光电子技术题库

光电子技术题库光电子技术题库光电子技术题库选择题1.光通量的单位是（

B）.

辐射通量φe的单位是（B）A焦耳(J)

B瓦特(W)

C每球面度

(W/Sr)

D坎德拉(cd)3.发光强度的单位是（

A）.4.光照度的单位是（

D）.

5.激光器的组成一般由（A）组成A.激励能源、谐振腔和工作物质B.固体激光器、液体激光器平和体激光器C.半导体资料、金属半导体资料和PN结资料D.电子、载流子和光子硅光二极管在合适偏置时，其光电流与入射辐射通量有优秀的线性关系，且动向范围较大。合适偏置是（D）A恒流B自偏置C零伏偏置D反向偏置7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为资料的主若是由于（A）8.以下哪个不属于激光调制器的是（D）9.电光晶体的非线性电光效应主要与（C）有关10.激光调制按其调制的性质有（C）11.不属于光电探测器的是（D）摄像器件的信息是靠（B）储藏显示器，能够分为（ABCD）14.混淆型探测器是由（D）之间的电子-空穴对吻合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。15.激光拥有的优点为有关性好、亮度高及（B）A色性好B单色性好C吸取性强D吸取性弱16.红外辐射的波长为（D）.A100-280nmB380-440nmC640-770nmD770-1000nm17.可见光的波长范围为（C）.A200—300nmB300—380nmC380—780nmD780—1500nm18.一只白炽灯，假设各向发光平均，悬挂在离地面的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，该灯的光通量为（A）.19.以下不属于气体放电光源的是（D）.20.ＬＣＤ是（Ａ）的视像管，靶面的有效高度约为10mm，若可分辨的最多电视行数为400，则相当于（A）线对/mm.22.光电变换定律中的光电流与(B).A温度成正比B光功率成正比C暗电流成正比D光子的能量成正比23.发生拉曼—纳斯衍射必定满足的条件是(A)超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度短超声波频率高，光波平行声波面入射，声光作用长度短超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度长超声波频率低，光束与声波面间以必然角度入射，声光作用长度短24.光束调制中，下面不属于外调制的是(C)A声光调制B电光波导调制C半导体光源调制D电光强度调制25.激光拥有的优点为有关性好、亮度高及(B)A多色性好B单色性好C吸取性强D吸取性弱26.能发生光电导效应的半导体是(C)A本征型和激子型B本征型和晶格型C本征型和杂质型D本征型和自由载流子型27.电荷耦合器件分(A)A线阵CCD和面阵CCDB线阵CCD和点阵CCDC面阵CCD和体阵CCDD体阵CCD和点阵CCD28.电荷耦合器件的工作过程主若是信号的产生、储藏、传输和(C)A计算B显示C检测D输出29.光电探测器的性能参数不包括（D）A光谱特色B光照特色C光电特色DP-I特色30.光敏电阻与其他半导体电器件对照不拥有的特色是（B）31.关于LD与LED以下表达正确的选项是（C）LED发出有关光32.光敏电阻的光电特色由光电变换因子描述，在强辐射作用下（A）A.=B.=1C.=D.=233.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区B可见光及紫外光谱区C可见光区D可见光及红外光谱区34.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区B可见光及紫外光谱区C可见光区D可见光及红外光谱区35.光视效能K为最大值时的波长是（A）A．555nmC．777nm36.关于P型半导体来说，以下说法正确的选项是（D）A电子为多子B空穴为少子C能带图中施主能级凑近于导带底D能带图中受主能级凑近于价带顶37.以下光电器件,哪一种器件正常工作时需加100-200V的高反压（C）ASi光电二极管BPIN光电二极管C雪崩光电二极管D光电三极管38.关于光敏电阻，以下说法不正确的选项是：（D）弱光照下，光电流与照度之间拥有优秀的线性关系光敏面作成蛇形，有利于提高矫捷度光敏电阻拥有前历效应光敏电阻光谱特色的峰值波长，低温时向短波方向搬动在直接探测系统中,(B)A探测器能响应光波的颠簸性质,输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位探测器只响应入射其上的平均光功率拥有空间滤波能力拥有光谱滤波能力关于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，以下说法正确的选项是（D）ALD只能连续发光BLED的单色性比LD要好CLD内部可没有谐振腔DLED辐射光的波长决定于资料的禁带宽41.关于N型半导体来说，以下说法正确的选项是（A）A费米能级凑近导带底B空穴为多子依照光电器件伏安特色,以下哪些器件不能够视为恒流源:（D）硅光二极管在合适偏置时，其光电流与入射辐射通量有优秀的线性关系，且动向范围较大。合适偏置是（D）A恒流B自偏置C零伏偏置D反向偏置有关热电探测器,下面的说法哪项是不正确的(C)A光谱响应范围从紫外到红外几乎都有同样的响应响应时间为毫秒级器件吸取光子的能量,使其中的非传导电子变成传导电子各种波长的辐射关于器件的响应都有贡献45.为了提高测辐射热计的电压响应率，以下方法中不正确的选项是（D）A将辐射热计制冷B使矫捷面表面黑化C将辐射热计封装在一个真空的外壳里D采用较粗的信号导线V(505nm)=，波长为505nm、1mW的辐射光，其光通量为A683lmBClmDlm（D）47.以下探测器的光－电响应时间，由少许载流子的寿命决定：（A）A线性光电导探测器B光电二极管C光电倍增管D热电偶和热电堆48.给光电探测器加合适的偏置电路，以下说法不正确的选项是(A)A能够扩大探测器光谱响应范围B能够提高探测器矫捷度C能够降低探测器噪声D能够提高探测器响应速度以下光源中哪一种光源，可作为光电探测器在可见光区的积分矫捷度测量标准光源：（C）A氘灯B低压汞灯C色温2856K的白炽灯D色温500K的黑体辐射器克尔效应属于（A）A电光效应B磁光效应C声光效应D以上都不是51.海水能够视为灰体。300K的海水与同温度的黑体比较（A）A峰值辐射波长同样B发射率同样C发射率随波长变化D都不能够确定（C）A热电偶B红外光电二极管C2CR113蓝硅光电池D杂质光电导探测器第一章填空1.以黑体作为标准光源，其他热辐射光源发射光的颜色若是与黑体在某一温度下的辐射光的颜色同样，则黑体的这一温度称为该热辐射光源的色温。2.低压钠灯的单色性较好，常用作单色光源。3.激光器一般是由工作物质、谐振腔和泵浦源组成的。4.气体激光器的工作物质是气体或金属蒸汽。5.半导体激光器亦称激光二极管。6.光纤激光器的工作物质主若是稀土参杂的光纤。。8.单位时间内经过某截面的全部波长的总电磁辐射能又称辐射功率，单位W。9.以辐射的形式发射、流传或接收的能量，单位为J。10.按入眼的感觉强度进行胸襟的辐射能大小称为光能。11.单位时间内经过某截面的全部光波长的光能成为光通量。12.发光强度单位为坎德拉。13.光照度单位lx。14.热辐射光源是使发光物体升温到足够高而发光的光源。15.LD的发光光谱主若是由激光器的纵模决定。16.半导体激光器的重要特色就是它拥有直接调制的能力，从而使它在光通信中获得了广泛的应用。三．简答1.可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少波长：380~780nm400~760nm频率：385T~790THz400T~750THz能量：~效率高、光色纯、能耗小、寿命长、可靠耐用、应用灵便、绿色环保。效率高、结构紧凑、寿命长、辐射光谱可选择体积小、重量轻、易调制、功能低、波长覆盖广、能量变换效率高。气体在电场作用下激励出电子和离子，成为导电体。离子向阴极、电子旭日极运动，从电场中获得能量，它们与气体原子或分子碰撞时会激励出新的电子离子，也会赌气体原子受激，内层电子跃迁到高能级。受激电子返回基态时，就辐射出光子来。激光的高亮度、高方向性、高单色性和高度时间空间有关性是前述一般光源所瞠乎后来的，它为光电子技术供应了极好的光源。阈值电流很低、谱线宽度窄，改进了频率Chirp、调制速率高、温度特色好LED的应用LED显示屏、交通信号灯、景观照明、手机应用、LED显示屏的背光源。1）测距精度高（2）体积小、重量轻（3）分辨率高、抗搅乱能力强1）激光高度的方向性，使光束发散角很小、分辨能力大大提高。2）抗搅乱能力强3）体积小质量轻1）对应任一温度单色辐射出射度随波长连续变化，且只有一个峰值，对应不同样温度的曲线不订交。2）单色辐射出射度和辐射出射度均随温度高升而增大。3）单色辐射出射度和峰值随温度高升而短波方向搬动。四；计算1.一只白炽灯，假设各向发光平均，悬挂在离地面的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，求出该灯的光通量。=L*4πR^2=30*4^2=第二章1、光辐射的调制使用数字或模拟信号改变光波波形的幅度、频率或相位的过程。2、光辐射的调制有机械调制、电光调制、声光调制、磁光调制。3、加载信号是在激光震荡过程中进行的，以调制信号改变激光震荡参数，从而改变激光器输出特色实现的调制叫内调制。4、外调制是激光形成今后，在光路中放置调制器用调制信号改变调制器的收放性能，当激光用过调制器，是某参量碰到调制。5、光束扫描技术包括机械扫描、电光扫描、电光数字式扫描、声光扫描。6、什么是光辐射的调制有哪些调制的方法它们有什么特色和应用光辐射的调制是用数字或模拟信号改变光波波形的幅度、频率或相位的过程。光辐射的调制方法有内调制和外调制。内调制：直接调制技术拥有简单、经济、简单实现等优点。但存在波长(频率)的抖动。LD、LED外调制：调制系统比较复杂、消光比高、插损较大、驱动电压较高、难以与光源集成、偏振敏感、耗费大、而且造价也高。但谱线宽度窄。机械调制、电光调制、声光调制、磁光调制7、说明利用法拉第电磁旋光效应进行磁光强度调制的原理。磁场使晶体产生光各向异性，称为磁光效应。法拉第效应：光波经过磁光介质、平行于磁场方向流传时，线偏振光的偏振面发生旋转的现象。电路磁场方向在YIG棒轴向，控制高频线圈电流，改变轴向信号磁场强度，即可控制光的振动面的旋转角，使经过的光振幅随角的变化而变化，从而实现光重申制。加载信号是在激光振荡过程中进行的，以调制的信号改变激光振荡参数从而改变激光器输出道德实现调制。激光形成今后，在光路放置调制器，用调制信号改变调制器的物理性能，当激光经过外调制器将使某参量碰到调制。1）由于数字光信号在信道上传输，引进的噪声和失真，可采用间接中继器的方法去掉，故抗搅乱能力强。2）对数字光纤通信系统的线性要求不高可充分利用光源的发光功率。3）数字光通信设备便于和脉冲编码电话中断、脉冲编码彩电终端、计算机终端相连接，从而组成即能传输电话，又能传输计算机数据的多媒体综合通信系统。第三章一、填空光热效应和光电效应。光电导效应、光伏效应、光电发射效应。3.微光机电系统的特色，是功能系统的微型化、集成化、智能化。光照特色、伏安特色、光谱特色、频率特色、温度特色。光信号转变成电信号的要点器件。光电导效应、光伏效应、光电发射效应。7.光探测器的固有噪声主要有：热噪声、1/f噪声、温度噪声、产生-复合噪声、散粒噪声。8.光电三极管的基本特色有光照特色、伏安特色、温度特色、频率特色。9.光热探测器有热敏电阻和热释电探测器。10.光电探测器有光电导器件、结型光电器件、光电发射器件二、简答1、什么是光电器件的光谱特色答：光电器件对功率同样而波长不同样的入射光的响应不同样，即产生的光电流不同样。光电流或输出电压与入射光波长的关系称为光谱特色。2、何谓“白噪声”何谓“1/f噪声”要降低电阻的热噪声应采用什么措施答：功率谱大小与频率没关的噪声，称白噪声。功率谱与

f成反比，称

1/f

噪声。

温度3、应怎样理解热释电效应热释电探测器为什么只能探测调制辐射答：热电晶体的自觉极化矢量随温度变化，从而使入射光可引起电容器电容改变的现象成为热释电效应。由于热释电信号正比于器件的温升随时间的变化率，所以它只能探测调制辐射。4、光探测器的光热效应是什么答：当光照射到理想的黑色吸取体上时，黑体将吸取全部波长的全部光能量，并变换为为热能，称为光热效应。5、什么是光电导效应答：当半导体资料受光照时，由于对光子的吸取引起载流子浓度的变化，所以致使资料的电导率发生变化，这类现象称为光电导效应。6、什么是光电发射效应答：某些金属或半导体碰到光照时，若入射的光子能量足够大，则它与物质中的电子相互作用，致使电子逸出电子表面，这类现象称为光电发射效应。7、光探测器的性能参数有哪些答：光电特色和光照特色、光谱特色、等效噪声功率和探测率、响应时间与频率特色。8、光敏电阻的主要特色有哪些答：光电特色、光谱特色、频率特色、伏安特色、温度特色、前历效应、噪声9、光敏电阻与其他半导体光器件对照，有哪些特色答：光谱响应范围宽；工作电流大；所测光强范围宽；矫捷度高；偏置电压低，无极性之分10、热电探测器与光电探测器对照较，在原理上有何差异答：光电探测器的工作原理是将光辐射的作用视为所含光子与物质内部电子的直接作用，而热电探测器是在光辐射作用下，第一使接收物质升温，由于温度的变化而造成接受物质的电学特色变化。光电探测器响应较快，噪声小；而热电探测器的光谱响应与波长没关，能够在室温下工作。11、为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显的光电效应结型光电器件必定工作在哪一种偏置状态答：由于p-n结在外加正向偏压时，即使没有光照，电流也随着电压指数级在增加，所以有光照时，光电效应不明显。p-n结必定在反向偏压的状态下，有明显的光电效应产生，这是由于p-n结在反偏电压下产生的电流要饱和，所以光照增加时，获得的光生电流就会明显增加。12、什么是光电效应和光热效应答：当光电器件上的电压一准时，光电流与入射于光电器件上的光通量的关系I=F(Ф)称为光电特色，光电流与光电器件上光照度的关系I=F(L)称为光照特色。第四章简述PbO视像管的基本结构和工作过程。光学图像投射到光电阴极上，产生相应的光电子发射，在加速电场和聚焦线圈所产生的磁场共同作用下打到靶上，在靶的扫描面形成与图像对应的电位分布最后，经过电子束扫描把电位图像读出，形成视频信号，摄像器件的参量——极限分辨率、调制传达函数和惰性是怎样定义的分辨率表示能够分辨图像中明暗细节的能力。极限分辨率和调制传达函数（MTF）极限分辨率：人眼能分辨的最细条数。用在图像（光栅）范围内所能分辨的等宽度黑白线条数表示。也用线对/mm表示。MTF：能客观地表示器件对不同样空间频率目标的传达能力。惰性：指输出信号的变化有关于光照度的变化有必然的滞后。原因：靶面光电导张弛过程和电容电荷释放惰性。以双列两相表面沟道CCD为例，简述CCD电荷产生、储藏、转移、输出的基根源理。以表面沟道CCD为例，简述CCD电荷储藏、转移、输出的基根源理。CCD的输出信号有什么特色答：组成CCD的基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)电容器。正如其他电容器同样，MOS电容器能够储藏电荷。若是MOS结构中的半导体是P型硅，当在金属电极（称为栅）上加一个正的阶梯电压时（衬底接地），Si-SiO2界面处的电势（称为表面势或界面势）发生相应变化，周边的P型硅中多数载流子——空穴被排斥，形成所谓耗尽层，若是栅电压VG高出MOS晶体管的开启电压，则在Si-SiO2界面处形成深度耗尽状态，由于电子在那处的势能较低，我们能够形象化地说：半导体表面形成了电子的势阱，能够用来储藏电子。当表面存在势阱时，若是有信号电子（电荷）抵达势阱及其周边，它们便能够齐聚在表面。随着电子来到势阱中，表面势将降低，耗尽层将减薄，我们把这个过程描述为电子逐渐填充势阱。势阱中能够容纳多少个电子，取决于势阱的“深浅”，即表面势的大小，而表面势又随栅电压变化，栅电压越大，势阱越深。若是没有外来的信号电荷。耗尽层及其周边地域在必然温度下产生的电子将逐渐填满势阱，这类热产生的少许载流子电流叫作暗电流，以有别于光照下产生的载流子。所以，电荷耦合器件必定工作在瞬态和深度耗尽状态，才能储藏电荷。以典型的三相CCD为例说明CCD电荷转移的基根源理。三相CCD是由每三个栅为一组的间隔亲密的MOS结构组成的阵列。每相隔两个栅的栅电极连接到同一驱动信号上，亦称时钟脉冲。三相时钟脉冲的波形以以下列图所示。在t1时辰，φ1高电位，φ2、φ3低电位。此时φ1电极下的表面势最大，势阱最深。假设此时已有信号电荷（电子）注入，则电荷就被存储在φ1电极下的势阱中。t2时辰，φ1、φ2为高电位，φ3为低电位，则φ1、φ2下的两个势阱的空阱深度同样，但因φ1下面储藏有电荷，则φ1势阱的实质深度比φ2电极下面的势阱浅，φ1下面的电荷将向φ2下转移，直到两个势阱中拥有同样多的电荷。t3时辰，2仍为高电位，φ3仍为低电位，而φ1由高到低转变。此时φ1下的势阱逐渐变浅，使1下的节余电荷连续向φ2下的势阱中转移。t4时辰，φ2为高电位，φ1、φ3为低电位，φ2下面的势阱最深，信号电荷都被转移到φ2下面的势阱中，这与t1时辰的情况相似，但电荷包向右搬动了一个电极的地址。当经过一个时钟周期T后，电荷包将向右转移三个电极地址，即一个栅周期（也称一位）。所以，时钟的周期变化，即可使CCD中的电荷包在电极下被转移到输出端，其工作过程从收效上看近似于数字电路中的移位寄存器。φt1t2t3t41φ123φ2t1φ3t2t3t4电荷输出结构有多种形式，如“电流输出”结构、“浮置扩散输出”结构及“浮置栅输出”结构。其中“浮置扩散输出”结构应用最广泛，。输出结构包括输出栅OG、浮置扩散区FD、复位栅R、复位漏RD以及输出场效应管T等。所谓“浮置扩散”是指在P型硅衬底表面用V族杂质扩散形成小块的n+地域，当扩散区不被偏置，即处于浮置状态工作时，称作“浮置扩散区”。电荷包的输出过程以下：VOG为必然值的正电压，在OG电极下形成耗尽层，使φ3与FD之间建立导电沟道。在φ3为高电位时期，电荷包储藏在φ3电极下面。随后复位栅R加正复位脉冲φR，使FD区与RD区沟通，因VRD为正十几伏的直流偏置电压，则FD区的电荷被RD区抽走。复位正脉冲过去后FD区与RD区呈夹断状态，FD区拥有必然的浮置电位。此后，φ3转变成低电位，φ3下面的电荷包经过OG下的沟道转移到FD区。此时FD区（即A点）的电位变化量为：VA

QFDC式中，QFD是信号电荷包的大小，

C是与

FD区有关的总电容（包括输出管

T的输入电容、分布电容等）。φ3φRt1t2t3t4t5φ3t1φRt2t3t4t5CCD输出信号的特色是：信号电压是在浮置电平基础上的负电压；每个电荷包的输出占有一定的时间长度T。；在输出信号中叠加有复位时期的高电平脉冲。据此特色，对CCD的输出信号进行办理时，很多地采用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及控制噪声。CCD驱动脉冲工作频率的上、下限受哪些条件限制，应该怎样估计双列两相CCD驱动脉冲φ1、φ2、SH、RS起什么作用它们之间的位有关系怎样为什么1、2：驱动脉冲1、驱动脉冲2，将模拟寄存器中的信号电荷定向转移到输出端形成序列脉冲输出。SH：转移栅控制光生电荷向CCDA或CCDB转移。RS：复位脉冲，使复位场效应管导通，将节余信号电荷卸放掉，以保证新的信号电荷接收。.某双列两相2048像元线阵CCD，其转移损失率为10-5，试计算其电荷转移效率和电荷传输效率，，Q(n)/Q(0)）。（解：1-转移次数n2m409Q(n)n(0.99999)409696%Q(0)TCD1200D的中心距为14μm，它能分辨的最小间距是多少它的极限分辨率怎样计算它能分辨的最小间距是14μm。简述变像管和图像增强器的基本工作原理，指出变像管和图像增强器的主要差异。亮度很低的可见光图像也许人眼不能见的光学图像经光电阴极变换成电子图像；电子光学系统将电子图像聚焦成像在荧光屏上，并使光电子获得能量增强；荧光屏再将入射到其上的电子图像变换为可见光图像。变像管：接受非可见辐射图像并变换成可见光图像的直视型光电成像器件：

红外变像管、紫外变像管和X射线变像管等，功能是完成图像的电磁波谱变换。像增强器：接受稍微可见光图像的直视型光电成像器件：级联式像增强器、带微通道板的像增强器、负电子亲和势光阴极的像增强器等，功能是完成图像的亮度增强。第五六七章填空1.光盘储藏可分为三各种类：只读型、可录型、可擦重写型。2.光磁盘储藏器是用磁性资料作为记录介质，用激光作为记录、读出和擦除手段的储藏器。3.一些有机化合物存在固态和液态之间和液态之间的中间态，既拥有液态的流动性，又拥有晶体的各向异性，称为液晶。4.液晶分子排列的种类有：近晶相、向列相、胆甾相。5.等离子体显示板是利用气体放电产生发光现象的平板显示屏。6.DLP投影机有三片式、单片式、双片式不同样品位的产品。7.光电子技术在信息技术方面的应用有：光通信、互联网、手机、光显示、光传感、光储藏、计算机系统。8.激光传统加工技术有：激光切割、激光打孔、激光焊接、激光表面热办理、激光打标。简答答：1储藏密度高；2非接触式读、写信息;3储藏寿命长；4信息的信噪比高；5信息位价格低。答：1光盘种类；2光盘直径；3储藏密度；4储藏容量；5数据传输速率；6存取时间；7信噪比；8误码率；9储藏每位信息的价格。答：自美国ECD及IBM公式共同研制出第一片光盘以来，光盘经历了四代：⑴只读储藏光盘这类光盘中的数据是在光盘生产过程中刻入的，用户只能从光盘中屡次读取数据。这类光盘制造工艺简单，成本低，价格低价，其普及率和市场占有率最高。⑵一次写入多次读出光盘这类光盘拥有写、读两种功能，写入数据后不能擦除。⑶可擦重写光盘用户除了可在这类光盘上写入、读出信息外，还可以够将已经记录在盘上的信息擦除掉，尔后再写入新的信息；但擦与写需要两束激光、两次动作才能完成。⑷直接重写光盘这类光盘上实现的功能与可擦重写重写光盘同样，所不同样的是，这类光盘可用同一束激光、经过一次动作就擦除掉旧信息并录入新信息。答：1载流子注入；2载流子的迁移；3载流子复合；4激发子迁移；5跃迁辐射。7.简述OLED显示器的优点。答：（1）发光明度可达几百至上万坎德拉每平方米，一般电视是100坎德拉每平方米。2）低电压驱动，十几至几伏，功耗低。3）有机资料易得，拥有广泛的可选择性，很多有机物都可实现红绿蓝发光。而无机资料难生长，特别是蓝光资料。4）制备工艺简单5）易实现彩色化答：优点1）等离子体显示为自觉光型显示，发光效率与亮度较高，视角大。由于等离子体显示单元拥有很强的开关特色，能获得较高的图像比较度。（2）显示质量好，灰阶可高出256级，色彩丰富，分辨率高，响应快，响应时间仅数（3）有储藏特色，使得在大屏幕显示时能获得较高的亮度，所以制作高分辨率大型为可能。

ms。PDP成4）刚性结构，耐震动，机械强度高，寿命长。5）制造工艺简单，投资小。缺点工作电压较高，不宜在低气压环境下工作（防范填充气体膨胀）。答：（1）完好的数字化显示，这是ＤＬＰ独有的特色。（２）反射显示，光能利用率高。（３）优秀的图像质量。（４）可靠性很高，系统寿命长。10.硅基液晶显示器ＬＣＯＳ的特色。答：ＬＣＯＳ为反射式技术，光能利用率远高于ＬＣＤ；耗电少，亮度高，分辨率高，响应快；ＣＭＯＳ电路是成熟技术，成本低。11.激光加工的优点。答：（1）加工对象范围广。2）由于是非接触加工，加工中无加工助力，工件无机械变形，切热变形极小。3）激光能聚焦到微米量级，既可进行微区加工，也可进行选择性加工，其精度是其他加工方法难以比较的。4）节约能源和资料耗资。5）激光加工公害较小。6）可进行远距离遥控加工。7）激光加工与计算机数控技术结合。8）特别是先进的飞秒激光加工技术，能够实现亚微米、纳米尺度的高精习加工，甚至能够对细胞，基因进行加工。12.飞秒激光加工脉冲连续时间只有飞秒量级，从根本上防范了热款三的存在和影响。较传统的激光加工有哪些优势1）加工过程的非热熔性2）加工精准、质量高。3）可加工任何资料。4）加工能量低耗性。13.激光武器的优点。答：（1）命中率高；（2）灵便灵便；（3）无放射性污染；（4）不受电磁搅乱；（5）效费比高。14.激光制导的特色。答：精度高，抗搅乱能力强，制导系统体积小，重量轻。但受天气影响大，原因在于大雨、浓雾使激光传输碰到限制。第八章1.请简要列举光子晶体光纤的应用。答：光纤通信，光子晶体光纤激光器，PCF的超连续光谱应用，PCF的传感觉用。答：光子晶体激光器和LED；高性能的反射镜；光子晶体超棱镜，超透镜，光子晶体偏振器；光子晶体光波导；光子晶体全光开关。答：两种介质的介电常数（或折射率）差；介电的填充率比；晶体结构答：半导体量子阱，量子线，量子点；金属纳米资料；碳纳米管；硅纳米线答：纳米探针；纳米细胞探测器，纳米光机电系统答：碳纳米管很轻，资料密度低，强度高、碳纳米管场发射特色优秀。

LED器件优点答：高发光量子效率、宽光谱范围光发射、色饱和度优于

LCD和

OLED、低激发能量态、可答：金属纳米棒光储藏、一万GB超级DVD答：一维光子晶体，二维光子晶体，三维光子晶体答：超校直效应、超棱镜效应、超透镜效应、复折射效应计算题1、探测器的D*=1011cm·Hz1/2/W,探测器光敏器的直径为，用于f=5103Hz的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为多少e(Adf)1/2NEPD*D*1/2D(Adf)(D)2f解：1/NEPD210D*2、一块半导体样品，有光照时电阻为

50欧姆，无光照时电阻为

5000欧姆，求该样品的光电导。解：G光=G亮-G暗=1/50-1/5000=（s）该样品的光电导即为所求。3、用Cds光敏电阻控制继电器。矫捷度sd2*106s/lx,继电器线圈电阻是4k，吸合电流是2mA，使继电器吸合所需的最小照度是多少若使继电器在200lx时吸合，则需改变线圈电阻，问此事继电器电阻最大为多少（弱光照条件）解：（1）要使继电器吸合，光敏电阻的电压U12410321034V由光电流ISgUL，可得LI2103SgU2106250lx4（2）要使继电器吸合在200lx时吸合，此光阴敏电阻的电压UI21035VSgL2106200这时继电器的电压为12-5=7V，从而继电器的电阻最大为710324、现有GDB-423型光电倍增管的光电阴极面积为2cm2，阴极矫捷度Sk为25μA/lm，倍增系统的放大倍数为10~5，阳极额定电流为20μA，求赞同的最大光照。解：电流增益M也是电压的函数，M105IASAIKSK代入M，Sk，可得SASAIAIA，所以LmaxIA2201064102lxSLSSA1045、在室温300K时，已知2CR21型硅光电池（光敏面积为5mm5mm），在福照度为100mW/cm2时的开路电压为Uoc550mV，短路电流Isc6mA。试求（1）室温情况下，辐照度降低到50mW/cm2时的开路电压Uoc与短路电流Isc。（2）当该硅光电池安装在以下列图所示的偏置电路时，若测得输出电压Uo=1