标准解读

《GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》相比《GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》,主要在以下几个方面进行了更新和调整:

  1. 技术内容的修订:新版标准对硅晶体中间隙氧含量的测量原理、仪器要求、样品制备、测试步骤及数据处理方法等核心技术内容进行了修订和完善,以适应近年来技术进步和测量精度提升的需求。

  2. 测量精度与准确性提升:2018版标准可能引入了更先进的测量技术和校准方法,旨在提高测量结果的准确性和重复性,减少测量误差,确保测试数据更加可靠。

  3. 仪器设备与技术规范更新:鉴于科技进步,新标准可能对使用的红外光谱仪等检测设备的技术指标提出了新的要求,包括但不限于分辨率、灵敏度、稳定性的提升,以及对配套软件功能的要求,以保证测试过程的高效与精确。

  4. 样品处理和测试程序优化:标准更新可能包含对样品前处理方法的改进,比如更有效的清洗、切割或研磨方式,以及测试流程的标准化,旨在简化操作流程,缩短检测时间,同时保持或提高检测质量。

  5. 质量控制与数据评估加强:2018版标准可能增加了关于质量控制的具体措施,如定期校验仪器、使用标准物质进行比对测试等,确保测试结果的一致性和可比性。同时,对数据处理和结果报告的要求也有可能更加严格,以提升数据分析的科学性和严谨性。

  6. 适用范围与术语定义明确化:标准更新可能对硅晶体的类型、尺寸、纯度等级等适用范围进行了明确或扩展,并对关键术语给出了更清晰的定义,便于行业内统一理解和执行。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2018-09-17 颁布
  • 2019-06-01 实施
©正版授权
GB∕T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法_第1页
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文档简介

ICS77040

H17.

中华人民共和国国家标准

GB/T1557—2018

代替

GB/T1557—2006

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

Testmethodfordetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfrared

absorption

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1557—2018

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100029)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

:400-168-0010

年月第一版

20189

*

书号

:155066·1-61550

版权专有侵权必究

GB/T1557—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法与

GB/T1557—2006《》,GB/T1557—2006

相比除编辑性修改外主要技术变化如下

,:

范围中增加了以低温红外设备测试时氧含量原子数的测试范围从15-3到硅中

———“,()0.5×10cm

间隙氧的最大固溶度见第章

”(1)。

在规范性引用文件中增加了见第章

———GB/T4059、GB/T4060、GB/T29057、GB/T35306(2)。

在方法提要中增加了低温红外光谱仪的测试原理并明确低温傅里叶变换红外光谱仪测试硅

———,“

单晶中氧含量的具体内容见见第章

GB/T35306”(4)。

在干扰因素中增加了多晶测试环境样品位置测试设备对测试结果的影响见

———、、、(5.1、5.8、5.9、

5.10)。

将扣除参比光谱后样品的透射光谱在-1处的透射率由改为

———1600cm“100%±0.5%”“100%±

见年版

5%”(5.4,20065.3)。

删除了沉淀氧浓度较高时-1处的吸收谱带对测试结果的影响见年版

———,1230cm(20065.5)。

将千分尺修改为厚度测量设备修改设备精度大于见年版

———“6.3”“6.3”,0.01mm(6.3,2006

6.3)。

将热电偶毫伏计修改为温度测量设备热电偶毫伏计或其他适用于测试样品

———“6.4-”“6.4-

室温度的设备见年版

”(6.4,20066.4)。

增加湿度测试设备湿度计或其他适用于测试环境湿度的设备见

———“6.5”(6.5)。

将设备检查中的抛光片厚度由改为见年版

———0.065cm0.085cm(8.2.5,20068.2.5)。

将表面处理修改为在测试之前应保证样品表面无氧化物删除了用腐蚀去除表面

———“”“,”,“HF

的氧化物见年版

”(8.3,20068.3)。

将厚度测量修改为测量被测样品和参比样品的厚度两者中心的厚度差应小于

———“”“。±0.5%”

见年版

(8.4,20068.4)。

将绘制透射谱图列为资料性附录见附录年版

———(A,20068.7)。

根据试验情况修改了精密度见第章年版第章

———,(10,200611)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位新特能源股份有限公司有研半导体材料有限公司亚洲硅业青海有限公司宜

:、、()、

昌南玻硅材料有限公司隆基绿能科技股份有限公司内蒙古盾安光伏科技有限公司峨嵋半导体材料

、、、

研究所北京合能阳光新能源技术有限公司

、。

本标准主要起草人银波夏进京邱艳梅刘国霞柴欢赵晶晶刘文明姚利忠王海礼邓浩

:、、、、、、、、、、

高明郑连基陈赫石宇杨旭肖宗杰

、、、、、。

本标准代替了

GB/T1557—2006。

历次版本发布情况为

GB/T1557—2006:

———GB/T1557—1989、GB/T14143—1993。

GB/T1557—2018

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

1范围

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法

本标准适用于室温电阻率大于的型硅单晶和室温电阻率大于的型硅

0.1Ω·cmN0.5Ω·cmP

单晶中间隙氧含量的测定以常温红外设备测试时氧含量原子数测试范围从16-3到硅中

。,()1×10cm

间隙氧的最大固溶度以低温红外设备测试时氧含量原子数的测试范围从15-3到硅中间

;,()0.5×10cm

隙氧的最大固溶度

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

硅多晶气氛区熔基磷检验方法

GB/T4059

硅多晶真空区熔基硼检验方法

GB/T4060

半导体材料术语

GB/T14264

用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

GB/T29057

硅单晶中碳氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

GB/T35306、

分子光谱有关术语

ASTME131(Standardterminologyrelatingtomolecularspectroscopy)

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264ASTME131。

31

.

色散型红外光谱仪dispersiveinfraredspectrophotometer

一种使用棱镜或光栅作为色散元件通过振幅波数或波长光谱图获取数据的红外光谱仪

,—()。

32

.

傅里叶变换红外光谱仪Fouriertransforminfraredspectrophotometer

一种通过傅里叶变换将由干涉仪得到的干涉谱图转换为振幅波数或波长光谱图来获取数据的

—()

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