COB封装技术首次调查报告(现有正装、倒装COB制造技术调研)

1、COB-COB一、 COB 概述次要局部COB LEDCOB LEDchip On board，就是将裸芯片用导电或非导电胶粘附COBLEDCOBLED source,COB LED module。COB LED正装局部：热压焊利用加热和加压力使金属丝与焊区压焊在一起。其原理是通过加热AI)化层，从而使原子间产生吸引力到达“键合”的目的，此外，两金COG。超声焊超声焊是利用超声波发生器产生的能量，通过换能器在超高频的磁AI丝在被焊区的金属化层如(AIAI 丝和 AI AI 层界面的氧化层，接。主要焊接材料为铝线焊头，一般为楔形。金丝焊球焊在引线键合中是最具代表性的焊接技术，由于现在的半导体封A

2、U焊点结实(直径为 25UM 的 AU 丝的焊接强度一般为 0.07 0.09N/15/也叫热(压)(超)声焊主要键合材料为金(AU)线焊头为球形故为球 焊。共晶焊：共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的平衡反响。其熔化温度称共晶温度。共晶合金的根本特性是：两种不同的金属可在远低于各自的熔点温度下按肯定重量比例形成合金。共晶焊接技术最关键是共晶材料的选择及焊接温度的把握。GaN合金作接触面镀层，晶粒可焊接于镀有金或银的基板上。当基板被加热至适合的共晶温度时，金或银元素渗透到金锡合金层，合金层成份的转变提

3、高溶点，令共晶层固化并将LED板上。COB LED第一步：扩晶。承受扩张机将整张LEDLED其次步：支架点胶。第三步：Diebond。将芯片固定在支架上。第四步：烘烤。使芯片与支架结合严密第五步：bonding(打线)。使芯片电极与支架上的电源接口连接。第六步：灌胶。灌入荧光粉及最外层的硅胶或环氧树脂。第七步：固化。将封好胶的基板板放入烘箱中恒温静置，依据要求可设定不同的烘干时间。第八步：后测。二、 以图片讲解常见的正装 COB 封装及支架的形式主要局部 1多数为直接灌胶，基板四周有阻挡胶水外溢的阻挡围栏；少局部为每个芯片的固晶位置单独点胶，每个芯片的固晶位置留有点胶的凹痕。在陶瓷COB直接整

4、面灌胶：逐个芯片灌胶：2支架为多层构造，多数是表层走线，然后在导线上掩盖绝缘层；也有少局部是底层走线，层与层之间绝缘，通过导线连接指定位置。以下图为表层走线，使用绝缘物质掩盖，表层可见走线纹理：下面图片为内部走线，表层无走线纹理：3COBCOB瓷基COB四溢；陶瓷基灯珠使用贴片式贴胶，四周没有凸起的护栏。上图为铝基COB灯完全全都。COB上图为陶瓷基COB陶瓷表层的，芯片也直接贴在陶瓷基板上。焊线与一般单灯全都。三、 正装 COB 封装的几项核心技术主要局部1、COB 使用共性化设计，生产者可以自行设计基板电路；目前较常见的 COB 基板设计根本是单纯的串联或并联，在电路上没有设计难度。假设承

5、受倒装Led度此类基板市面上可以直接买到。2COB热问题是COBCOB是因散热问题导致。3、基板材料选择：COB早期：铜。现在根本不再使用。中期普及：铝。价格廉价，设计简洁，散热稍差，会导电。目前应用最广泛较高的技术水平为：陶瓷Al2O3散热较好，不导电。目前高端COB台湾最应用：硅，产出良率低，生产难度高，散热较好，半导体，具备肯定绝缘力量。目前市面上不常见。4、COB 基板的封装与应用一体化，将封装与应用集中在一起可产生较高的效益。综合来看，正装 COB 在设计和生产环节上并无太多难度，假设我司想生产陶瓷基的 COBCOB珠的设计功率选择芯片例如1130或0815都可以使用晶和焊线即可。四

6、、 倒装 COB 封装的几项核心技术主要局部COB力量，同时将固晶、焊线两步整合为一步。倒装COB更低、光效更高等优点，同时因其制造工艺简单，其利润也较高。COB1、 芯片制造：倒装芯片的制造与一般芯片略有差异，倒装芯片的整个 P-GaN 使用镍Ni作为粘和材料。N-GaNP和N2、 共晶焊接倒装芯片与基板之间的结合使用共晶焊接，一般是先在芯片的外表溅射金锡合金Au-S共晶温度27，常见浓度为30%S将芯片与基板焊接在一起。3、 背出光效率倒装芯片使用正面反光，反面出光。光从量子井发出后要经过 N2.4，蓝宝石折射率约为1.1.1。光从高折射率物质向低折射率物质运动时，在穿过物质结合面时会发生全反射，导致光在物质内部被消耗掉，使出光量降低。因此在设计倒装LEDPSS和蓝宝石衬底最下层的外表形貌改善来实现。