智能化电子系统设计正文

目录1前言（绪论） 22总体方案设计 32.1方案比较 4方案一：长期寿命测试 4方案二：加速（短期）寿命测试 42.2方案论证 43单元模块设计 53.1各单元模块功能介绍及电路设计 5热阻(Rθ)的测量 5结温测量 6光通量的测量 7串口电路的设计 8温度控制和报警电路设计 93.1.6过零触发电路设计 93.2电路参数的计算及元器件 103.2.1LED灯常用电路参数 10电学特性 103.3特殊器件的介绍 133.3.1ADM3251E 133.3.2ADUC848 143.3.3555芯片 153.4各单元模块的联接 174软件设计 184.1PROTEL99SE简介 184.2软件设计结构及功能 185系统调试 196系统功能及指标参数 206.1说明系统能实现的功能 206.2系统指标参数测试及测试方法说明 20失效时间和失效数的确定 206.2.2数据处理方法 226.3系统功能及指标参数分析 227结论 238总结与体会 249参考文献 25附录1：相关设计图 26附录2：元器件清单表 27附录3：相关设计软件 281前言（绪论）1986年，在蓝宝石基底上沉积高品质GaN晶体获得成功，并且在1993年开发出了高亮度蓝光发光二极管(LEDs)。至今，人们仍在对高亮度蓝光LED进行不断地完善。在1996年，开发出了采用蓝光LED与黄色荧光粉相结合发出白光的LED产品并将其商业化[1]。21世纪照明METI国家(Akari)项目是一项基于高效率白光LED照明技术的工程，它利用的是近紫外线LED与荧光粉系统相结合的方法，该项目于1998年启动，其第一阶段的项目已于2004年完成。作为电子元器件，发光二极管（LightEmittingDiode-LED）已出现40多年，但长久以来，受到发光效率和亮度的限制，仅为指示灯所采用，直到上世纪末突破了技术瓶颈，生产出高亮度高效率的LED和兰光LED，使其应用范围扩展到信号灯、城市夜景工程、全彩屏等，提供了作为照明光源的可能性。随着LED应用范围的加大，提高LED可靠性具有更加重要的意义。LED具有高可靠性和长寿命的优点，在实际生产研发过程中，需要通过寿命试验对LED芯片的可靠性水平进行评价，并通过质量反馈来提高LED芯片的可靠性水平，以保证LED芯片质量，为此我司在实现全色系LED产业化的同时，开发了LED芯片寿命试验的条件、方法、手段和装置等，以提高寿命试验的科学性和结果的准确性。近些年来，LED照明因具有许多优点，例如长寿命、低能耗、体积小等而非常有吸引力。最早LED只是被用来替换小型白炽灯充当指示器。在其光效有所提高后，LED被应用于显示器中。随着其光效和总光通量的进一步改善，LED开始被应用于日常照明领域。对于普通照明设备而言,LED有限的光通量是一个难以解决的问题。要想获得高光通量就需要有高密度基底和大的工作电流。这将导致LED产生热量、温度升高,损坏LED模块。随着LED生产技术水平的提高，产品的寿命和可靠性大为改观，LED的理论寿命为10万小时，如果仍采用常规的正常额定应力下的寿命试验，很难对产品的寿命和可靠性做出较为客观的评价，而我们试验的主要目的是，通过寿命试验掌握LED芯片光输出衰减状况，进而推断其寿命。本设计介绍了LED芯片寿命试验过程，提出了寿命试验条件，完善的试验方案，消除可能影响寿命试验结果准确性的因素，保证了寿命试验结果的客观性和准确性。采用科学的试验线路和连接方式，使寿命试验台不但操作简便、安全，而且试验容量大。2总体方案设计LED的发光过程包括三个部分：正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。由此可见，LED主要靠载流子的不断移动而发光的，不存在老化和烧断的现象，其特殊的发光机理决定了它的发光寿命长达5-10万个小时。LED的寿命主要取决于LED芯片的质量、芯片的设计和芯片的材料。直接影响LED寿命的关键因素有两个：一是驱动电流的变化——达到某个阈值以后，启动LED的电流越高，发光发热就越多；二是工作环境温度——温度越高，出光就越少。此外，LED灯具的安装及固定方式对其寿命也有很大的影响。LED芯片对温度异常敏感，这也是半导体的共性。一般用LED照明光源光通量流明值下降到初始值的50%的时间来定义其寿命。50%就是LED的半衰期，例如，φ5LED在室温情况下，在20mA电流驱动下的寿命为10万小时，也就是说10万小时后，其光通量还保持在原来的一半。图2.1LED的半衰期与PN结结点的温度的关系LED的半衰期与PN结（Tj点）结点的温度关系可用如图2.1曲线表示，其关系为图2.1LED的半衰期与PN结结点的温度的关系不管如何测量，半导体照明光源的寿命通常是比较长的，这对LED产品应用来说是一个很有意义的因素。随着使用时间的推移，LED的光衰量非常小。一般情况下，LED光源的使用寿命是50000h或者更长。如果其中一个LED损坏了也不会影响整个灯的继续照明。LED灯的使用寿命还取决于每天工作多少小时如图表2.2所示。每天工作时间5万小时等于10万小时等于每天24小时5.7年11.4年每天工作18小时7.4年14.8年每天工作8小时17.1年34.2年表2.2LED寿命与使用时间的关系必须指出，50000h是LED在实验室老化的预期寿命。从目前的制造技术来看，要做到灯具整体达到50000h的寿命是很困难的。灯具寿命和光源寿命不能混为一谈2.1方案比较2.1.1方案一：长期寿命测试方案一叙述：为了确认LED灯具寿命是否达到5-10万小时，需要进行长期寿命试验，目前的做法基本上形成如下共识：因GaN基的LED器件开始的输出光功率不稳定，所以按美国ASSIST联盟规定，需要电老化1000小时后，测得的光功率或光通量为初始值。之后加额定电流3000小时，测量光通量（或光功率）衰减要小于4%,再加电流3000小时，光通量衰减要小于8%,再通电4000小时，共1万小时，测得光通量衰减要小于14%,即光通量达到初始值的86%以上。此时才可证明确保LED寿命达到5-10万小时。2.1.2方案二：加速（短期）寿命测试方案二叙述：电子器件加速寿命试验可以在加大应力（电功率或温度）下进行试验，这里要讨论的是采用温度应力的办法，测量计算出来的寿命是LED平均寿命，即失效前的平均工作时间。采用此方法将会大大地缩短LED寿命的测试时间，有利于及时改进、提高LED可靠性。主要是引用“亚玛卡西”（yamakoshi）的发光管光功率缓慢退化公式，通过退化系数得到不同加速应力温度下LED的寿命试验数据，再用“阿伦尼斯”（Arrhenius）方程的数值解析法得到正常应力（室温）下的LED的平均寿命，简称“退化系数解析法”,该方法采用三个不同应力温度即165℃、175℃和185℃下，测量的数据计算出室温下平均寿命的一致性。2.2方案论证方案一中试验周期长，需要电老化1000小时后，测得的光功率或光通量为初始值，之后加额定电流3000小时，测量光通量（或光功率）衰减要小于4%,再加电流3000小时，光通量衰减要小于8%,再通电4000小时，共1万小时，将近42天的时间，与本次设计所给时间冲突十分巨大，试验过程将耗费诸多时间，故不宜采用此方案。方案二中在加大应力（电功率或温度）下进行试验，这里要讨论的是采用温度应力的办法，测量计算出来的寿命是LED平均寿命，即失效前的平均工作时间。采用此方法将会大大地缩短LED寿命的测试时间，有利于及时改进、提高LED可靠性。能够在本次设计所给时间中，较为准确的得到试验的结果。综上所述，本次设计将采用方案二进行以下设计。3单元模块设计3.1各单元模块功能介绍及电路设计热阻(Rθ)的测量本实验的目的在于得知工作条件与设备使用寿命之间的关系。工作条件中的两个重要因素是驱动电流和结温Tj。且结温Tj通过Rθ(在pn结与铜板之间)进行计算。因此,为了获得可靠、准确的数据,可以用两种方法对Rθ进行测量。一种是常见的电压梯度法,另一种是利用热像仪。LED模块安装在铜基电路板上。电路板的形成特别设计成开放式的,因此其外壳直接用铜和焊料焊接。铜板通过热导密封垫与热沉相连。热沉通过Peltier设备来控制温度。实验设备如图3.1所示。图3.1热阻测量装置可以对结温Tj进行了常规测量。在外壳中串联有5个芯片。再对连接在一起的5个芯片逐一进行测量。每一个芯片内部的温度分布情况并不完全一致。因此我们用平均值作为最终测量结果。图3.1热阻测量装置利用这种方法必须去除荧光板、光学组件和底部填充剂,直接确定芯片内的温度分布情况。因此,原则上我们必须关注Tj在去除硅树脂后可能出现的变化。对热传导过程的计算证实几乎所有的热量是通过金质凸点而非硅树脂来传导的。这说明Tj的测量与是否去除了硅树脂无关。Rθ=78.9℃/W。其数值与由常规测量方法获得的数值相同。我们利用这两种方法测得的热阻值完全一致。因此,我们证实用两种方法测得的数据可靠、准确。再利用热像仪分别对1块芯片和5块芯片进行测量,其测量结果是在同位置测量到的Rθ值的1.2倍。在计算中,我们定义热阻为5块LED芯片平均温度的平均值。通过热像仪所测得的此数值为100.2℃/W。因此,我们假定其热阻为100℃/W。结温测量结温测量的实验装置如图3.2所示。恒温箱(1)(WG243型电热鼓风干燥箱)被用来控制LED的环境温度,误差小于1℃。LED支架可以方便的固定LED(2)以及测量电路和热电阻(3)(Pt100标准热电阻)。热电阻被焊接在LED的阳极管脚上,它的电阻值由万用(4)(VC9802A)来测量。电源(5)(SSP3112光谱仪的稳流电源)给LED提供恒定直流。另一只万用表(6)(VC9802A)用来测量LED的正向电压。LED发出的光通过透镜(7)汇聚后,透过恒温箱的玻璃窗口(8),进入光谱仪(9)(SSP3112光谱仪)的积分球。在恒定电流(20mA)改变环境温度(35～100℃)测量的情况下,所以可以通过测量正向电压确定结温:Tj=T0+（Vt-V0）/K其中T0是作为参考的环境温度,V0是在T0下的初始电压;Tj和Vt分别是稳定时的电压。整个测量过程中,电流要保持恒定。系数K可以通过测量两组不同的参考温度和电压得到K=(V1-V0)/(T1-T0),也可以通过测量多组参考温度和电压作线性拟合得到。选择靠近拟合直线的测量点(95.0℃,3.805V)作为参考点,实验中LED通电后稳定时的结温可以由下面的公式来确定:图3.2测量结温的装置Tj=[95.0-202.1×(Vj-3.图3.2测量结温的装置光通量的测量光通量的有积分球法和变角光度计法两种方法。变角光度计法是测试光通量最精确地的方法，但是由于其耗时较长，所以一般采用积分球法测试光通量，如图3.3所示。用积分球法测LED光通量时有两种测试结构：一种是将被测LED放在球心；另外一种是将其放在球壁。图3.3积分球法测LED光通量积分球的基本工作原理：光线由输入孔入射后，光线在球内部被均匀的反射及漫射，在球面上形成均匀的光强分布，因此输出孔所得到的光线为非常均匀的漫射光束。而且入射光之入射角度、空间分布、以及极性都不会对输出的光束强度和均匀度造成影响。同时因为光线经过积分球内部的均匀分布后才射出，因此积分球也可当作一个光强衰减器，输出强度与输入强度比大约约为：光输出孔面积/积分球内部的表面积。图3.3积分球法测LED光通量串口电路的设计图3.4串口电路原理图温度控制和报警电路设计图3.5温度控制和报警电路设计过零触发电路设计图3.6过零触发电路设计3.2电路参数的计算及元器件LED灯常用电路参数1．正向工作电流IF。由于正向工作电压的变化不大，所以正向工作电流变化时，一方面会引起耗散功率的变化，另一方面会引起我们最关心的发光强度的变化。因此，可以通过正向工作电流说明LED的发光强度，或者就把它作为发光强度的一种间接表示。正常的IF一般不超过IFM的60％。2．正向工作电压UF。一般指在一定的正向工作电流条件下的正向压降。UF随IF的变化而稍有变化，并且随温度的上升UF有所下降。UF值视LED所用半导体材料的不同而不同，一般在1．4--3V之间。3．反向漏电流IR。反向漏电流是处于反偏置时的漏电流。4．PN结电容CJ。实际上它是PN结电容与管壳、引脚电容之和。结电容对于LED在高频下工作有较大的影响。5．导通时间ton。当LED在脉冲电流驱动下工作时，在脉冲的上升沿从受激辐射开始达到发光强度稳定值的90％为止所需要的时间。6．截止时间tct。当LED在脉冲电流驱动下工作时，在脉冲的下降沿从受激辐射结束到发光强度下降至稳定值的10％为止所需要的时间。电学特性1．I-U特性是表征LED芯片PN结性能的主要参数。LED的，I-U特性具有非线性和单向导电性，即外加正偏压表现为低电阻，反之为高电阻，如图3.4所示。图3.4I-U特性曲线正向死区：a点电压值U0为开启电压，当U<U。时，外加电场尚未克服少数载流子扩散而形成势垒电场，此时电阻R很大；对于不同LED，开启电压不同。正向工作区：工作电流IF与外加电压呈指数关系：(3-1)式中为反向饱和电流。在U>0，且U>UF的正向工作区，IF近似随UF指数上升：(3-2)是指LED正常发光时的正向电流值，在实际使用中应根据需要选择在0.6(为最大正向工作电流)以下。正向工作电压是在给定正向电

流下得到的，一般是在=20mA时测得的。LED的为1.4—3V。在环境温度升高时，将下降。由于LED的主要功能是发光，因此正向特性十分重要，而反向特性意义不大，所以LED的伏安特性一般就是指它的正向特性。LED的伏安特性与一般二极管基本相似，只是开始导通的正向电压比较大，在1.6—3.0V之间，视不同的半导体材料而定，如图3.5所示。图3.5LED正向伏安特性曲线从LED的伏安特性曲线及模型看，LED在正向导通后其正向电压的细小变动将引起电流的很大变化，而且环境温度、老化时间等因素也将影响LED的电气性能。因为LED的光输出与LED电流相关，所以在LED应用中应控制输入电压和环境温度等因素的变化，否则LED的光输出将随输入电压和环境温度等因素的变化而变化。若LED电流失控，则LED长期工作在大电流下将影响其可靠性和寿命，甚至造成LED失效。反向死区：U<0时，PN结加反向偏压；U=-UR时，反向漏电流为IR，U=-5V时，GaP为0V，GaN为10。反向击穿区：U<-UR，UR称为反向击穿电压；与UR对应的电流IR为反向漏电流。当反向偏压增加到使U<-UR时IR将突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的UR也不同。2．C-U特性,LED的芯片有9mil×9mil(228m×228m)、10mil×10mil(254m×254m)、11mil×1lmil(280m×280m)、12mil×12mil(300m×300m)几种规格，故PN结的面积大小不一，使其结电容(零偏压)C≈n+pF。C—U特性呈二次函数关系，如图3.6所示。曲线是由1MHz交流信号用C—U特性测试仪测得。图3.6LED的C-U特性曲线允许功耗P：假设流过LED的电流为IF，管压降为UF，则功率消耗为P=UFIF。当LED工作时，若外加偏压、偏流一定，则会促使PN结内的部分载流子复合发光，还有一部分变为热能，使结温升高。若结温为Tj外部环境温度为Ta则当Tj>Ta时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量(功率)可表示为P=KT(Tj—Ta)(3-3)响应时间：LED的响应时间是标志反应速度的一个重要参数，尤其是在脉冲驱动或电压调制时显得非常重要。响应时间是指输入正向电流后LED开始发光(上升)和熄灭(下降)的时间。响应时间用于表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。LED的上升时间随着电流的增大近似地按指数规律衰减。直接跃迁的材料(如GaAs_xPx)的响应时间仅为几纳秒，而间接跃迁材料(如GaP、的响应时间则是100ns。在实际应用中，常常会设计到电参数的测量。LED电参数的测量，与一般二极管的测量方法相同，在规定测试条件下，采用电压表一电流表的方法即可。只是在反向特性测试时，应该特别注意，反向电压不允许加大到击穿值。在LED显示屏规模较大时，使用晶体管显示仪进行测量更为方便。3.3特殊器件的介绍ADM3251EADM3251E是ADI（Analogdevice,inc）公司推出基于其专利iCoupler和isoPower磁隔离技术的RS-232隔离器。ADM3251E内部集成了隔离电源DC-DC转换器，两个隔离通道以及一路RS-232收发器。Rin和Tout引脚带有±15KV的ESD保护，因此适用于极端的电力环境和任何可以适用RS-232收发器的场合。iCoupler磁隔离技术是ADI公司的一项专利隔离技术，是一种基于芯片尺寸的变压器隔离技术，它采用了高速CMOS工艺和芯片级的变压器技术。所以，在性能、功耗、体积等各方面都有传统光电隔离器件（光耦）无法比拟的优势。由于磁隔离在设计上取消了光电耦合器中影响效率的光电转换环节，因此它的功耗仅为光电耦合器的1/6--1/10，具有比光电耦合器更高的数据传输速率、时序精度和瞬态共模抑制能力。同时也消除了光电耦合中不稳定的电流传输率，非线性传输，温度和使用寿命等方面的问题。ADM3251E完全符合EIA/TIA-232E和ITU-TV.28规则，并且数据传输速度达到460Kbps。ADM3251E是宽体SOIC-20封装，工作温度为-40℃到+85℃。ADM3251E引脚图如下。图3.7ADM3251E引脚图ADUC848ADuC848是ADI公司新推出的嵌有单指令周期8052闪存MCU、带两路24位Δ-∑A/D、双12位D/A以及两个灵活脉宽调制输出的高性能24位数据采集与处理系统芯片。该芯片的数据处理速度达12MIPS，且设计简单，噪声低，非常适用于精密仪器仪表。ADuC848是ADI公司新推出的高性能24位数据采集与处理系统，它内部集成有两个高分辨率的Δ-∑ADC、10/8通道输入多路复用器、一个8位MCU和程序/数据闪速/电擦除存储器。同时可提供62k字节的闪速/电擦除程序存储器，4k字节闪速/电擦除数据存储器和2304字节的数据RAM。

ADuC848可通过一个片内锁存环PLL产生一个12.58MHz的高频时钟，以使之运行于32kHz外部晶振。该时钟可通过一个从MCU核心时钟工作频率分离的可编程时钟发送。片内微控制器是一个优化的单指令周期8052闪存MCU。该MCU在保持与8051指令系统兼容的同时，具有12.58MIPS的性能。该芯片的两个独立的ADC（主ADC和辅助ADC）由一个输入多路复用器，一个温度传感器和一个可直接测量低幅度信号的可编程增益放大器PGA组成。主、辅ADC都采用高频“斩波”技术来提供优良的直流（DC）失调和失调漂移指标，因而非常适合用于低温漂且对噪声抑制和抗电磁干扰能力要求较高的应用场合。

ADuC848具有串行下载和调度模式，可通过EA引脚提供引脚竞争模式，同时支持Quick

Start开发系统和低成本的软件和硬件工具。该芯片具有52引脚塑料四方扁平封装（MQFP）和56引脚芯片级封装（CSP）。图3.8ADUC848的引脚排列图3.9ADUC848电路设计555芯片555集成电路开始是作定时器应用的，后来经过开发，它除了作定时延时控制外，还可用于调光、调温、调压、调速等多种控制及计量检测。此外，还可以组成脉冲振荡、单稳、双稳和脉冲调制电路，用于交流信号源、电源变换、频率变换、脉冲调制等。555定时器的电路如图所示。它由三个阻值为5kΩ的电阻组成的分压器、两个电压比较器C1和C2、基本RS触发器、放电晶体管T、与非门和反相器组成。

分压器为两个电压比较器C1、C2提供参考电压。如5端悬空，则比较器C1的参考电压为32Ucc，加在同相端；C2的参考电压为31Ucc，加在反相端。

是复位输入端。当=0时，基本RS触发器被置0，晶体管T导通，输出端u0为低电平。正常工作时，=1。u11和u12分别为6端和2端的输入电压。当u11>32Ucc，u12>31Ucc

时，C1输出为低电平，C2输出为高电平，即=0，=1，基本RS触发器被置0，晶体管T导通，输出端u0为低电平。图3.10555时基电路引脚3.4各单元模块的联接图3.11各单元的联接4软件设计4.1软件4.2软件设计结构及功能并联连接形式：即将多个LED的正极与正极、负极与负极并联连接，其特点是每个LED的工作电压一样，总电流为ΣIFn，为了实现每个LED的工作电流If一致，要求每个LED的正向电压也要一致。但是，器件之间特性参数存在一定差别，且LED的正向电压Vf随温度上升而下降，不同LED可能因为散热条件差别，而引发工作电流If的差别，散热条件较差的LED，温升较大，正向电压Vf下降也较大，造成工作电流If上升。虽然可以通过加入串联电阻限流减轻上述现象，但存在线路复杂、工作电流If差别较大、不能适用不同VF的LED等缺点，因此不宜采用并联连接驱动形式。串联连接形式：即将多个LED的正极对负极连接成串，其优点通过每个LED的工作电流一样，一般应串入限流电阻R，如图二为单串电路，当出现一个LED开路时，将导致这串8个LED熄灭，从原理上LED芯片开路的可能性极小。我们认为寿命试验的LED，以恒流驱动和串联连接的工作方式为佳。采用常见78系列电源电路IC构成的LED恒流驱动线路，其特点是成本低、结构简单、可靠性高；通过调整电位器阻值，即可方便调整恒流电流；适用电源电压范围大，驱动电流较精确稳定，电源电压变化影响较小。我们以图二电路为基本路线，并联构成寿命试验单元板，每一单元板可同时进行LED寿命试验。5系统调试本实验，在软件调试方面，采用，进行逐级调试，最后利用顶层文件总体调试方法，实现对设计的验证性调试。在硬件调试方面，ADuC848可通过一个片内锁存环PLL产生一个12.58MHz的高频时钟，以使之运行于32kHz外部晶振。该时钟可通过一个从MCU核心时钟工作频率分离的可编程时钟发送。片内微控制器是一个优化的单指令周期8052闪存MCU。该MCU在保持与8051指令系统兼容的同时，具有12.58MIPS的性能。该芯片的两个独立的ADC（主ADC和辅助ADC）由一个输入多路复用器，一个温度传感器和一个可直接测量低幅度信号的可编程增益放大器PGA组成。主、辅ADC都采用高频“斩波”技术来提供优良的直流（DC）失调和失调漂移指标，因而非常适合用于低温漂且对噪声抑制和抗电磁干扰能力要求较高的应用场合。

ADuC848具有串行下载和调度模式，可通过EA引脚提供引脚竞争模式，同时支持Quick

Start开发系统和低成本的软件和硬件工具。该芯片具有52引脚塑料四方扁平封装（MQFP）和56引脚芯片级封装（CSP）。6系统功能及指标参数6.1说明系统能实现的功能LED芯片寿命试验过程，提出了寿命试验条件，完善的试验方案，消除可能影响寿命试验结果准确性的因素，保证了寿命试验结果的客观性和准确性。采用科学的试验线路和连接方式，使寿命试验台不但操作简便、安全，而且试验容量大。测量计算出来的寿命是LED平均寿命，即失效前的平均工作时间。大大地缩短LED寿命的测试时间，有利于及时改进、提高LED可靠性。引用“亚玛卡西”（yamakoshi）的发光管光功率缓慢退化公式，通过退化系数得到不同加速应力温度下LED的寿命试验数据，再用“阿伦尼斯”（Arrhenius）方程的数值解析法得到正常应力（室温）下的LED的平均寿命，简称“退化系数解析法”,测量的数据计算出室温下平均寿命的一致性。6.2系统指标参数测试及测试方法说明试验中应测量的主要参数为光通量（或光功率）、色温（色坐标），其它参数为热阻、正向电压、色容差等。测量方法及要求应符合SJ/T2355－2006中的相关规定。测试环境、测试仪器及测试设备的要求应符合产品技术标准的有关规定。在没有自动记录的试验中，具体产品测试间隔时间的选择，可通过摸底试验来确定。测试间隔时间的长短与施加应力的大小有关，施加应力小，则测试间隔长；施加应力大，则测试间隔短。每个加速应力水平下的寿命试验的测试数据点数m不应少于5个（m≥5）。在没有自动记录的试验中取出样品进行测试到再次投入样品继续进行试验的时间一般不应超过24小时。试验过程中，每次测试均应使用同一测试仪器和工具，如必须更换时，则必须经过计量，以便保证测试精度。失效时间和失效数的确定对于以光通量衰减作为单一失效判据，通过光通量衰减系数计算某一产品的试验截止时间和某一结温下的工作寿命（简称退化系数外推解析法），按不同应用要求，取光通量衰减到初始值的50％或70％作为失效判据。计算公式如下：Pt=P0exp(-βt)（6-1）式中:P0为初始光通量(或光功率)；Pt为加温加电后对应某一工作时间的光通量（或光功率）；β为某一结温下的退化系数；t为某一产品的试验截止时间。（6-2）式中：i为不同的试验环境温度的应力水平，可取为1、2、…r；Lc,i为某一结温下的工作寿命,C=Pt/P0。减少试验数据的误差，第一个数据点的退化量应大于仪器测量误差，可以采用图估法(在概率纸上描点划线或运用计算机)进行线性拟合，选取偏离直线最小、光输出衰减较大的试验数据点，该数据点的累计时间即为试验截止时间，通过公式（6-2）计算给定结温下的失效时间（工作寿命Lc,i），这样可以缩短试验时间。若光功率的初始值一直下降，如图8.2－1所示，则加速寿命为Lc,i＝T，则可直接用退化系数外推求得。图6.1光功率的初始值一直处于下降时的加速寿命示意图若光功率出现先上升再下降的情况，如图所示，则加速寿命为Lc,i＝T1＋（T2－T1）(6-3)其中光功率下降到初始值P0的试验时间为T1，用退化系数外推法求得的寿命为T2－T1。图6.2光功率出现先上升再下降时的加速寿命示意图对于以色温漂移为单一失效判据的白光LED或具有光通量衰减和色温漂移2个失效判据的白光LED，则需产品试验到失效时方可截止，试验截止时间即为失效时间(加速寿命)，这样就需要较长的试验时间。试验采用定数截尾，一般情况下，试验截尾时间应使失效数r大于或等于投试样品数n的30%，当失效数无法达到30%n时，至少有r≥4。试验过程中由于非产品本身原因所造成的失效不应计入失效数内。数据处理方法以光通量衰减作为单一失效判据采用退化系数外推解析法,温度应力加速模型退化系数与结温之间的关系用阿仑尼斯（Arrhenius）方程表示β=IFβ0exp(-Ea/kTj)(6-4)式中IF为工作电流，β0为常数；Ea为激活能；k为波耳兹曼常数(8.62×10-5ev)；Tj为结温（绝对温度）。结温可按以下公式求得：对于小功率LEDTj=Ta+VFIFRj-a(6-5)对于功率型LEDTj=Ta+(VFIF－Pt)(Rj-c+Rc-h+Rh-a)(6-6)式中:Ta为环境温度（本试验的烘箱温度为环境温度）；VF为正向电压；输出功率Pt较小时可以忽略不计。Rj-c为结到壳的热阻；Rc-h为壳到热沉的热阻，当Rc-h在最佳情况下，计算时可以忽略不计；Rh-a为热沉到环境的热阻。通过公式（6-7）求出激活能Ea（6-7）式中：Tj,(i-1)、Tj,i为不同试验环境温度下的结温。正常工作环境温度(Ta＝25℃)下的平均寿命Lc,0通过公式（6-8）求得（6-8）Lc,0为工作环境温度（25℃）下的平均工作寿命；Tj,0为某一工作环境温度下的结温。6.3系统功能及指标参数分析加速寿命试验中用概率纸图估试验结果直观形象，一般用于监视和验证试验过程是否出现异常现象。我们从威布尔分布图估法（GB2689.2－81）验证的案例结果可以看出：1.由形状参数m可以看失效模式。（当m＜1时为早期失效；m＝1为偶然失效工作期，此时失效率接近于常数，此时样品的寿命分布为指数分布）m＞1为磨损失效期，（本案例m=6.64）。在高温（165℃－185℃）下LED器件的芯片会加速退化，而且封装材料也会加速老化，使其透光性能变差，表现为光功率的加速衰退，这是本案例的工作寿命进入到磨损失效期m值较大的主要原因。2.不同温度下的LED寿命数据点的分布符合威布尔分布，即使在产品很少的取样数下(n=5)，数据点在威布尔分概率纸上均能够呈现较好的线性拟合。3.LED器件的失效虽受多种随机变量的影响，这些变量包括电、热失效机理的芯片和热失效机理的封装材料，由它们组合的多重影响，在概率纸上能够呈现符合预期的威布尔分布。7结论传统的LED寿命测试时直接测量其光强来获取LED寿命，这种方法不仅实验长，而且通常受到外界干扰影响实验准确性。本实验首先通过将LED放在热电阻下加温，改变了其所处的环境，加速了LED的老化，缩短了实验周期。减小了实验的偶然性误差。其次，将LED放在干燥箱内，减少了外界湿度对实验的影响,同时在干燥箱内。最后，由于LED结温高低直接影响到LED出光效率、器件寿命、可靠性、发射波长等，因此对结温、热阻等热学参数进行快速准确的测试是非常必要的目前主要的测试方法有红外热像仪法、电学参数法、光谱法等。通过改变正向电压测得LED的结温，实验操作简单，降低了成本。本设计给出了一种缩短试验时间求取LED平均寿命的方法，利用LED光功率缓慢退化公式，由退化系数外推不同应力温度下LED的失效时间（加速寿命），再用数值解析法得到正常环境温度应力下的LED平均寿命。此法不仅适用于所有单色光LED，而且对以光功率衰减作为单一失效判据（不考虑色温飘移）的白光LED也适用。用威布尔分布和对数正态分布图估法进行检验和验证，在加速模型、失效模式等方面未发现有异常。本标准给出了一种缩短试验时间求取LED平均寿命的方法，利用LED光功率缓慢退化公式，由退化系数外推不同应力温度下LED的失效时间（加速寿命），再用数值解析法得到正常环境温度应力下的LED平均寿命。此法不仅适用于所有单色光LED，而且对以光功率衰减作为单一失效判据（不考虑色温飘移）的白光LED也适用。用威布尔分布和对数正态分布图估法进行检验和验证，在加速模型、失效模式等方面未发现有异常。本论文通过文献调研，已经分析出发光寿命与LED结温、热阻的关系，光衰与温度、湿度等环境因素之间的关系。可以通过本实验测得LED发光寿命。所得结果与已有结果的比较，题目研究中尚存在的问题，对本次的设计依然有改进的地方，例如试验样品的随机抽取，以及试验样品的数量应适度增加。8总结与体会这次课程设计我们历时三个星期，在我们班里算是倒数几组完成的吧，但经过这两个星期的实践和体验下来，我们又怎么会去在乎那个先后问题呢，因为对我来说学到的不仅是那些知识，更多的是团队和合作。现在想来，也许学校安排的课程设计有着它更深层的意义吧，它不仅仅让我们综合那些理论知识来运用到设计和创新，还让我们知道了一个团队凝聚在一起时所能发挥出的巨大潜能!三个星期前我们三个人还在为到底选那个课题而发生分歧，最后还是在老师的耐心分析和指导下完成了课题的选定，但是随之而来的问题却远比我们想想的要困难的多过没想到这项看起来不需要多少技术的工作却是非常需要耐心和精力在三个星期后的今天我已明白课程设计对我来说的意义,它不仅仅是让我们把所学的理论知识与实践相结合起来，提高自己的实际动手能力和独立思考的能力，更重要的是同学间的团结，虽然我们这次花去的时间比别人多，但我相信我们得到的也会更多!因此此次设计，我体会到的更多的是团队的力量，完完整整设计一样东西出来，没有队友的帮助，单单靠一人是难以完成的，甚至都是不能完成的，而对于这次设计，依然是存在问题的，设计出来的东西不美观，以及焊接中出现了虚焊等问题，在系统调试方面，对于光通量的测量是较为不准确的，说明在操作以及设计方面还是有很大缺陷的，在今后的设计中一定要注意这些问题。本设计给出了一种缩短试验时间求取LED平均寿命的方法，利用LED光功率缓慢退化公式，由退化系数外推不同应力温度下LED的失效时间（加速寿命），再用数值解析法得到正常环境温度应力下的LED平均寿命。此法不仅适用于所有单色光LED，而且对以光功率衰减作为单一失效判据（不考虑色温飘移）的白光LED也适用。用威布尔分布和对数正态分布图估法进行检验和验证，在加速模型、失效模式等方面未发现有异常。9参考文献[1]杨清德，杨兰云.LED及其应用问答[M].北京：电子工业出版社.2011.1:58[2]贺卫利，郭伟玲，高伟，等.大功率发光二极管可靠性和寿命评价试验方法［J］.应用光学，2008，29(4):533.[3]饶亮，傅志中，于英俊，等.基于ZigBee的LED寿命检测系统［J］.仪表技术，2009(5):12.[4]ShinyaIshizaki.大功率白光LED的寿命测定［J］.中国照明电器,2008[5]中国照明学会.中国照明工程年鉴[M].北京:机械工业出版社,2008:[6]雷勇，范广涵，廖常俊.功率型白光LED的热特性研究[J].光电子·激光，2006，17(8)：945-947.[7]张海兵，吕毅军，李开航，等.功率型LED电压温度系数的研究[J].光电子·激光，2008，19(12)：1580-1583[8]庄鹏.大功率LED的热阻测量与结构分析[J].现代显示，2008，19(8)：25-29[9]费翔,钱可元,罗毅,大功率LED结温测量及发光特性研究[J].光电子.激