L56中华人民共和国国家标准GB/T14119-93半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供认证用）1993-03-18发布1993-08-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器CB/T14119-93日详细规空白Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供认证用）本规范规定了编制半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器(以下简称器件)详细规范的基本原则。本规范是半导体集成电路一系列空白详细规范中的一个,它应与GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12750《半导体集成电路分规范(不包括混合电路)》一起使用。要求的资料空白详细规范首页1～[9J各栏应填写与下列各项相对应的内容。详细规范的识别C11发布详细规范的国家标准化机构名称12详细规范的IECQ编号。【3】总规范和分规范编号及版本号。【4详细规范的国家编号，发布日期及国家标准体系需要的资料器件的识别C5主要的功能和型号。L6】典型结构(材料、主要工艺)和封装如果器件有多种派生产品，应当给出相互之间的差别。例如,以对照表的形式列出各自性能的特点详细规范应给出包括下述内容的简要说明·工艺(TTL、ECL等);·结构(字×位)；·输出电路的类型(例如三态…·)：·主要功能。【7]外形图、引出端识别、标志和(或)外形有关的参考文件。181质量评定类别(按GB4589.1第2.6条)。L9参考数据【本规范中，方括号所列内容仅供指导编写详细规范使用，不必在详细规范中列出。[本规范中,电特性或额定值表格中的"X"表示在详细规范中必

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论