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1、模拟电子技术 基放 频率特性第1页，共11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四第3章 晶体管放大电路(2)3.4 基本共射放大电路频率特性总第八次课3.4.1 频率特性函数 1. 低频特性及低频渐进线 2. 中频特性 3. 高频特性及高频渐进线3.4.2 频带参数与耦合电容 1. 已知耦合电容计算下限频率 2. 已知下限频率计算耦合电容 3. 上限频率3.4.3 对数频率特性-波德图 1. 对数幅频特性曲线 2. 半对数相频特性曲线作业: 3.8，3.9第2页，共11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四第3页，共11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四 第4页，共

2、11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四第5页，共11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四第6页，共11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四第7页，共11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四第8页，共11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四第9页，共11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四第10页，共11页，2022年，5月20日，6点36分，星期四基本共射放大电路设计步骤(1) 根据输出范围、效率和负载最大功率综合要求确定安伏变换器与负载电阻比Rc/RL，通常可取Rc/RL=12，即取Rc=(12)RL。(2) 根据RL、Rc及晶体管值和输出范围最大要求确定基极临界偏置电阻Rb。(3) 根据频带上限要求确定晶体管型号，根据频带下限要求确定耦合电容C1、C2。(4) 计算BJT集电极临界偏置电流、集-射临界偏置压降以备检查。(5) 确认放大倍数、输入电阻

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