电子技术基础模拟部分教学课件

《电子技术基础模拟部分（第六版 技大电子技术基础模拟部绪功率放大电射极输出甲乙类互补对称功率放大电功率功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压#功率放大电路与前面介绍的电压放大电路有本质上的区别#功率放大电路与前面介绍的电压放大电路有本质上的区别吗 根据正弦信号整个周期内三

QiB＝常甲类：一个周 导

QiB＝常

iB＝常 #射极输出器——甲类放大的实TT

＋—射极输出器——甲类放大的实

vO

vO正向振幅最大

vO负向振幅最大值，T截

iCiE

TT

Vom

9.2射极输出器——甲类放大的实

即Vom

VCC

T T IBIASR RL当 VCC

RL vI0.6V

vi

2

om

RL2 2射极输出器——甲类放大的实PVC=VDDIBIAS=27.75PVE=VEEIBIAS=27.75

TT( η(

)100%

—电路组分析计功率BJT的选电路组工作原

＋ —

iL—＋T2—iL—AiB＝常Q-vCE２OB OAIiB＝常BOQVCC9.3.2AiAiB＝常B-vCE２OQ O(VCCVCESPomax= C C PomaxCC

2P=V2

2 2

＋T2—iL— = π v)

d(toL 2π CC oL π V sint)

d(tL2π CC L ( CC

omsin2t)d(t2π

( CC

PT

PT2

(CC

om 9.3.2PV=PoPT

2

PVm

CC CC

=

πVom4VCC

π

78.5 CC 9.3.3功率BJT的选2 2

(CC

om 当 2

1 CC1PT1mπ2

V2V CC

9.3.3功率BJT的选 CC)功率BJT

1.0甲乙类互补对称功率放大电甲乙类双电源互补对称电甲乙类单电源互补对称电9.4.1

vi交越失0＋ —

RL—

vo,09.4.1静态偏

3动态工作情 3

T

＋ RL—#在输入信号的整反向偏置状态甲乙类双电源互补对称电

VCE4

R1R2

VB

＋RL—P、P、P和

DC＋2KDC＋2K（电容C充电达到稳态）当有信号vi负半周T1导通，有电流通过负载RL，同时向C充正半周T2导通，则已充电的电容C过负载RL放电

只要满足RC ，电容C就可 当原来的 计算Po、PT、PV和PTm的公式必 加以修正，以VCC/2代替原来公式中VCCMOS管甲乙类双电源互补对称电复合

消除 (1 3 1

频振RR RR4

BE 温度补RVBE扩展电路

＋

v供静态偏

热耦

—

复合

频振功率VMOSFET和功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问1.功率BJT管子本身也要消耗一部分

功率BJT外功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问功率BJT其中，热阻RT包括集电结到管壳的热阻，管壳与散热片之间的功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问功率BJT 产生二次击穿的原因主要是由于流过BJT结面的电流不均匀，造成结面局部高温（称为热斑），因而产生热击穿所致。与BJT的制造工

工作

临界 ICM、集射间允许的最大击穿电压V(BR)CE和集电极允许的最大功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问提高功率BJT 的条件下（包括冲击电流在内），工作电流不超过极限值的 的条件下（包括冲击功耗在内），工作功耗不工作时，器件的结温不应超过器件允许的最大结温的9.5.1功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问功率VMOSFET和源极源极S沟二氧化金属PN－N＋型衬

D很大，达1000V功率VMOSFET和

源S金属 沟

栅 二化

沟道长

N－衬d漏功率VMOSFET和MOS与MOS器件一样是电压控制电流器件，输入电阻极高所需驱动电流极小，功率增益高MOS管不存在二次击因为少子问题，功率MO功率管的开关时间在100s至1s之间，而MOS功率管的开关时间约为10100s，其工作频率可达100H到1MH以上，所以大功率MOS管常用于高频电路或开关式稳压电源等。MOS在这一点上更显优越（其fT＝600MHZ）MOSBJ相比几乎不需要直流驱动电流。但MO功率放大电路的驱动级至少要提供足够的电流来保证对MOS管较大的输入电容进行充放电。功率VMOSFET和MOS为了获得高耐压值，器件有低掺杂浓度的N-层，导致导通电阻绝缘栅双极型功率管 R c集成功率放大器举BJT集成功率放大器举以MOS功率管作输出级的集成功率放大3号

6是接地1＋

cc1

C R

VMOS8＋— —3R

增益是固定的，由Rf和R2