苏教版高中化学必修二高一下学期期中考试化学试题

1、苏教版高中化学必修二高一下学期期中考试化学试题(无答案)苏教版高中化学必修二高一下学期期中考试化学试题(无答案)6/6苏教版高中化学必修二高一下学期期中考试化学试题(无答案)注意事项：1本卷考试时间90分钟，满分100分。2答案一律做在答卷页上。一、选择题（共50分、每题只有一个正确答案）1.以下相关能量的说法不正确的选项是:()化石能源物质内部储存着大批的能量吸热反响是因为反响物总能量低于生成物总能量，因此没有益用价值由石墨制金刚石是吸热反响，故石墨能量比金刚石能量低D.化学物质中的化学能能够在必定条件下转变为热能、机械能、光能、电能为人类所利用2氕化锂、氘化锂、氚化锂都可作为发射“嫦娥二号

2、”卫星的火箭引燃剂。以下说法正确的是()、T2互为同位素A1H、DBLiH、LiD、LiT含有的电子总数分别为3、4、5C7LiH、7LiD、7LiT的摩尔质量之比为111D它们都是离子化合物，常作复原剂3少许铁粉与100mL0.01mol/L的稀盐酸反响，反响速率太慢。为了加速此反响速率而不改变H2的产量，能够使用以下方法中的（）加HO加NaOH固体滴入几滴浓盐酸加CHCOONa固体加NaCl溶液23滴入几滴硫酸铜溶液高升温度（不考虑盐酸挥发）改用10mL0.1mol/L盐酸A.B.C.D.4以下摆列次序正确的选项是()热稳固性：H2OHFH2S原子半径：NaMgF酸性：H3PO4H2SO4

3、HClO4联合质子能力：OHCH3COOCl晶体的熔点：SiO2NaClCCl4SO2ABCD所有正确5韩国首尔大学科学家将水置于一个足够强的电场中，在20时，水分子瞬时凝结形成“暖冰”。以下对于“暖冰”的说法不正确的选项是（）“暖冰”也是水分子间经过氢键联合而成的固体水凝结形成20时的“暖冰”所发生的变化是化学变化形成20时的“暖冰”的变化是物理变化在电场作用下，水分子间更易形成氢键，因此能够制得“暖冰”6.以下相关推测中切合实质的是（）A、第n周期中有2n2种元素B、第n周期第n主族的元素必定是金属元素C、第n周期有（8-n）种非金属（n1）（包含罕有气体元素）D、第8周期第A族的元素是非

4、金属元素7在同温同压下，以下各组热化学方程式中HH的是（）12A.2H2(g)+O2(g)2H2O(l);H12H2(g)+O2(g)2H2O(g);H2B.S(g)+O2(g)2SO(g);H1S(s)+O2(g)2SO(g);H2C.C(s)+1O2（g）CO(g);H1C(s)+O2（g）CO2(g);H221H2(g)+1Cl2(g)222HCl(g);1HCl(g);H2D.H(g)+Cl(g)H228.X、Y是短周期元素，它们可构成化合物XY，则以下说法正确的选项是()A.XY晶体必定是离子晶体B.若Y的原子序数为m，X的原子序数必定是m6C.X、Y能够属于同一周期，也可属于两个不

5、一样周期D.X与Y必定不属于同一主族有X、Y两种元素，原子序数20，X的原子半径小于Y，且X、Y原子的最外层电子数同样(选项中m、n均为正整数)。以下说法正确的选项是A若X(OH)n为强碱，则Y(OH)n也必定为强碱B若HnXOm为强酸，则X的氢化物溶于水必定显酸性C若X元素形成的单质是X2，则Y元素形成的单质必定是Y2D若Y的最高正价为+m，则X的最高正价必定为+m碱金属与C60形成的球形碳盐K3C60。实验测知该物质属于离子晶体，拥有优秀的超导性。以下对于K3C60的构成和构造的剖析正确的选项是（）360A.KC中既有离子键又有极性键2336010B.1molKC中含有的离子数量为636.

6、02C.该晶体在熔融状态下能导电D.该物质的化学式可写成20KC11、A、B、C、D、E是核电荷数挨次增大的五种短周期主族元素，原子半径按D、E、B、C、A次序挨次减小，B与E同主族，则以下推测错误的选项是（）AA、B、E必定在不一样的周期B.A、D可能在同一主族CC的最高价氧化物的水化物不行能体现碱性DC可能是金属元素12、HgCl2的稀溶液可用于作手术刀的消毒剂，已知HgCl2的熔点是277，熔融状态的HgCl2不可以导电，HgCl2的稀溶液有弱的导电能力，则以下对于HgCl2的表达正确的选项是（）HgCl2属于共价化合物HgCl2属于离子化合物HgCl2属于非电解质HgCl2属于弱电解质

7、A、B、C、D、13.以下物质分别过程中波及共价键断裂的是（）A用渗析法除掉淀粉交替中的少许NaClB.用饱和食盐水洗去Cl2中的少许HClC.用CCl4萃取碘水中的碘D.用升华法除掉NaCl中混有的少许碘14.以下物质性质的变化规律与分子间作使劲相关的是（）A.HF、HCl、HBr、HI的热稳固性挨次减弱B.金刚石的硬度大于硅，其熔、沸点也高于硅C.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔点挨次降低D.F2、Cl2、Br2、I2的熔、沸点渐渐高升15.A.B.C.D.均是短周期元素。当A、B两元素的原子分别获得两个电子形成稳固构造时，A放出的能量大于B放出的能量；当C、D两元素的原子分别失掉一

8、个电子形成稳固构造时，D汲取的能量大于C汲取的能量。若A、B、C、D四种元素间分别形成化合物时，属于离子化合物可能性最大的是（）A.C2AB.C2BC.D2AD.D2B16.短周期主族元素A、B、C的原子序数挨次递加，它们的族序数之和为11，A、C同主族，B原子最外层电子数比A原子次外层电子数多l，以下表达正确的选项是（）A原子半径：BCABA、C两元素的最高价氧化物对应水化物的酸性A弱于CCB的最高价氧化物的水化物只好与酸反响，不可以与碱反响DB的最高价氧化物的熔点比A的最高价氧化物的熔点低3+2-17已知118号元素的离子aW、bX、cY、dZ都拥有同样的电子层构造，以下关系正确的是（）A

9、.质子数cdB.离子的复原性Y2-Z-C.氢化物的稳固性HYHZD.原子半径XLCK、L、M三种元素构成的化合物中既含有离子键又含有共价键DL的气态氢化物可形成氢键二、填空题（共50分）26I、必定温度下,在容积为VL的密闭容器中进行反响：aN（g）bM（g），M、N的物质的量随时间的变化曲线以下图：（1）此反响的化学方程式中a=_b2）t1到t2时刻,以M的浓度变化表示的均匀反响速率为：_（3）均衡时，N的转变率为。（4）以下表达中能说明上述反响达到均衡状态的是A反响中M与N的物质的量之比为11B混淆气体的总质量不随时间的变化而变化C混淆气体的总物质的量不随时间的变化而变化D单位时间内每耗费

10、amolN，同时生成bmolME混淆气体的压强不随时间的变化而变化FN的质量分数在混淆气体中保持不变II、1molN2(g)和1molO2（g）在必定条件下反响生成2molNO(g)，汲取180kJ的热量，已知断裂1molN2(g)中的NN和1molO2（g）中的O=O分别需要汲取946kJ和498kJ的能量，则1molNO分子中的化学键形成时可开释_kJ的能量。27.取amolA和bmolB置于VL容器中，发生可逆反响：aA(g)+bB(g)cC(g)+dD(g),1min后，测得容器内A的浓度为xmol/L,这时B的浓度为，C的浓度为。在这段时间内反响速率若以物质A的浓度变化来表示，应为。

11、28.Q、R、X、Y、Z为前20号元素中的五种，Q的廉价氧化物与X单质分子的电子总数相等，R与Q同族，Y和Z的离子与Ar原子的电子层构造同样且Y的原子序数小于Z。（1）Q的最高价氧化物，其固态属于晶体，俗名叫；（2）R的氢化物分子的空间构型是，属于分子（填“极性”或“非极性”）；它与X形成的化合物可作为一种重要的陶瓷资料，其化学式是；（3）X的常有氢化物的空间构型是；它的另一氢化物X2H4是一种火箭燃料的成分，其电子式是。（4）Q分别与Y、Z形成的共价化合物的化学式是和；Q与Y形成的分子的电子式是.29加入0.1molMnO2粉末于50mL过氧化氢溶液（=1.1gmL-1）中，在标准状况下放出

12、气体的体积和时间的关系以下图。（1）实验时放出气体的整体积是。（2）反响放出3气体所需时间为。4（3）A、B、C、D各点反响速率快慢的次序为。（4）解说反响速率变化的原由。（5）计算HO的初始物质的量的浓度。22（6）求反响到2min时，H2O2的质量分数。30.据2004年1月17日网易报导，意大利科学家使用一般氧分子和带正电的氧离子作用，制出了新式的氧分子O4，它的构造很复杂，可能拥有与S4相像的长方形构造，是一种高能量分子。(1)以下相关O4的说法正确的选项是()A.O4分子内存在极性共价键B.合成O4的反响可看做核聚变反响，即不属于化学变化C.O4与O3、O2都是氧的同素异形体D.O4

13、未来可用做更强有力的火箭推动的氧化剂(2)制备、甚至的化合物是可能存在的，往常它们是在氧分子进行以下各样反应时生成的：上述反响中，_(填序号)相当于氧分子的氧化；_(填序号)相当于氧分子的复原.(3)写出的电子式：_.(4)O2PtF6是一种含有的化合物，请写出一种含有的氧化物_.31.已知在热力学标准态(298K、1.01105Pa)下，由稳固的单质发生反响生成的反响热叫做该化合物的生成热(H)。以下图为氧族元素的氢化物a、b、c、d表示图。试达成以下问题：1mol化合物的生成热数据(1)写出氧族元素中含有18e-的两种氢化物的电子式：、。(2)概括非金属元素氢化物的稳固性与氢化物的生成热H的关系：_。(3)写出硒化氢在热力学标准态下，发生疏解反响的热化学方程式：_。32.X、Y、Z、W是原子序数挨次增大的短周期元素，且互不一样族；此中只有两种为金属；X原子的最外层电子数与次外层电子数相等；X与W、Y与Z这两对原子的最外层电子