《集成电路工艺原理》考核大纲

1、集成电路工艺原理课程考核大纲一、适应对象修读完本课程规定内容的电子科学与技术专业的本科学生；提出并获准免修本课程、申请进行课程水平考核的电子科学与技术专业的本科学生；提出并获准副修第二专业、申请进行课程水平考核的非电子科学与技术专业的本科学生；二、考核目的考核学生对集成电路工艺原理的基本原理，基本概念和分析方法的掌握情况，为本专业 学生将来从事微电子、集成电路设计、电子材料及相关学科的科学研究、工程设计奠定扎实的理 论与实践基础。三、考核形式与方法考试方式将结合平时作业、出勤和期末考试的各个环节，使学生能够注重平时学习的过程， 改变学生从应试型到能力型。考试内容侧重于集成电路的基础工艺、基本原

2、理及集成电路芯片制 造技术。四、课程考核成绩构成考核方式：考查期评成绩（100%）=平时成绩（40%）+期考成绩（60%）.免修的本科学生的“期评成绩等于其期考成绩五、考核内容与要求第一章、单晶硅特性考核内容：1、硅晶体的结构特点考核要求：掌握硅衬底的制造工艺及相关理论，掌握单晶硅特性，硅晶体的结构特性，掌握集成电路工 艺中用到的一些固态电子学理论。第二章、硅片的制备考核内容：1、多晶硅的制备2、单晶硅生长3、切制硅片考核要求：掌握硅片的制备过程，掌握单晶硅锭的主要拉制方法，掌握硅片的制备和检测方法。第三章、外延考核内容：1、外延概念和种类考核要求：掌握外延硅片的制备原理方法，掌握气相外延、分

3、子束外延以及新出现的外延技术。第四章、热氧化考核内容：1、硅的热氧化2、初始氧化阶段及薄氧化层制备3、热氧化过程中杂质的再分布4、氧化层的质量及检测考核要求：掌握在硅片上热生长二氧化硅薄膜的工艺流程，掌握二氧化硅薄膜的质量检测方法，掌握二 氧化硅薄膜的其他生长方法。第五章、扩散考核内容：I、晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程2、杂质的扩散掺杂3、热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素4、扩散工艺条件与方法5、扩散工艺质量与检测考核要求：掌握以热扩散方法进行定域定量掺杂工艺，掌握晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程， 掌握热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素，掌握扩散工艺质量与检测方法。第六章、离子

4、注入考核内容：1、离子注入原理2、注入离子在靶中的分布3、离子注入设备与工艺考核要求：掌握以离子注入和退火相结合的定域定量掺杂工艺，掌握注入离子在靶中的分布，掌握离子 注入设备与工艺。第七章、化学气相淀积考核内容：1、CVD工艺原理2、CVD工艺方法考核要求：掌握采用化学气相沉积方法制备介质薄膜和多晶硅薄膜的薄膜淀积工艺，掌握二氧化硅薄 膜、氮化硅薄膜、多晶硅薄膜以及金属化合物薄膜的淀积。第八章、物理气相淀积考核内容：1、真空系统及真空的获得2、真空蒸镀、溅射3、PVD金属及化合物薄膜考核要求：掌握采用物理气相沉枳方法制备金属薄膜、合金薄膜和化合物薄膜的薄膜沉枳工艺。第九章、光刻工艺考核内容：

5、1、基本光刻工艺流程2、光刻技术中的常见问题考核要求：掌握在硅片薄膜上光刻图形的工艺流程和一些光刻过程中的常见问题。第十章、光刻技术考核内容：1、光刻掩模版的制造2、光刻胶3、光学分辨率增强技术4、紫外光曝光技术5、光刻设备考核要求：掌握光刻工艺中所用的光刻板、光刻胶以及光刻工艺，掌握光刻掩模板的制造，掌握紫外光 曝光技术以及其他曝光技术。第十一章、刻蚀技术考核内容：1、湿法刻蚀2、干法刻蚀考核要求：掌握干法和湿法薄膜刻蚀技术工艺第十二章、工艺集成考核内容：1、金属化与多层互连2、CMOS集成电路工艺3、双极型集成电路工艺考核要求：掌握典型工艺集成模块、典型分立器件和集成电路的工艺流程。第十三章、工艺监控考核内容：1、实时监控2、工艺检测片3、集成结构