双基极二极管

1、双基极二极管(精)双基极二极管(精)5/5双基极二极管(精)双基极二极管双基极二极管又称单结晶体管，拥有两个基极，一个发射极的三端负阻器件，它拥有频次易调、温度坚固性好等特色，用于张驰振荡电路，准时电压读出电路中。双基极二极管又称单结晶体管，他有两个基极和一个发射极，如图(a)所示。两个基极分别由Bl和B2表示，发射极用E表示。图的(b)为双基极二极管的图形符号。双基极二极管的参数中基极间电阻BB是指发射极开路状态下，两个基极的电阻。而分压比是指发射极E到基极由之间电压和基极B2到Bl之间的电压之比。以上两个参数是双基极二极管的主要参数。谷点电压v是表示双基极二极管由负阻区进人饱和区的分界点时

2、，与其对应的发射区电压。即双基极二极管赴于导通状态的最小电压值，如发射极电压E低于谷点电压v，双基极二极管就进大了截止状态。双基极二极管的主要参数（1）基极间电阻Rbb：发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2-10千欧，其数值随温度上涨而增大。（2）分压比：由管子内部构造决定的常数，一般为。（3）eb1间反向电压Vcb1：b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。（4）反向电流Ieo：b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。（5）发射极饱和压降Veo：在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。（6）峰点电流Ip：单结晶体管刚开始导通时，发射极

3、电压为峰点电压时的发射极电流。双基极二极管(单结晶体管)的构造双基极二极管又称为单结晶体管，它的构造如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两头各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较凑近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB，一般在215k之间，RBB一般可分为两段，RBB=RB1+RB2，RB1是第一基极B1至PN结的电阻；RB2是第一基极B2至PN结的电阻。双基极二极管的符号见图1的右边。单结晶体管的伏安特色曲线1调理RP，使UE从零渐渐增添。当UE比较小时（UEUBBUD），单结晶体管内的PN结处于反向偏置

4、，E与B1之间不可以导通，表现很大电阻。当UE很小时，有一个很小的反向漏电流。跟着UE的增高，这个电流渐渐变为一个大概几微安的正向漏电流。这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管还没有导通的一段。双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，察看其特色。第一在两个基极之间加电压UBB，再在发射极E和第一基极1之间加上电压UE，UE可以用电位器PBR进行调理。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻RB1、RB2构成的等效电路代替。(a)(b)双基极二极管的应用图1（a）是由单结晶体管构成的张弛振荡电路。可从电阻R1上拿出脉冲电压ug。

5、图的R1和R2是外加的，不是图1(b)中的RB1和RB2。图1单结晶体管张弛振荡电路假定在接通电源以前，图1(a)中电容C上的电压uc为零。接通电源U后，它就经R向电容器充电，使其端电压按指数曲线高升。电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极E和第一基极B1之间。当uc等于单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管导通，电阻RB1急剧减小（约20），电容器向R1放电。因为电阻R1获得较小，放电很快，放电电流在R1上形成一个脉冲电压ug，如图1(b)所示。因为电阻R获得较大，当电容电压降落到单结晶体管的谷点电压时，电源经过电阻R供应的电流小于单结晶体管的谷点电流，于是单结晶体管截止。电源再次经R向电容C充电，重复上述过程。于是在电阻R1上就获得一个的脉冲电压ug。但因为图1（a）的电路起不到如后述的“同步”作用，不可以用来触发晶闸管。单结晶体管触发电路单结晶体管触发电路如图2所示，带有放大器。晶体管T1和T2构成直接耦合直流放大电路。T1是NPN型管，T2是PNP型管。UI是触发电路的输入电压，由各样信号叠加在一同而得。UI经T1放大后加到T2。当UI增大时，IC1就增大，而使T1的集电极电位UC1，即T2的基极电位UB2降低，T2更加导通，IC2增大，这相当于晶体管T2的电阻变小。同理，UI减小时，T2的电阻变大。所以，T2相当于一个可变电