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文档简介

平面结构和台面结构的比较台面工艺和平面工艺各有优缺点，相对来说台面工艺做高压器件较合适，而平面工艺做中低压器件更理想。采用台面工艺制做器件时，一般不使用分压环；而平面工艺制做器件时，当电压高于600V不可避免需要采用分压环，这就浪费一些芯片面积。台面工艺需要槽光刻和槽填充等工艺，台面工艺的PN结击穿是直的，击穿电压很硬，可靠度较高。平面工艺的P-N结是终止在上表面的，击穿发生在球面结处，击穿没有那么硬。平面工艺的钝化层特别重要、对钝化技术的要求高、控制也要很高。台面管漏电流相对比平面高，在相同片厚的情况下台面碎片相对高一点，也看生产线控制水平。平面工艺可控硅：缺点：结终止在上表面，结的终端占用的面积比较多，造成有源区面积减少，同样规格的产品需要的芯片面积要大一些。击穿发生在球面结处，对工艺精度和工艺质量要求高，钝化工艺有异常时会造成电压合格率降低、同时降低产品可靠性。优点：硅片在制程中不会弯曲，适合用大直径（5寸、6寸）硅片制造产品，生产效率高。制程中的硅片破碎率低。芯片表面平坦，品相好。有旧区尽寸22AQanB1-台面工艺可控硅：优点：结终止在槽内，结的终端占用的面积比较少，同样规格的产品需要的芯片面积要小一些。击穿发生在台面处、是平坦结，对工艺精度要求不那么高，采用玻璃钝化，合格率易保障。缺点：硅片在制程中会弯曲，适合用中小直径（3寸、4寸）硅片制造产品，生产效率较低。控制不

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