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文档简介

1、高校物理下归纳总结电学基本要求:1会求解描述静电场的两个重要物理量:电场强度 E 和电势 V;2把握描述静电场的重要定理:高斯 定理和 安培环路 定理(公式内容及物理意义);3把握导体的静电平稳及应用;介质的极化机理及介质中的高斯定理;主要公式:一、 电场强度1点电荷场强:E4qr2re运算场强的方法(03 种)1、点电荷场的场强及叠加原理点电荷系场强:Ei4Q irr i3dE、分解、积分 ,等于该曲面内包围的电0连续带电体场强:EQ4rdQ30r(五步走积分法)建立坐标系、取电荷元、写2、静电场高斯定理:表达式:esEd S0q电通量 (电场强度沿任意闭合曲面的面积分)物理意义: 说明静电

2、场中,通过任意闭合曲面的荷代数和除以0;s Ed Sq对称性带电体场强: (用高斯定理求解)e3、利用电场和电势关系:0UExx二、电势电势及定义:1电场力做功:Aq 0Uq0l2Eldl 12. 静电场 安培环路定理:静电场的保守性质表达式:lEld0d0;物理意义: 说明静电场中 ,电场强度沿任意闭合路径的线积分为3电势:Uap 0Eld Up00 ;电势差:UABBElaA电势的运算:1点电荷场的电势及叠加原理点电荷电势:V4q0rdV 、积分 点电荷系电势:Ui4Q iri0连续带电体电势:VdV4dqr0(四步走积分法)建立坐标系、取电荷元、写2已知场强分布求电势:定义法VlEldv

3、 0Edrp三、静电场中的导体及电介质1. 弄清静电平稳条件及静电平稳下导体的性质Pv, 会用介质中的高斯定理,求对称或分区匀称问题中2. 明白电介质极化机理,及描述极化的物理量电极化强度 v v v的 D E P 及界面处的束缚电荷面密度;3. 会按电容的定义式运算电容;典型带电体系的场强40cos1cos2典型带电体系的电势0 匀称带电球面匀称带电球面E0球面内U4q0RE4qrr3球面外匀称带电无限长直线0匀称带电直线EU2lna U a无限长:E20rr0匀称带电无限大平面匀称带电无限大平面E20UEdd02磁学恒定磁场(非保守力场)基本要求:1熟识毕奥 - 萨伐尔定律的应用,会用右手

4、螺旋法就求磁感应强度方向;3把握描述磁场的两个重要定理:高斯 定理和 安培环路 定理(公式内容及物理意义);并会用环路定理运算规章电流的磁感应强度;3会求解载流导线在磁场中所受 安培力 ;4懂得介质的磁化机理,会用介质中的环路定律运算 H及 B. 主要公式:1毕奥 -萨伐尔定律表达式:dB40Idl2e r;)r1)有限长载流直导线,垂直距离r 处磁感应强度:B40Icos1cos2r(其中1 和2分别是起点及终点的电流方向与到场点连线方向之间的夹角无限长载流直导线,垂直距离r 处磁感应强度:B20Ir半无限长载流直导线,过端点垂线上且垂直距离r 处磁感应强度:B40Ir2)圆形载流线圈,半径

5、为R,在圆心 O处:B00I2R半圆形载流线圈,半径为R,在圆心 O处:B040IR3)螺线管及螺绕环内部磁场 自己看书,把公式记住 2磁场高斯定理 :表达式:ms Bd S0(无源场 ) 由于磁场线是闭合曲线, 从闭合曲面一侧穿入, 必从另一侧穿出. 0倍;0称物理意义: 说明稳恒磁场中,通过任意闭合曲面的磁通量 (磁场强度沿任意闭合曲面的面积分)等于0;3磁场安培环路定理:lBld0I(有旋场 )表达式:lBld0I物理意义: 说明稳恒磁场中, 磁感应强度B 沿任意闭合路径的线积分,等于该路径内包围的电流代数和的真空磁导率4. 洛伦兹力及安培力1)洛伦兹力 :FlqvB(磁场对运动电荷的作

6、用力)2)安培力 :FIdlB(方向沿IdlB方向,或用 左手定就 判定)积分法五步走 :1. 建坐标系 ;2. 取电流元Idl;3. 写dFIdlBsin;4. 分解 ;5. 积分 . 3)载流闭合线圈所受磁力矩:MmB(要懂得磁矩的定义及意义)5.介质中的磁场1)介质的磁化机理及三种磁介质2)有磁介质的安培环路定理:lHldIHB电磁感应基本要求:1 懂得法拉第电磁感应定律和楞次定律的内容及物理意义;2 会求解 感应电动势及动生电动势 的大小和方向;明白自感及互感;3 把握麦克斯韦方程组及意义,明白电磁波;主要公式:1法拉第电磁感应定律:d,会用楞次定律判定感应电动势方向;d t2动生电动

7、势l v B ld l vB sin dl cos是 v 与 B 的夹角 ;是 v B 的方向与 L 方向的夹角 .注:感应电动势的方向沿 v B 的方向,从 低电势 指向 高电势 ;3感生电动势及感生电场:E 感 d l B d S ;L s t4麦克斯韦方程组及电磁波:sEd S0qi1SVdVBd S00sLEd lSSBd S变化的磁场产生电场tDd S变化的电场产生磁场Hd lJ 0d SLt波动光学基本要 求:把握杨氏 双缝干涉 、单缝衍射 、劈尖 干涉、 光栅衍射 公式;懂得光程差的含义与半波缺失发生条件及 增透膜、增反膜 原理;主要公式:1光程差与半波缺失光程差 :几何光程乘以

8、折射率之差:n 1 r 1 n 2 r 2半波缺失 :当入射光从 折射率较小的光疏介质 投射到 折射率较大的光疏密介质 表面时,反射光比入射光有的相位突变,即光程发生 的跃变;(如两束相干光中一束发生半波缺失,而另一束没有,就附加 的光程差;如2 2两有或两无,就无附加光程差;)2杨氏双缝干涉: (D-缝屏距; d- 双缝间距; k- 级数)明纹公式:xk 明kDx与缝屏距 D 成正比,与入射光波长成正比,d暗纹公式:xk暗2k1 D2d相邻条纹间距:xDd条纹特点: 明暗相间匀称等间距直条纹,中心为零级明纹;条纹间距与双缝间距d 成反比;3会分析薄膜干涉例如增透膜增反膜,劈尖牛顿环等4单缝衍

9、射: ( f- 透镜焦距; a- 单缝宽度; k- 级数)明纹公式 :asin2 k21 ,x k 明2 k1fl 与透镜焦距f 成正比,与入射光波2a暗纹公式 :asink,x k 暗kfa中心明纹宽度 :l02fa其它条纹宽度 :lfa条纹特点: 明暗相间直条纹,中心为零级明纹,宽度是其它条纹宽度的两倍;条纹间距成正比,与单缝宽度a 成反比;5衍射光栅: (dab为光栅常数,为衍射角 )光栅方程:absink,k0 ,1,2a为透光部分,b 不透光部分,d1,N为每米刻痕数N光栅明纹公式:dsink,xk明kfd第 K 级光谱张角:21第 K 级光谱线宽度:xx2x 1f tg2tg1(d

10、sin1k1,dsin2k2,1400nm ,紫光,2760nm红光条纹特点: 条纹既有干涉又有衍射;6光的偏振: (0I为入射光强度,为两偏振化方向夹角);折射光为部分偏振光,且 反射光自然光通过偏振片:II02 cos马吕斯定律:偏振光通过偏振片:II02布儒斯特角:(0i为入射角,为折射角)i0arctgn2n 1当入射角满意上述条件时,反射光为完全偏振光,且 偏振化方向与入射面垂直线与折射光线垂直,即:i0900量子物理基础 主要内容:1. 黑体辐射的试验规律不能从经典物理获得说明;规律,并导致了量力学的产生和很多近代技术;普朗克提出了 能量量子化 假设,从而胜利地说明白黑体辐射的试验量子概念:Eh光子假设;用爱因斯坦方程 h = mv 2/2 +w 说明白2. 光电效应的试验规律无法用光的波动理论说明;爱因斯坦提出了试验规律;康普顿散射也证明白光的量子性;3. 德布罗意波 物质波 假设:任何实物粒子和光子一样都具有 波粒二象性 ;德布罗意关系式:h h 当 v c 时 , m 用静

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