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文档简介
黄君凯教授3.2氧化过程中杂质再分布3.2.1影响的因素
（1）杂质在界面附近的分凝系数
（2）杂质在氧化硅中的扩散系数：快扩散与慢扩散（3）氧化过程中界面的推进速率黄君凯教授3.2.2再分布过程
:在硅衬底深处的杂质平衡浓度;:在附近的杂质平衡浓度
[结论]硅中的杂质再分布影响着工艺和性能（界面陷阱特性、阈值电压、接触电阻等）图3-10热氧化引起的杂质再分布过程氧化物吸收杂质氧化物吸收杂质氧化物析出杂质氧化物析出杂质黄君凯教授3.3二氧化硅掩模特性3.3.1氧化硅膜特性栅氧化膜：MOS器件（5~20nm）选择性掩模：阻挡高温下杂质离子的扩散（0.5~1.0mm）3.3.2掩模特性（温度和时间）表3-1中的扩散常数快扩散黄君凯教授3.4氧化层质量:<100>晶向为,<111>晶向为
:<100>晶向为,<111>晶向为:氧化中加氯能固定钠离子而减少污染图3-13热氧化硅中电荷黄君凯教授3.5氧化层厚度表征3.5.1比色法根据颜色表比照晶片颜色确定厚度。3.5.2轮廓法通过轮廓仪拖动精细探针滑过薄膜层，由信号变化记录膜
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