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文档简介
preparation(硅片准备)
(硅片制造)
(硅片测试和拣选)
(装配和封装)
test(终测)
不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器
双极集成电路通常用（111）晶面或<111>晶向。
氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化：Si＋O2
硅的氧化温度：750
Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各
As）。
④硅片晶向：<111>硅单晶的氧化速率比<100>稍快
通常的退火温度：＞950℃，时间：30
RTP，在较短的时间（10
注入；⑨超浅结注入；⑩绝缘体上的硅（SOI）中的氧注入。
④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。
数值孔径（NA）
sin
透镜半径m 透镜焦长
分辨率（R）
0.6～0.8；λ为光源的波长；NA
焦深（DOF）
0.1%，因而需要较多的气体以产生足
系统（APCVD）体）。
系统（LPCVD）
Poly－Si
Poly－Si
Poly－Si
Poly－Si
多晶电阻及桥联；③PIP
Al）更高的可靠性；⑤在陡峭的结构上沉
缺点：溅射速率低,
在纯铝和硅的界面加热合金化过程中（450～500℃）
TiSi2、CoSi2
Polish）是通过化学反应和机械研磨相结合的方法对表面起伏的硅
3.0μm
阱区→N
隔离工艺:垫氧氧化→氮化硅沉积→光刻有源区→光刻
管源漏区→NMOS
管源漏区→PMOS
⑤金属互连的形成：BPSG
沉积→回流/增密→光刻接触孔→溅射
0.18μm
工艺；⑤侧墙形成工艺；⑥源/漏（S/D）注入工艺；⑦接触形成工艺
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