太阳能电池发展历史独家收集整理

1、太阳能电电池的发发展历史史太阳能光光伏发电电最核心心的器件件太阳阳电池。从18339年法法国科学学家E. Beecquuereel发现现液体的的光生伏伏特效应应（简称称光伏现现象）算算起，太太阳能电电池已经经经过了了1600多年的的漫长的的发展历历史。从从总的发发展来看看，基础础研究和和技术进进步都起起到了积积极推进进的作用用。对太太阳电池池的实际际应用起起到决定定性作用用的是美美国贝尔尔实验室室三位科科学家关关于单晶晶硅太阳阳电池的的研制成成功，在在太阳电电池发展展史上起起到里程程碑的作作用。至至今为止止，太阳阳能电池池的基本本结构和和机理没没有发生生改变。太阳电池池后来的的发展主主要是薄薄

2、膜电池池的研发发，如非非晶硅太太阳电池池、CIIS太阳阳电池、CdTTe太阳阳电池和和纳米燃燃料敏化化太阳电电池等，此外主主要的是是生产技技术的进进步，如如丝网印印刷、多多晶硅太太阳电池池生产工工艺的成成功开发发，特别别是氮化化硅薄膜膜的减反反射和钝钝化技术术的建立立以及生生产工艺艺的高度度自动化化等。回顾历史史有利于于了解光光伏技术术的发展展历程，按时间间的发展展顺序，将于太太阳电池池发展有有关的历历史事件件汇总如如下：18893年年法国实实验物理理学家EE.Beecquuereel发现现液体的的光生伏伏特效应应，简称称为光伏伏效应。18877年年W.GG.Addamss和R.E.DDay研

3、研究了硒硒（See）的光光伏效应应，并制制作第一一片硒太太阳能电电池。18883年年美国发发明家CCharrlessFriittss描述了了第一块块硒太阳阳能电池池的原理理。19904年年Halllwaachss发现铜铜与氧化化亚铜（Cu/Cu22O）结结合在一一起具有有光敏特特性；德德国物理理学家爱爱因斯坦坦（AllberrtEiinstteinn）发表表关于光光电效应应的论文文。19918年年波兰科科学家CCzocchraalskki发展展生长单单晶硅的的提拉法法工艺。19921年年德国物物理学家家爱因斯斯坦由于于19004年提提出的解解释光电电效应的的理论获获得诺贝贝尔（NNobeel）

4、物物理奖。19930年年B.LLangg研究氧氧化亚铜铜/铜太太阳能电电池，发发表“新型光光伏电池池”论文；W.SSchoottkky发表表“新型氧氧化亚铜铜光电池池”论文。19932年年Auddobeert和和Stoora发发现硫化化镉(CCdS)的光伏伏现象。19933年年L.OO.Grronddahll发表“铜-氧氧化亚铜铜整流器器和光电电池”论文.19951年年生长pp-n结结，实现现制备单单晶锗电电池。19953年年Wayyne州州立大学学DannTriivicch博士士完成基基于太阳阳光普的的具有不不同带隙隙宽度的的各类材材料光电电转换效效率的第第一个理理论计算算。19954年年R

5、CAA实验室室的P.Rapppapportt等报道道硫化镉镉的光伏伏现象，(RCCA:RRadiioCoorpoorattionnofAAmerricaa,美国国无线电电公司)。贝尔尔(Beell)实验室室研究人人员D.M.CChappin,C.SS.Fuulleer和GG.L.Peaarsoon报道道4.55%效率率的单晶晶硅太阳阳能电池池的发现现，几个个月后效效率达到到6%。19955年年西部电电工（WWestternnEleectrric）开始出出售硅光光伏技术术商业专专利，在在亚利桑桑那大学学召开国国际太阳阳能会议议，Hooffmman电电子推出出效率为为2%的的商业太太阳能电电池产品

6、品，电池池为144mW/片，225美元元/片，相当于于17885USSD/WW。19956年年P.PPapppapoort,J.JJ.Looferrskii和E.G.LLindder发发表“锗和硅硅p-nn结电子子电流效效应”的文章章。19957年年Hofffmaan电子子的单晶晶硅电池池效率达达到8%；D.M.CChappin,C.SS.Fuulleer和GG.L.Peaarsoon获得得“太阳能能转换器器件”专利权权。19958年年美国信信号部队队的T.Manndellkorrn制成成n/pp型单晶晶硅光伏伏电池，这种电电池抗辐辐射能力力强，这这对太空空电池很很重要；Hofffmaan电子

7、子的单晶晶硅电池池效率达达到9%；第一一个光伏伏电池供供电的卫卫星先锋锋1号发发射，光光伏电池池1000c，0.1W,为一备备用的55mW话话筒供电电。19959年年Hofffmaan电子子实现可可商业化化单晶硅硅电池效效率达到到10%，并通通过用网网栅电极极来显著著减少光光伏电池池串联电电阻；卫卫星探险险家6号号发射，共用996000片太阳阳能电池池列阵，每片22c，共220W。19960年年Hofffmaan电子子实现单单晶硅电电池效率率达到114%。19962年年第一个个商业通通讯卫星星Tellstaar发射射，所用用的太阳阳能电池池功率114W。19962年年第一个个商业通通讯卫星星T

8、ellstaar发射射，所用用的太阳阳能电池池功率114W。19962年年第一个个商业通通讯卫星星Tellstaar发射射，所用用的太阳阳能电池池功率114W。19963年年Shaarp公公司成功功生产光光伏电池池组件；日本在在一个灯灯塔安装装2422W光伏伏电池阵阵列，在在当时是是世界最最大的光光伏电池池阵列。19964年年宇宙飞飞船“光轮发发射”，安装装4700W的光光伏阵列列。19965年年PetterGGlasser和和A.DD.Liittlle提出出卫星太太阳能电电站构思思。19966年年带有110000W光伏伏阵列大大轨道天天文观察察站发射射。19972年年法国人人在尼日日尔一乡乡

9、村学校校安装一一个硫化化镉光伏伏系统，用于教教育电视视供电。19973年年美国特特拉华大大学建成成世界第第一个光光伏住宅宅。19974年年日本推推出光伏伏发电的的“阳光计计划”；Tyyco实实验室生生长第一一块EFFG晶体体硅带，25mmm宽，4577mm长长(EFFG:EEdgeedeffineedFiilmFFed-Groowthh，定边边喂膜生生长)。19977年年世界光光伏电池池超过5500KKW；DD.E.Carrlsoon和CC.R.Wroonskki在WW.E.Speear的的19775年控控制p-n结的的工作基基础上制制成世界界上第一一个非晶晶硅(aa-Sii)太阳阳能电池池。

10、19979年年世界太太阳能电电池安装装总量达达到1MMW。19980年年ARCCO太阳阳能公司司是世界界上第一一个年产产量达到到1MWW光伏电电池生产产厂家；三洋电电气公司司利用非非晶硅电电池率先先制成手手持式袖袖珍计算算器，接接着完成成了非晶晶硅组件件批量生生产并进进行了户户外测试试。19981年年名为SSolaarChhalllengger的的光伏动动力飞机机飞行成成功。19982年年世界太太阳能电电池年产产量超过过9.33MW。19983年年世界太太阳能电电池年产产量超过过21.3MWW；名为为SollarTTrekk的1KKW光伏伏动力汽汽车穿越越澳大利利亚，220天内内行程达达到40

11、000KKm.19984年年面积为为9299c的商品品化非晶晶硅太阳阳能电池池组件问问世。19985年年单晶硅硅太阳能能电池售售价100USDD/W；澳大利利亚新南南威尔土土大学MMarttinGGreeen研制制单晶硅硅的太阳阳能电池池效率达达到200%。19986年年6月，ARCCOSoolarr发布GG-40000世世界首例例商用薄薄膜电池池“动力组组件”。19987年年11月月，在331000Km穿穿越澳大大利亚的的PenntaxxWorrldSSolaarChhalllenggePVV-动力力汽车竞竞赛上，GMSSunrrayccer获获胜，平平均时速速约为771kmm/h。1999

12、0年年世界太太阳能电电池年产产量超过过46.5MWW。19991年年世界太太阳能电电池年产产量超过过55.3MWW；瑞士士Graatzeel教授授研制的的纳米TTiO22染料敏敏化太阳阳能电池池效率达达到7%。19992年年世界太太阳能电电池年产产量超过过57.9MWW。19993年年世界太太阳能电电池年产产量超过过60.1MWW。19994年年世界太太阳能电电池年产产量超过过69.4MWW。19995年年世界太太阳能电电池年产产量超过过77.7MWW；光伏伏电池安安装总量量达到5500MMW。19996年年世界太太阳能电电池年产产量超过过88.6MWW。19997年年世界太太阳能电电池年产产

13、量超过过1255.8MMW。19998年年世界太太阳能电电池年产产量超过过1511.7MMW；多多晶硅太太阳能电电池产量量首次超超过单晶晶硅太阳阳能电池池。19999年年世界太太阳能电电池年产产量超过过2011.3MMW；美美国NRREL的的M.AA.Coontrreraas等报报道铜铟铟锡（CCIS）太阳能能电池效效率达到到18.8%；非晶硅硅太阳能能电池占占市场份份额122.3%。20000年年世界太太阳能电电池年产产量超过过3999MW；WuXX.，DDherreR.G.，AibbinDD.S.等报道道碲化镉镉（CddTe）太阳能能电池效效率达到到16.4%；单晶硅硅太阳能能电池售售价约

14、为为3USSD/WW。20002年年世界太太阳能电电池年产产量超过过5400MW；多晶硅硅太阳能能电池售售价约为为2.22USDD/W。20003年年世界太太阳能电电池年产产量超过过7600MW；德国FFrauunhooferrISEE的LFFC（LLaseerfiiredd-coontaact）晶体硅硅太阳能能电池效效率达到到20%。20004年年世界太太阳能电电池年产产量超过过12000MWW；德国国FraaunhhofeerISSE多晶晶硅太阳阳能电池池效率达达到200.3%；非晶晶硅太阳阳能电池池占市场场份额44.4%，降为为19999年的的1/33，CddTe占占1.11%；而而CI

15、SS占0.4%。20055年世界界太阳能能电池年年产量117599MW。20066年世界界太阳能能电池年年产量225000MW。20077年世界界太阳能能电池年年产量444500MW。20088年世界界太阳能能电池年年产量779000MW。20099年世界界太阳能能电池年年产量1107000MWW。20100年世界界太阳能能电池年年产量将将达1552000MW.我国太阳阳能发电电发展历历史19588，我国国研制出出了首块块硅单晶晶19688年至119699年底，半导体体所承担担了为“实践11号卫星星”研制和和生产硅硅太阳能能电池板板的任务务。在研研究中，研究人人员发现现，P+/N硅硅单片太太阳

16、电池池在空间间中运行行时会遭遭遇电子子辐射，造成电电池衰减减，使电电池无法法长时间间在空间间运行。19699年，半半导体所所停止了了硅太阳阳电池研研发，随随后，天天津188所为东东方红二二号、三三号、四四号系列列地球同同步轨道道卫星研研制生产产太阳电电池阵。19755年宁波波、开封封先后成成立太阳阳电池厂厂，电池池制造工工艺模仿仿早期生生产空间间电池的的工艺，太阳能能电池的的应用开开始从空空间降落落到地面面。19988年，我我国政府府开始关关注太阳阳能发电电，拟建建第一套套3MWW多晶硅硅电池及及应用系系统示范范项目，这个消消息让现现在的天天威英利利新能源源有限公公司的董董事长苗苗连生看看到了

17、一一线曙光光。可是是，当时时太阳能能产业发发展前景景尚不明明朗，加加之受政政策因素素制约，令不少少人对这这一新能能源项目目望而却却步。在在合作伙伙伴退出出的情况况下，苗苗连生毅毅然逆势势而上，争取到到了这个个项目的的批复，成为中中国太阳阳能产业业第一个个“吃螃蟹蟹”的人。20011年，无无锡尚德德建立110MWWp(兆兆瓦)太太阳电池池生产线线获得成成功，220022年9月月，尚德德第一条条10MMW太阳阳电池生生产线正正式投产产，产能能相当于于此前四四年全国国太阳电电池产量量的总和和，一举举将我国国与国际际光伏产产业的差差距缩短短了155年。20033到20005年年，在欧欧洲特别别是德国国

18、市场拉拉动下，尚德和和保定英英利持续续扩产，其他多多家企业业纷纷建建立太阳阳电池生生产线，使我国国太阳电电池的生生产迅速速增长。20044年，洛洛阳单晶晶硅厂与与中国有有色设计计总院共共同组建建的中硅硅高科自自主研发发出了112对棒棒节能型型多晶硅硅还原炉炉，以此此为基础础，20005年年，国内内第一个个3000吨多晶晶硅生产产项目建建成投产产，从而而拉开了了中国多多晶硅大大发展的的序幕。20077，我国国成为生生产太阳阳电池最最多的国国家，产产量从220066年的4400MMW一跃跃达到110888MW。20088年，我我国太阳阳电池产产量达到到26000MWW。20099年，我我国太阳阳电池产产量达到到40000MWW。表1：22000020009年全全球太阳阳能电池池产量变变化情况况（单位位；MWW）年份20000200112002220033200442005520066200772008820099美国74.997100.3120103.2140154202266.1432600日本128.6172.4251363.916028339289201300018000世界其他他20.00222.994573.8889102314663