低频电子线路

《低频电子线路》山东大学信息科学与工程学院刘志军12/7/20221《低频电子线路》回顾上节课内容双极型晶体三极管双极型晶体管的导电原理晶体管电流分配关系和放大晶体三极管的放大作用12/7/20222《低频电子线路》本节课内容双极型晶体管的伏安特性曲线

三极管主要参数晶体管命名法12/7/20223《低频电子线路》1.3.3双极型晶体管的伏安特性曲线

BJT的伏安特性曲线

是指其各极电压与电流的关系。不同的放大器特性曲线内容意义不同。12/7/20224《低频电子线路》网络端口特性将晶体管视为二端口网络，则特性曲线应有两组，即输入端和输出端的特性曲线。vBEvCEiBiC+－+－12/7/20225《低频电子线路》①

输入特性曲线（图）

iBvBE0vCE=01v12/7/20226《低频电子线路》输入特性曲线表达式12/7/20227《低频电子线路》输入特性曲线分析VCE增大时，曲线略有右移，到一定程度则不再变化。这是管子的基调效应。12/7/20228《低频电子线路》②输出特性曲线（图）

Ic(mA)vCE(V)0击穿区截止区饱和区工作区12/7/20229《低频电子线路》输出特性曲线表达式12/7/202210《低频电子线路》输出出特特性性曲曲线线分分析析有四个个区区饱和和区区工作作区区截止止区区击穿穿区区12/6/202211《低低频频电电子子线线路路》》饱和和区区eb结结和和cb结结均为为正正偏偏。管子子完完全全导导通通，，其其正向向压压降降很小小。。相当当一一个个开开关关““闭闭合合（（Turnon））””。。12/6/202212《低频频电子子线路路》工作区区eb结结正偏，cb结反偏。这是管管子的的正常放放大状态。。此时具具有““恒流特特性”。12/6/202213《低频频电子子线路路》截止区区eb结结和cb结结均为反反偏。管子不不通，，相当当于一一个““开关关”打打开（（Turnoff）。。管子的的cb结承承受受大的的反向电电压。12/6/202214《低频电电子线路路》击穿区管子被反反向电压压（太大大）击穿。管子的PN结特特性破坏坏。12/6/202215《低频电电子线路路》注意厄利电压压（基调效应应）。截止区对对应iB=－ICBO曲线以下下区域。。iC电流增大大，ß略略有增大大。工作区的的恒流特特性和厄厄利电压压有关。。12/6/202216《低频电电子线路路》1.3.4三三极管管主要参参数管子参数数是衡量晶晶体管质质量好坏坏和选择择管子的的主要依依据。12/6/202217《低频电电子线路路》1.电流放大大参数电流放大大参数用用以衡量量管子的的放大性能能。12/6/202218《低频电电子线路路》①共基直直流电流流放大参参数12/6/202219《低频电电子线路路》共基交流流电流放放大参数数12/6/202220《低频电电子线路路》②共射直直流电流流放大参参数12/6/202221《低频电电子线路路》共射交流流电流放放大参数数12/6/202222《低频电电子线路路》管子的ßß取值放大状态态一般取ßß=30~60。ß太小的管子放放大不足足。ß太大的管子工工作不稳稳定。12/6/202223《低频电电子线路路》2.极间间反向电电流极间反向向电流是指管子子各电极极之间的的反向漏电电流参数。12/6/202224《低频电子子线路》①C、B间间反向饱和和漏电流12/6/202225《低低频频电电子子线线路路》》②管管子子C、、E间间反反向向饱饱和和漏漏电电流流12/6/202226《低低频频电电子子线线路路》》管子子反反向向饱饱和和漏漏电电流流硅管管比比锗锗管管小小。。此值值与与本征征激激发发有关关。。取决决于于温度度特特性性（（少少子子特特性性））。。12/6/202227《低低频频电电子子线线路路》》3.极极限限参参数数使用用时时不不应应超超过过管管子子的的极极限限参参数数值值。。否否则则使使用用时时可可能能损损坏坏。。12/6/202228《低低频频电电子子线线路路》》①集集电电极极最最大大允允许许电电流流ICM留有有一一定定的的余余量量。。ICM指ββ下下降降到到额额定定值值的的2/3时时的的IC值。。12/6/202229《低低频频电电子子线线路路》》②集集电电极极最最大大允允许许功功耗耗PCM＝击穿穿区区的的功率率损损耗耗线线（见见下下图图））12/6/202230《低频电子线线路》集电极最大允允许功耗PCM（图）vCE0击穿区iB12/6/202231《低频电子线线路》③反向击穿电电压12/6/202232《低频电子线线路》反向击穿电压压另有VCEO＞VCER＞VCES12/6/202233《低频电子线线路》极限参数以上介绍的三三个极限参数PCMICMV（BR）CEO所限定的区域域称为晶体管安全工工作区。12/6/202234《低频电子线线路》§1.8晶晶体管命名名法1、国产半导体分分立元件标准准（国国标）2、国产半导导体集成电路路标准（国标标）12/6/202235《低频频电子子线路路》1、国国产半半导体体分立立元件件标准准（（国标标）中国国家标标准（GB—249—74））规定的中中国半导体体器件型号号命名方法法12/6/202236《低频电子子线路》中国半导体体器件命名名法第一部分：：用数字表表示器件的的电极数目目第二部分分：用汉汉语拼音音字母表表示材料和极性第三部分分：用汉汉语拼音音字母表表示器件件的类型第四部分分：用数数字表示示器件序号第五部分分：用汉汉语拼音音字母表表示规格号12/6/202237《低频电电子线路路》第一部分分用数字表表示器件件的电极极数目符号和意意义2二二极极管3三三极极管12/6/202238《低频电电子线路路》第二部分分用汉语拼拼音字母母表示材材料和极极性12/6/202239《低频电电子线路路》第二部分分（二极极管）AN型锗材材料BP型锗材材料CN型硅材材料DP型硅材材料12/6/202240《低频电电子线路路》第二部分分（三极极管）APNP型锗锗材料BNPN型锗锗材料CPNP型硅硅材料DNPN型硅硅材料E化化合物物材料料12/6/202241《低频电电子线路路》第三部分分用汉语拼拼音字母母表示器器件的类类型P普普通管V微微波管W稳压压管C参参量管12/6/202242《低频电子线线路》第三部分用汉语拼音字字母表示器件件的类型Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光电器件K开关管12/6/202243《低频电子线线路》第三部分X低频小小功率管（（f<3MHz,Pc<1W）G高频小小功率管（（f≥3MHz,Pc<1W）D低频大大功率管（（f<3MHz,Pc≥1W）A高频大大功率管（（f≥3MHz,Pc≥1W）12/6/202244《低频电子线线路》第三部分T闸闸流管（可可控整流器））Y体体效应器件件B雪雪崩管J阶阶跃恢复复管CS场场效应管BT特特殊器件FH复复合管PINPIN型管JG激激光器件12/6/202245《低频电子线线路》第三部分注：有些半导导体器件（如如场效应管、、特殊器件、、复合管、PIN型管、、激光器件等等）的型号第第三部分只有有其中的三、、四、五部分分12/6/202246《低频电子子线路》第四部分用数字表示示器件序号号12/6/202247《低频电子子线路》第五部分用汉语拼音音字母表示示规格号12/6/202248《低低频频电电子子线线路路》》示例例锗PNP型型高高频频小小功功率率三三极极管管3AG11C规格格号号序号号高频频小小功功率率PNP型型锗锗材材料料三极极管管12/6/202249《低低频频电电子子线线路路》》示例例CS2B规格格号号序号号场效效应应器器件件12/6/202250《低低频频电电子子线线路路》》日本本半半导导体体型型号号标标准准日本本工工业业标标准准（（JIS-C-7012））规规定定的的日日本本半半导导体体分分立立器器件件型型号号命命名名方方法法由五个基基本部分分组成，，这五个基本本部分的符号及及意义见见实验讲讲义。12/6/202251《低频电电子线路路》示例2SA495JEIA登记号PNP高频管JEIA注册产品品三极管12/6/202252《低频电电子线路路》示例2SC502A2SC502改进型JEIA登记号NPN高频管JEIA注册产品品三极管12/6/202253《低频电电子线路路》欧洲半导导体器件件型号命命名法欧洲各国国（德国国、法国国、意大大利、荷荷兰等和和匈牙利利、罗马马尼亚、、波兰等等国家）），大都都是用国际电子子联合会会的标准准半导体体分立器器件型号号命名法法。这种命命名法由由四个基本本部分组成，各各部分的的符号及及意义见见实验讲讲义。12/6/202254《低频频电子子线路路》示例BTX64——200最大反反向峰峰值电电压200伏专用器器件登登记号号大功率率可控控硅硅材料料12/6/202255《低频频电子子线路路》美国半半导体体型号号命名方方法美国电电子工工业协协会(EIA)的半导导体分分立器器件型型号命命名方方法规规定，，半导导体分分立器器件型型号由由五部分分组成成。第一一部分分为前前缀，，第五五部分分为后后缀，，中间间三部部分为为型号号的基基本部部分。。这五五部分分的符符号及及其意意义见见实验验讲义义。12/6/202256《低频频电子子线路路》示例JAN2N3553登记号号注册标标志三极管管军用品品12/6/202257《低频电子子线路》示例2N1050C2N1050的C档档EIA登记号EIA注册标志非军用品12/6/202258《低频电子子线路》2、国产半半导体集成成电路标准准第一部分：：用字母表表示器件符符号（国标标）

第二二部分：用用字母表示示器件类型型

第三部部分：用阿阿拉伯数数字表示器器件系列和品种代号号

第四部部分：用字字母表示器器件的工作作温度范围围

第五五部分：用用字母表示示器件的封封装12/6/202259《低频电子子线路》第一部分C（中国制造）12/6/202260《低频电子子线路》第二部分用字母表示示器件类型TTTLHHTLEECLCCMOS12/6/202261《低频电子线线路》第二部分（续续）F线线性放大器D音音响电视电路路W稳压压器J接接口电路B非非线性电路M存储储器μ微机机电路12/6/202262《低频电子线线路》第三部分第三部分：用用阿拉伯数数字表示器件系列12/6/202263《低频电子线线路》第四部分用字母表示器器件的工作温度范围围C0～70ºCE－－40～85ºCR－－55～～85ººC

M－－55～125ººC12/6/202264《低频电子线线路》第五部分用字母表示器件的封装W陶管管扁平B塑塑料扁平F全全密封扁平平

D陶陶瓷直直插

P塑塑料料直插J黑黑陶瓷直插K金金属菱形T金金属圆形形------------12/6/202265《低频电子线线路》实例CF0741CT线性通用运放放0～70ººC金属圆形封装装12/6/202266《低频电子线线路》实例CC14512MFCMOS8选一数据选选择器－55～～125ººC全密封扁平封封装12/6/202267《低低频频电电子子线线路路》》欧洲洲集集成成电电路路型型号号命命名名法法欧洲洲各各国国生生产产的的集集成成电电路路绝绝大大部部分分按按欧欧洲洲电电子子联联盟盟规规定定命命名名。。12/6/202268《低低频频电电子子线线路路》》欧洲洲集集成成电电路路型型号号基本本规规律律型号号由由三部部分分组组成成。12/6/202269《低低频频电电子子线线路路》》第一一部部分分由三个个字字母母组成成，，第一一个个字字母母表表示示无线线电电类类；第二二个个字字母母表表示示使用用范范围围，如如表表示示0~70℃，，表表示示——55~125℃，，表表示示—25~70℃。。第三三个个字字符符没有有特特殊殊规规定定。12/6/202270《低低频频电电子子线线路路》》第二二部部分分由阿阿拉拉伯伯数数字字组组成成，，表表示示器器件件的的序号号及及类类型型。12/6/202271《低低频频电电子子线线路路》》第三三部部分分是尾标标，，表表示示封封装装形形式式。通通常常有有两种种：一一种种是是用用一一个个字字母母表表示示。。如如：：表表示示圆圆柱柱型型；；表表示示塑塑料料双双列列；；表表示示陶陶瓷瓷双双列列；；表表示示四四列列引引线线；；表表示示扁扁平平；；表表示示芯芯片片。。另一一种种用用两两个个字字母母表表示示，，第第一一个个字字母母表表示示封封装装形形式式，，如如表表示示柱柱行行；；表表示示双双列列引引线线；；表表示示功功率率双双列列引引线线；；表表示示扁扁平平双双列列引引线线；；表表示示扁扁平平四四列列引引线线；；表表示示菱菱形形；；表表示示多多重重引引线线；；表表示示带带散散热热片片国国率率性性四四列列引引线线；；表表示示三三列列引引线线。。第第二二个个字字母母表表示示封封装装材材料料，，如如：：C表表示示