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文档简介

年级________;层次________;专业________;姓名________电子技术参考答案一、单项选择题:在下列各题中,将正确的答案代码填入括号内1.

P

多,因

应(

C

)。(a)

电(b)

(c)

电2.

示,

件,则

D

、D

、D

工123作

为(A)。(a)

D

通,D

、D

止123(b)

D

、D

D

通312(c)

D

、D

止,

D

通132(d)

D

、D

、D

止123

12VD1R3V0VD3D2+6V3.

示,二

D

件,输

u

示i的

,则

u

为(D)。O(a)

5V(b)

10V(c)

2V(d)

7Vui5V0D++RuOutiE---5V2V4.

时,

为)。(a)

偏,集

(b)

结、集

偏(c)

结、集

(d)

偏,集

偏(B5.

Q

使

移至

Q′

需使

(C)。复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______1年级________;层次________;专业________;姓名________(a)

R增

(b)

R

小(c)

RBBC减

小ICmAQIB

40AUCE(V)QO6.采用差动放大电路是为了(

D(A)

稳定电压放大倍数

(B)增强带负载能力

(C)

提高输入阻抗

(D)克服零点漂移7.

,运

12V,设

压为

6V

u

=1V

u

于)。iO(C)。(a)

12V(b)

6V(c)0VR1-

∞uiR3uO++DZR28.自

装置,此

为((a)

号B

。(b)

件(c)

励振

来,然

号9.

荡,电

含(C)。(a)

路,负

路(b)

路、选

路(c)

路、正

路、

路10.逻

示,A=“0”,B=“1”

时,C

JK触

器(B

)。(a)

能(b)

置“0”(c)

置“1”(d)

态A"1"SD1≥1&QQQJB1CK"1"RD11.分

表,

是(

A(a)

(b)

器)。(c)

器复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______2年级________;层次________;专业________;姓名________Q20QQ00C10001110012345601011110100012.已知某半导体存储器的容量为

1024×4,则其具有的地址线数应为(C)。(a)4(b)

8(c)10(d)

213.T

D/A

由(

A

)组

成。(a)(b)(c)TTT形

器形

器形

器得分阅卷人二、计算题放

示,

50,UBE

0.

6V,R

=110

k,

R

=

10

k,

R

=6k,B1B2CRE

=400,RL

6k,

求:(1)计

点;(2)

效电路;(3)

数。12VRCRB1C2+CB++C1+E

RLuoRB2uiRE--参考答案放

示,

50,UBE

0.

6V,R

=110

k,

R

=

10

k,

R

=6k,R

=400,R

6k,

求:(1)

算B1B2CEL静

点;(2)

路;(3)

数。复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______3年级________;层次________;专业________;姓名________12VRCRB1C2+CB++C1+E

RLuoRB2uiRE--三

题电

,R

R

R

10k

,R

1k

求:2451(1)

R

,R

值。36(2)

A

u

/

u

?UFOI(3)

为15V,

u1

2V,电

压uO

?则

出R2R5uIR1

∞-+uO1

R4

∞R3+-+uO2R6+uO三、(1)

R

R

/

/R

1k

,R

R

/

/R

5k

312645(2)

A

u

/

u

20UFOI(3)

当uI

2V,

则uO

30VuOuIu

uO2O1要

点AUFuIR2uO1

uI

10uIR1R5uO2

uO1

10uIR420uIuI故AUF

20四、分析计算题复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______4年级________;层次________;专业________;姓名________整

示,二

件,电

C

500F,负载

R

5k

S

合、S

时,直

(V)的

数L12为141.4V,求:(1)

S

合、S

开时,

(A)的

;12(2)

S

开、S

时,

(A)的

;12(3)

S1、S2

时,

表(A)的

数。

(设

阻为

零,

)。AS1S2u1u2uOV+CRL解、(1)

S

合、S

:

(A)的

零。12141.

42(2)

S

开、S

闭合

时,U

V

100V;122U

0.

9U

0.9

100V

90V;O2UORL905(A)的

为mA

18mA,(3)开

S

、S

时,U

1.

2U

1.2

100V

120V;12O2UORL1205(A)的

为mA

24mA。五、

分析逻

路逻

示,写

式,

之,

表。&A&BC&&¡Ý1F五、F

ABC

A

ABCB

ABCC

(

ABC

)(

A

B

C)

ABC

(

A

B

C)复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______5年级________;层次________;专业________;姓名________

ABC

ABCA00001111B00110011C01010101F10000001电

2一

:1.(1

)P型半导体中空穴数量远比电子多得多,因此该半导体应(

C(A)

带正电

(B)

带负电

(C)

不带电)。2.(1

)三极管工作在放大区时,其各结之间的偏置为(A)。(A)

发射结正偏,集电结反偏(C)

发射结正偏,集电结正偏(B)

发射结反偏,集电结正偏(D)

发射结反偏,集电结反偏3(

1

.运

uo

A

)。(A)

u

u

u

Uoo(sat)o(sat)(B)

u

u

u

Uou

u时

uo

0V(C)

(D)

u

u

u

0Vo4.(1

)自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置,此装置之所以能输出信号是因为(

)。B(A)

有外加输入信号(B)

满足了自激振荡条件(C)

先施加输入信号激励振荡起来,然后去掉输入信号5.(1

)

采用差动放大电路是为了(D)。(A)

稳定电压放大倍数

(B)增强带负载能力

(C)

提高输入阻抗

(D)克服零点漂移6.(1

)

逻辑电路如图所示,当输入

A=“0”,输入

B为正弦波时,则输出

F

应为

(A)。(A)

“1”(B)

“0”(C)

正弦波复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______6年级________;层次________;专业________;姓名________A&uBFBt7.(2

)

(A)

馈放

((A)

电压

(B)

电流

(C)

功率)

。(D)电阻8、

(1

)

1024×

4,

线

((a)

4

(b)

8

(c)

10

(d)

2C)。9、

(1

)T

型电

D/A

由(

A

)组

成。(a)(b)(c)TTT形

器形

器形

器二.在图示放大电路中,已知UCC=12V,R

=6kΩ,R

=300Ω,R

=2.7kΩ,

R

=60kΩ,R

=20kΩ,R

=6kCE1E2B1B2LΩ

,晶体管β=50,

UBE=0.6V,

试求:(1)

静态工作点

I

、I

UCE;BCUCC(2)

画出微变等效电路;(3)

输入电阻r

、r

A

。RB1RCTiou解:晶体管交流放大计算:放大倍数

Au=u输出/u输入

u输出=ic×

(RC//RL)u输入=ib×r输入

电阻

输入电阻=基极体积电阻+(射极体积电阻+RE1)×β

基极体积电阻

射极体积电阻

相对

RE1

值很小忽略之故晶体管输入电阻近似

RE1

×β

放大倍数

Au=u

输出/u

输入

Au=

ic×

(RC//RL)/ib/(RE1

×

β

)

又因

ic=ib×β

Au=ib×

β

×

(RC//RL)/ib×(RE1

×

β

)

约去分子分母

ibAu=

β

×

(RC//RL)/(RE1×

β

)=50×

(6K//6K)/(300

×

50)=10C2C1ELECTRO1NPN++RLRE1RE2UoUiRB2-CE-GND三..图示电路,写出输出电压

u

和输入电压

u

的关oi复习资料,自我完善,年级________;层次________;专业______7年级________;层次________;专业________;姓名________系uo1

uR1

2R2o2ui1

ui2uiR1R6R4uo

(u

u

)o1

o2R1R

R

2R所以

uo

612uiR4R1四.电路如图所示,Uo(sat)=±6V

,u

=10sinωt.画出输出电压

u

的波形.io参考答案五.

有一单相桥式整流电容滤波电路,已知交流电源频率

f=50Hz,负载电阻

RL

=200,要求直流输出电压

Uo=30V,画出单相桥式整流电容滤波电路并选择整流二极管及滤波电容器。选择整流二极管:11

U130ID

I

O

0.075

A流过二极管的电流:O22RL

2

200U30U

O

25V变压器副边电压的有效值:二极管承受的最高反向电压:1.2

1.2UDRM

2U

2

25

35

VRLC=(3--5)

T/2取

RLC=5

T/21

50RLC

5

0.05

S20.05

0.05C

250

106

F

250FRL200复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______8年级________;层次________;专业________;姓名________可选用

C=250F,耐压为

50V的极性电容器六.图示电路,求输出电压

Uo参考答案:Uo=11V七.化简逻辑函数A

B

C

A

B

C

ABC

AB

C(1)(2)YYA

B

C

D

A

B

CD

AB

C

D

AB

C

D参考答案:(1)

Y

B

C

AC(2)

Y

B

D八.

某工厂有

A、B、C三个车间和一个自备电站,站内有两台发电机

G1和

G2。G1的容量是

G2的两倍。如果一个车间开工,只需

G2运行即可满足要求;如果两个车间开工,只需

G1运行,如果三个车间同时开工,则

G1和

G2均需运行。(1)试写出

G1、G2的逻辑表达式并化简(2)画出用与非门实现的控制

G1和

G2运行的逻辑图。设:A、B、C分别表示三个车间的开工状态:开工为“1”,不开工为“0”;G1和

G2运行为“1”,不运行为“0”复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______9年级________;层次________;专业________;姓名________复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______10年级________;层次________;专业________;姓名________电子技术标准答案

3一、单项选择题:在下列各题中,将正确的答案代码填入括号内1.P型半导体中空穴数量远比电子多得多,因此该半导体应(

C(A)

带正电

(B)

带负电

(C)

不带电)。2.三极管工作在放大区时,其各结之间的偏置为(A)。(A)

发射结正偏,集电结反偏(C)

发射结正偏,集电结正偏(B)

发射结反偏,集电结正偏(D)

发射结反偏,集电结反偏3.运

uo

A(A)

u

u

u

U)。oo(sat)o(sat)(B)

u

u

u

Uou

u时

uo

0V(C)

(D)

u

u

u

0Vo4.自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置,此装置之所以能输出信号是因为(

)。B(A)

有外加输入信号(B)

满足了自激振荡条件(C)

先施加输入信号激励振荡起来,然后去掉输入信号5.

采用差动放大电路是为了(

D)。(A)

稳定电压放大倍数

(B)增强带负载能力

(C)

提高输入阻抗

(D)克服零点漂移6.

逻辑电路如图所示,当输入

A=“0”,输入

B为正弦波时,则输出

F

应为

(A)。(A)

“1”(B)

“0”(C)

正弦波A&uBFBt7.

A路

。(A)

电压

(B)

电流

(C)

功率

(D)电阻)

电B8.已

1024×

4,

线

((a)

4

(b)

8

(c)

10

(d)

2C)。9.T

D/A

由(

A

)组

成。(a)(b)(c)TTT型电

器型电

器型电

器二、电路如下图所示,已知晶体管的电流放大系数

80

,输入电阻

rbe

2kΩ,要求:复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______11年级________;层次________;专业________;姓名________(1)

计算静态工作点;(2)

画出微变等效电路;(3)

计算电压放大倍数;(4)计算输入和输出电阻;(5)若去掉发射极旁路电容

CE,

上述电路的电压放大倍数将会怎样变化(不需计算)

?为什么?㈱灖愳k慗㠶䑉乫wC2ȫC1攫uo6k摗ui㐲怺k䉗2k敃E解:1、Vb1=(8/(8+51))*20V=2.711V,Vb1=Vbe1+(1+β1)*IB1*2K,IB1=(2.711-0.6)/(1+50)*2=0.02mA,Ic1=β1*IB1=50*0.02mA=1mA,Uce1=Vcc-Ic1*7.5-Ie1*2=20-1*7.5-(1+β1)*IB1*2=10.46V;Vcc=IB2*100+Vbe2+(1+β2)*IB2*2

IB2=19.4/202mA=0.096mA

IC2=β2*IB2=50*0.096mA=4.8mA

,Uce2=Vcc-(1+β2)*IB2*2=10.2V;2、如图3、Ri1=8k//51k//rbe1=1.33k;Ri2=7.5k//100k//(rbe2+(1+beta)*2k)=6.53k。4、Au1=uo1/ui1=-beta*ib1*7.5k/ib1*rbe1=227Au2=uo/uo1=(1+beta)ib2*2k/(rbe2+(1+beta)*2k)ib2=1复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______12年级________;层次________;专业________;姓名________总放大

Au=-Au1*Au2=-227*1=-227。三、整流滤波电路如图所示,二极管为理想元件,已知,负载电阻

RL

400

,负载两端直

流电压UO

60V

,交流电源频率

f

50Hz

。iO要求:(1)

在表中选出合适型号的二极管

;(2)

计算出滤波电容器的电容。u1u2+CRL

uO/mA/V压型号最大整流电流平均值最高反向峰值电2CP112CP122CP131001001005010015011

U160I

IO

O

0.075

A解:1.

选择整流二极管D22RL2400U60U

O

50V变压器副边电压的有效值1.2

1.2二极管承受的最高反向电压U2U

2

50

70.7

VDRM可选用二极管

2CP12IOM=100mAU=100VRWM2.

选择滤波电容器取

R

C=(3~5

)T/2L150RLC

(3

~5)

(0.03

~

0.05)

S20.03~

0.05

0.03

~

0.05C

(

75~

125

)FRL400四、

电路如图所示,已知电阻

R

20k

R

10k

R

20k

R

5k

,12F13R

25k。求:R4

RF2

50

k

,(1)

uO

的表达式5(2)

当输入电压u

2

v,u

1v时u

为多

少?I1I2ORF1uI1R1RF2R2-

∞R4uI2+-

∞uOuO1+++R3R5复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______13电子技术某大学山大专升本练习题模拟题参考答案课件14年级________;层次________;专业________;姓名________6V-0.7六

逻辑电路如图所示,写出逻辑式,化简之并说出其逻辑功能。A&B&1F11&F=

AB

AB

AB

AB

(A

B)(A

B)

AB

AB列逻辑状态表A0O11B0101F0110逻辑功能:

输入相同输出为“0”,输入相异输出为“1”,为“异或”逻辑关系。七

某工厂有

A,B,C

三台机床和两台发电机

G

G

。G

的容量为是

G

的两倍。如果一个车间开1212工,只需

G

运行即可满足要求;如果两个车间开工,只需

G

运行;如果三个车间同时开工,则

G121和

G

均需运行。试画出控制

G

G

运行的逻辑图(用与非门实现)。212(1)

根据逻辑要求列状态表首先假设逻辑变量、逻辑函数取“0”、“1”的含义。设:A、B、C分别表示三个车间的开工状态:开工为“1”,不开工为“0”;G

G

运行为“1”,不运行为“0”。12(1)

根据逻辑要求列状态表复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______15年级________;层次________;专业________;姓名________逻辑要求:如果一个车间开工,只需

G2运行即可满足要求;如果两个车间开工,只需

G

运行,如果三个车间同时开工,则

G

G

均112需运行。开工——“1”

不开工——“0”

运行——“1”

不运行——“0”复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______16年级________;层次________;专业________;姓名________复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______17年级________;层次________;专业________;姓名________电子技术参考答案一、单项选择题:在下列各题中,将正确的答案代码填入括号内1.

P

多,因

应(

C

)。(a)

电(b)

(c)

电2.

示,

件,则

D

、D

、D

工123作

为(A)。(a)

D

通,D

、D

止123(b)

D

、D

D

通312(c)

D

、D

止,

D

通132(d)

D

、D

、D

止123

12VD1R3V0VD3D2+6V3.

示,二

D

件,输

u

示i的

,则

u

为(D)。O(a)

5V(b)

10V(c)

2V(d)

7Vui5V0D++RuOutiE---5V2V4.

时,

为)。(a)

偏,集

(b)

结、集

偏(c)

结、集

(d)

偏,集

偏(B5.

Q

使

移至

Q′

需使

(C)。复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______18年级________;层次________;专业________;姓名________(a)

R增

(b)

R

小(c)

RBBC减

小ICmAQIB

40AUCE(V)QO6.采用差动放大电路是为了(

D(A)

稳定电压放大倍数

(B)增强带负载能力

(C)

提高输入阻抗

(D)克服零点漂移7.

,运

12V,设

压为

6V

u

=1V

u

于)。iO(C)。(a)

12V(b)

6V(c)0VR1-

∞uiR3uO++DZR28.自

装置,此

为((a)

号B

。(b)

件(c)

励振

来,然

号9.

荡,电

含(C)。(a)

路,负

路(b)

路、选

路(c)

路、正

路、

路10.逻

示,A=“0”,B=“1”

时,C

JK触

器(B

)。(a)

能(b)

置“0”(c)

置“1”(d)

态A"1"SD1≥1&QQQJB1CK"1"RD11.分

表,

是(

A(a)

(b)

器)。(c)

器复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______19年级________;层次________;专业________;姓名________Q20QQ00C10001110012345601011110100012.已知某半导体存储器的容量为

1024×4,则其具有的地址线数应为(C)。(a)4(b)

8(c)10(d)

213.T

D/A

由(

A

)组

成。(a)(b)(c)TTT形

器形

器形

器得分阅卷人二、计算题放

示,

50,UBE

0.

6V,R

=110

k,

R

=

10

k,

R

=6k,B1B2CRE

=400,RL

6k,

求:(1)计

点;(2)

效电路;(3)

数。12VRCRB1C2+CB++C1+E

RLuoRB2uiRE--参考答案放

示,

50,UBE

0.

6V,R

=110

k,

R

=

10

k,

R

=6k,R

=400,R

6k,

求:(1)

算B1B2CEL静

点;(2)

路;(3)

数。复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______20年级________;层次________;专业________;姓名________12VRCRB1C2+CB++C1+E

RLuoRB2uiRE--三

题电

,R

R

R

10k

,R

1k

求:2451(1)

R

,R

值。36(2)

A

u

/

u

?UFOI(3)

为15V,

u1

2V,电

压uO

?则

出R2R5uIR1

∞-+uO1

R4

∞R3+-+uO2R6+uO三、(1)

R

R

/

/R

1k

,R

R

/

/R

5k

312645(2)

A

u

/

u

20UFOI(3)

当uI

2V,

则uO

30VuOuIu

uO2O1要

点AUFuIR2uO1

uI

10uIR1R5uO2

uO1

10uIR420uIuI故AUF

20四、分析计算题复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______21年级________;层次________;专业________;姓名________整

示,二

件,电

C

500F,负载

R

5k

S

合、S

时,直

(V)的

数L12为141.4V,求:(1)

S

合、S

开时,

(A)的

;12(2)

S

开、S

时,

(A)的

;12(3)

S1、S2

时,

表(A)的

数。

(设

阻为

零,

)。AS1S2u1u2uOV+CRL解、(1)

S

合、S

:

(A)的

零。12141.

42(2)

S

开、S

闭合

时,U

V

100V;122U

0.

9U

0.9

100V

90V;O2UORL905(A)的

为mA

18mA,(3)开

S

、S

时,U

1.

2U

1.2

100V

120V;12O2UORL1205(A)的

为mA

24mA。五、

分析逻

路逻

示,写

式,

之,

表。&A&BC&&¡Ý1F五、F

ABC

A

ABCB

ABCC

(

ABC

)(

A

B

C)

ABC

(

A

B

C)复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______22年级________;层次________;专业________;姓名________

ABC

ABCA00001111B00110011C01010101F10000001电

2一

:1.(1

)P型半导体中空穴数量远比电子多得多,因此该半导体应(

C(A)

带正电

(B)

带负电

(C)

不带电)。2.(1

)三极管工作在放大区时,其各结之间的偏置为(A)。(A)

发射结正偏,集电结反偏(C)

发射结正偏,集电结正偏(B)

发射结反偏,集电结正偏(D)

发射结反偏,集电结反偏3(

1

.运

uo

A

)。(A)

u

u

u

Uoo(sat)o(sat)(B)

u

u

u

Uou

u时

uo

0V(C)

(D)

u

u

u

0Vo4.(1

)自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置,此装置之所以能输出信号是因为(

)。B(A)

有外加输入信号(B)

满足了自激振荡条件(C)

先施加输入信号激励振荡起来,然后去掉输入信号5.(1

)

采用差动放大电路是为了(D)。(A)

稳定电压放大倍数

(B)增强带负载能力

(C)

提高输入阻抗

(D)克服零点漂移6.(1

)

逻辑电路如图所示,当输入

A=“0”,输入

B为正弦波时,则输出

F

应为

(A)。(A)

“1”(B)

“0”(C)

正弦波复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______23年级________;层次________;专业________;姓名________A&uBFBt7.(2

)

(A)

馈放

((A)

电压

(B)

电流

(C)

功率)

。(D)电阻8、

(1

)

1024×

4,

线

((a)

4

(b)

8

(c)

10

(d)

2C)。9、

(1

)T

型电

D/A

由(

A

)组

成。(a)(b)(c)TTT形

器形

器形

器二.在图示放大电路中,已知UCC=12V,R

=6kΩ,R

=300Ω,R

=2.7kΩ,

R

=60kΩ,R

=20kΩ,R

=6kCE1E2B1B2LΩ

,晶体管β=50,

UBE=0.6V,

试求:(1)

静态工作点

I

、I

UCE;BCUCC(2)

画出微变等效电路;(3)

输入电阻r

、r

A

。RB1RCTiou解:晶体管交流放大计算:放大倍数

Au=u输出/u输入

u输出=ic×

(RC//RL)u输入=ib×r输入

电阻

输入电阻=基极体积电阻+(射极体积电阻+RE1)×β

基极体积电阻

射极体积电阻

相对

RE1

值很小忽略之故晶体管输入电阻近似

RE1

×β

放大倍数

Au=u

输出/u

输入

Au=

ic×

(RC//RL)/ib/(RE1

×

β

)

又因

ic=ib×β

Au=ib×

β

×

(RC//RL)/ib×(RE1

×

β

)

约去分子分母

ibAu=

β

×

(RC//RL)/(RE1×

β

)=50×

(6K//6K)/(300

×

50)=10C2C1ELECTRO1NPN++RLRE1RE2UoUiRB2-CE-GND三..图示电路,写出输出电压

u

和输入电压

u

的关oi复习资料,自我完善,年级________;层次________;专业______24年级________;层次________;专业________;姓名________系uo1

uR1

2R2o2ui1

ui2uiR1R6R4uo

(u

u

)o1

o2R1R

R

2R所以

uo

612uiR4R1四.电路如图所示,Uo(sat)=±6V

,u

=10sinωt.画出输出电压

u

的波形.io参考答案五.

有一单相桥式整流电容滤波电路,已知交流电源频率

f=50Hz,负载电阻

RL

=200,要求直流输出电压

Uo=30V,画出单相桥式整流电容滤波电路并选择整流二极管及滤波电容器。选择整流二极管:11

U130ID

I

O

0.075

A流过二极管的电流:O22RL

2

200U30U

O

25V变压器副边电压的有效值:二极管承受的最高反向电压:1.2

1.2UDRM

2U

2

25

35

VRLC=(3--5)

T/2取

RLC=5

T/21

50RLC

5

0.05

S20.05

0.05C

250

106

F

250FRL200复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______25年级________;层次________;专业________;姓名________可选用

C=250F,耐压为

50V的极性电容器六.图示电路,求输出电压

Uo参考答案:Uo=11V七.化简逻辑函数A

B

C

A

B

C

ABC

AB

C(1)(2)YYA

B

C

D

A

B

CD

AB

C

D

AB

C

D参考答案:(1)

Y

B

C

AC(2)

Y

B

D八.

某工厂有

A、B、C三个车间和一个自备电站,站内有两台发电机

G1和

G2。G1的容量是

G2的两倍。如果一个车间开工,只需

G2运行即可满足要求;如果两个车间开工,只需

G1运行,如果三个车间同时开工,则

G1和

G2均需运行。(1)试写出

G1、G2的逻辑表达式并化简(2)画出用与非门实现的控制

G1和

G2运行的逻辑图。设:A、B、C分别表示三个车间的开工状态:开工为“1”,不开工为“0”;G1和

G2运行为“1”,不运行为“0”复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______26年级________;层次________;专业________;姓名________复习资料,自我完善,仅供参考,考完上交!年级________;层次________;专业______27年级________;层次________;专业________;姓名________电子技术标准答案

3一、单项选择题:在下列各题中,将正确的答案代码填入括号内1.P型半导体中空穴数量远比电子多得多,因此该半导体应(

C(A)

带正电

(B)

带负电

(C)

不带电)。2.三极管工作在放大区时,其各结之间的偏置为(A)。(A)

发射结正偏,集电结反偏(C)

发射结正偏,集电结正偏(B)

发射结反偏,集电结正偏(D)

发射结反偏,集电结反偏3.运

uo

A(A)

u

u

u

U)。oo(sat)o(sat)(B)

u

u

u

Uou

u时

uo

0V(C)

(D)

u

u

u

0Vo4.自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置,此装置之所以能输出信号是因为(

)。B(A)

有外加输入信号(B)

满足了自激振荡条件(C)

先施加输入信号激励振荡起来,然后去掉输入信号5.

采用差动放大电路是为了(

D)。(A)

稳定电压放大倍数

(B)增强带负载能力

(C)

提高输入阻抗

(D)克服零点漂移6.

逻辑电路如图所示,当输入

A=“0”,输入

B为正弦波时,则输出

F

应为

(A)。(A)

“1”(B)

“0”(C)

正弦波A&uBFBt7.

A路

。(A)

电压

(B)

电流

(C)

功率

(D)电阻)

电B8.已

1024×

4,

线

((a)

4

(b)

8

(c)

10

(d)

2C)。9.T

D/A

由(

A

)组

成。(a)(b)(c)TTT型电

器型电

器型电

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