STM32使用FSMC控制NANDflash例程概要

STM32使用FSMC控制NANDflash例程大纲STM32使用FSMC控制NANDflash例程大纲STM32使用FSMC控制NANDflash例程大纲EvaluationOnly.CreatedwithAspose.PDF.Copyright2002-2020AsposePtyLtd.本文原创于观海听涛原作者版权所有,转载请注明出处。近几天开发项目需要用到STM32驱动NANDFLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页我要用到的FLASH为1Gbit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔录将说明如何将默认固件库更正为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,储藏器:HY27UF081G2A第一说一下NOR与NAND储藏器的差异,此类差异网上有很多,在此仅大体说明:1、Nor读取速度比NAND稍快2、Nand写入速度比Nor快很多3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s4、Nor带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址能够很轻松的挂接到CPU地址和数据总线上对CPU要求低5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,平时需要CPU支持驱动且较为复杂6、Nor主要据有1-16M容量市场,并且能够片内执行适合代码储藏7、NAND据有8-128M及以上市场,平时用来作数据储藏8、NAND低价一些9、NAND寿命比Nor长10、NAND会产生坏块,需要做坏块办理和ECC更详细差异请连续百度以上内容部分摘自神舟三号开发板手册EvaluationOnly.CreatedwithAspose.PDF.Copyright2002-2020AsposePtyLtd.下面是NAND的储藏结构:由此图可看出NAND储藏结构为立体式正如硬盘的盘片被分为磁道每个磁道又分为若干扇区,一块nandflash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、之间的关系随着芯片的不同样而不同样。需要注意的是对于flash的读写都是以一个开始的,但是在读写从前必定进行flash的擦写,而擦写则是以一个block为单位的。我们此次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍:MemoryCellArray=(2K+64Bytesx64Pagesx1,024Blocks因此可知该NAND每页2K,共64页,1024块。其中:每页中的2K为主容量DataField,64bit为额外容量SpareField。SpareField用于存贮检验码和其他信息用的其实不能够存放实质的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口:由此图可见此颗粒为八位总线,地址数据复用芯片为SOP48封装。软件驱动:(此部分写的是伪码,仅用于讲解含义,可用代码拜会附件主程序:#defineBUFFER_SIZE0x2000//此部分定义缓冲区大小,即一次写入的数据#defineNAND_HY_MakerID0xAD//NAND厂商号#defineNAND_HY_DeviceID0xF1//NAND器件号/*配置与SRAM连接的FSMCBANK2NAND*/EvaluationOnly.CreatedwithAspose.PDF.Copyright2002-2020AsposePtyLtd.NAND_Init(;/*读取NandFlashID并打印*/NAND_ReadID(&NAND_ID;复制代码Tips:NAND器件的ID包含四部分:1stManufacturerCode2ndDeviceIdentifier3rdInternalchipnumber,cellType,NumberofSimultaneouslyProgrammedpages.4thPagesize,sparesize,Blocksize,Organization==NAND_HY_MakerID&&==NAND_HY_DeviceID//判断器件吻合{/*设置NANDFLASH的写地址*/=0x00;=0x00;=0x05;/*擦除待写入数据的块*/status=NAND_EraseBlock(WriteReadAddr;//写入前必定擦出EvaluationOnly.CreatedwithAspose.PDF.Copyright2002-2020AsposePtyLtd./*将写NandFlash的数据BUFFER填充为从0x25开始的连续递加的一串数据*/Fill_Buffer(TxBuffer,BUFFER_SIZE,0x25;//填充数据以测试/*将数据写入到NandFlash中。WriteReadAddr:读写的初步地址*/status=NAND_WriteSmallPage(TxBuffer,WriteReadAddr,PageNumber;//主要写入函数此部分默认为小页需要更正/*从NandFlash中读回刚写入的数据。读写的初步地址*/status=NAND_ReadSmallPage(RxBuffer,WriteReadAddr,PageNumber;/取主要函数也需要更正/*