2020年光电技术考试试卷_第1页
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文档简介

1、当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为(B)P20厂A、内光电效应厂B、外光电效应厂C、光磁电效应厂D、光子牵引效应2、已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um,贝9该材料的禁带宽度为(A)厂A、0.886eVrB、1eV厂C、2eVrD、1.3eV3、电磁波谱中可见光的波长范围为(A)rA、0.38〜0.78umrB、0.38〜1um厂C、1〜3umrD、8〜12um»判断题(每题10分,共5题)4、光通量的单位是坎德拉(X)正确厂不正确5、黑体的发射率是一个小于1的常数。(X)正确厂不正确6、当热辐射发射的总辐通量与黑体的总辐通量相等时,

以黑体的温度标度该热辐射体的温度,这种温度称为色温。(X)P11正确不正确7、发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。(A)

正确不正确8、被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象,称为内光电效应。(A)正确厂不正确9、光敏电阻的主要作用是(D)厂A、光电探测厂B、红外探测C、光电开关厂D、光电探测与控制10、以下选项中哪个不是光敏电阻的主要噪声(D)厂A、热噪声厂B、产生复合噪声C、低频噪声D、散粒噪声11、对于同一种型号的光敏电阻来讲,在不同的光照度和不同环境温度下,其光电导灵敏度与时间常数(),如果照度相同而温度不同时,二者(B)B、C、DB、C、D、不同,不同不同,相同相同,相同12、本征光电导器件在越微弱的辐射作用下,时间响应越,灵敏度越(A)--A、长,高B、长,低C、短,高D、短,低13、光敏电阻是()器件,属于(D)A、光电导器件,外光电效应厂B、光电发射器件,外光电效应C、光生伏特器件,内光电效应D、光电导器件,内光电效应®判断题(每题10分,共5题)14、光敏电阻的前列效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合需要很长的时间,而且,随着复合的进行,光生电子与空穴的浓度与复合几率不断减小,使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。(B)正确厂不正确15、光敏电阻的阻值与环境温度有关,温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。(B)(热敏电阻也是温度升高,阻值降低)正确厂不正确16、光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。(B)正确不正确17、在测量某光电导器件的值时,背景光照越强,其值越小。(A)正确不正确18、光电导器件在方波辐射的作用下,其上升时间大于下降时间。(B)正确不正确19、用光电法测量某高速转轴的转速时,最好选用(D)为光电接收器件。rA、PMT厂B、CdS光敏电阻厂C、2CR42硅光电池厂D、3DU型光电三极管20、(A)电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功率,且当负载电阻为最佳负载时具有最大的输出功率。A、自偏置厂B、恒流C、零伏偏置D、反向偏置21、PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于(C)?P12厂A、1GHzrB、100MHzrC、10MHzrD、1MHz22、(B)的灵敏度最高。P72A、光电二极管厂B、光敏电阻C、光电三极管厂D、硅光电池23、硅光电池的主要作用是()。厂A、光电探测厂B、红外探测C、光电开关D、光电探测与开关®判断题(每题10分,共5题)24、PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应,还能提高器件的光电灵敏度。(B)正确不正确25、硅光电池是一种需要加偏置电压才能把光能转换成电能的PN结光电器件。(B)P50正确不正确26、要产生光电效应,光电二极管必须工作在0.7V以上。正确正确不正确27、以GaAs为材料制造出的光生伏特器件目前应用最广泛。(X)P52正确厂不正确28、越远离PSD几何中心位置的光点,其位置检测误差越小。(X)P66正确厂不正确29、光电倍增管的主要噪声有()厂A、散粒噪声,热噪声厂B、散粒噪声,产生复合噪声C、热噪声,产生复合噪声D、电流噪声,热噪声30、光电倍增管的短波限和长波限由什么因素决定?()A、光电阴极材料、倍增级材料和窗口材料B、光电阴极材料和倍增级材料C、窗口材料和倍增级材料D、光电阴极材料和窗口材料31、某光电倍增管的阳极灵敏度为10A/1m,为什么还要限制它的阳极输出电流在50~100gA?()A、因为阳极电流过大会使测量数据不稳定厂B、阳极输出电流在50~100gA时,电子流不能被阳极所吸收,达到饱和区C、因为阳极电流过大会加速光电倍增管的疲劳与老化D、引起光电倍增管的非线性32、光电倍增管按倍增级结构可分为()A、端窗式和测窗式B、聚焦型和非聚焦型C、百叶窗型和盒栅式D、瓦片静电聚焦型和圆形属笼式33、下面说法正确的是:()A、光电倍增管不应在氦气中使用,因为它会加速光电倍增管的疲劳与老化厂B、光电倍增管应贮存在黑暗中,使用前最好先接通高压电源,在黑暗中存放几小时厂C、光电倍增管的输出信号采用运算放大器做电流电压变换,以保证高的转换效率厂D、在设计光电倍增管电路时,总是力图使散粒噪声远小于负载电阻的热噪声*判断题(每题10分,共5题)34、为使阴极面各处的灵敏度均匀,受光均匀,常把光电倍增管的光电阴极做成球面。正确厂不正确35、为得到最稳定的相对光谱灵敏度函数,光电倍增管应让其自然老化数年。正确厂不正确36、根据窗口材料的不同,将直接影响光电倍增管光谱响应的长波限。正确不正确37、光电倍增管的暗电流是指在施加规定电压后测定的阳极电流。正确不正确38、阴极和第一倍增级之间,以及末级倍增级和阳极之间的级间电压应设计的与总电压无关正确不正确39、下面那个是当原子在E1E2两个能级之间产生跃迁时不会产生的过程?A、自发吸收B、自发辐射C、受激辐射厂D、受激吸收40、下面哪个不是光电耦合器件的应用:厂A、电平转换厂B、光电检测C、逻辑门电路D、隔离方面的应用41、下面哪个不是产生激光的必要条件?厂A、需要泵浦源厂B、要有大量的粒子数反转C、要有一个谐振腔D、需要负载42、下面属于冷光源的是:厂A、太阳厂B、白炽灯C、发光二极管D、卤钨灯43、下面哪一项可以作为光电耦合器件的发光件:厂A、光电三极管厂B、光电池厂C、光敏电阻D、半导体激光器酷判断题(每题10分,共5题)44、由发光二极管和光电三极管构成的光电耦合器件的电流传输比不可能大于1.正确厂不正确45、光电耦合器件既具有耦合特性又具有隔离特性。正确不正确不正确46、光电耦合器件的发送端与接收端是电、磁绝缘的。正确厂不正确47、发光二极管的响应时间取决于注入载流子非发光复合的寿命和发光能级上跃迁的几率正确不正确48、1.发光光谱与器件的几何形状和封装方式有关。正确厂不正确49、下列哪个不属于比较常用的CCD的驱动方式()A、数字逻辑电路驱动B、单片机驱动方式C、可编程逻辑器件驱动方式D、电阻电容无源器件驱动方式50、如果有一个视频信号的带宽是3M,那么为了使混叠失真达到最小,你应该米用多大的米样速率()厂A、1M/S厂B、1.5M/S厂C、3M/SD、6M/S51、我国电视的米用的制视是(A)rA、PAL厂B、NTSC厂C、SECAMD、VGA色温是指光磁效应是指本征型光敏电阻一般在室温下工作,适用于可见光波段探测;非本征型光敏电阻通常在低温条件下工作,常用于红外波段甚至于远红外波段辐射探测。常见的固体激光器有(写出两种),常见的气体激光器有写出两种)。光热效应是指比较光子探测器和光热探测器在作用机理、性能及应用特点等方面的差异。(简答

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