如何向LTspice正确导入Spice模型

1、如何正确导入Spice模型方法一、将模型文件粘在当前的图纸上，方法见图：步骤1：复制模型文件（来源于OrCADPSpiceModel）步骤2：将复制的文件复制到下图所示位置ifLTspicfiIV-CyjftS.JccfiledkHjerarchy里iewSulewTools血ndcm吐Elp7ypCtb-.tortrtmhlin*Cnk4ntulSFICBdircctin|VTbrftZ.*ecE?H宁%5咳吕怡宰th#4口目|丄回，十仝=：-芒匕/J-a&Li,Eacti.iaUEtt|氏trLwaLTuLEditTwtOHth?Sc-hprnalK-11Br&Et3.uc|hruFLE.

2、FLTspictIV-IDrSASEL,l日1口EdilHjMPfdnyVicntfgimulmHgkWiridiawf#i讯?喩邈j亓白孚取c腐爭$丁；w1；-宀c.iQ|口回與EdrtTl片”*加於iwSBMffilgWEZlDHa-1SF*iP2ln+4.1购Nk-i.U2Bt-牯-1WBr-ltK-iHc-2FCj:-2AZ4t-.X3nt*.niFc-5中呵*Tf-iMrr-iia.4pir-ijflitxir4.E-tiTriD方法二、如有*.lib的库文件，比如PSPICE的日本晶体管库jbipolar.lib,将该文件考到LTCLTspiceIVlibsub目录中。然后按图操作

3、：点击OK后，效果如下所示:回2SC1907.includejbipolar.libDrift?:ItrpFIA匹亡IHtiiLH.t-uLTapiceJV-CDraft.aMfiledtHiwardiyIfiewiimuhls-IaolsWindow吐dp回金|口|它|石石|負q鱼电繭可日毛诺以电启勵|曰爭亘点叩之丰3空芒暫頁e弓仿真效果图如下：gm斗釦蛍:仇輕旦卫|目色宵丄味険棘巴3匚古眇寸+J宜*也管乍守鼻门耳X站hP；4M空IrhZM五*E.dilirjrrh-f/rLTijmN=E4w4.*d：書IfJ$iwIhSfflindbw(jdptDriMirErihmccSpiAiMm-M

4、ivMs|irii011ti-ii1WemdHPlMrTT5uJiciMrM10rlKOiCl10Q1iflWsiHZQ2scl907相频特性（30MHz截止频率）方法三：将模型文件直接粘贴到LTCLTspiceIVlibcmp中的相应文件中。如要将PSPICE的diode.lib的模型全导入到cmp中的standard.dio中。先用记事本打开diode.lib,全选，复制。而后用记事本打开standard.dio,在其适当的位置粘贴，关闭。发现二极管库里多了很多元件（见下图）。三极管同理。ISelertDiodeOKC：=lTlCHjLFartITo.性typeVbkiItlVT:A_SP

5、ICEMolei區1R914OnSemisiliconT5.00.0.model1114D1N4148UriSermE111C0Tl75.0.20.model1H4148IWMSD414Ssilicc-TL100.00.ZO.mdelMMSI41451N5817OriSemiSchottkyZO.O1.00.model1H581TI1N5B18UriSemiScho七tky30.01.00.model1H5810I1N5819OriSemiSchottky40.01.00.model1H5819IDAT54VishaySchcttky30.00.30.mdelBAT54DHBE0520LUri

6、SemiEcho七tky20.00.50.mcdelMBRJ05201HBE0530LOriSemiSchottky30.00.50.modelMBRJ05301HBIE11COOnS已miSchcttky100.C1.00MBE5110CHBES13OLUriEenuSchottky30.0i.ao.modelMBRS1301HBES14OOriSemiSchottky40.0i.ao.modelMBR5140HBES34CUriSemiSchott40.03.00.mcdelMBRS340HBES360OriEemiSchcttky60.03.ao.mdelMEES3&0GMDSH2-3C

7、entralSchottky30.00.20.modelClflDSHZ-DFLS220LDimilesInc.Echo七七ky20.02.ao.modelDFLS2201WKES12OOtiE目misilicc-TL200.01.ao.m1R914OnSemisiliconT5.00.0.model1114Dg|1N4148UriSermE111C0Tl75.0.20.model1H4148IWMSD414Ssilicc-TL100.00.ZO.mdelMMSI41451N5817OriSemiSchottkyZO.O1.00.model1H581TI1N5B18UriSemiScho七tk

8、y30.01.00.model1H5810I1N5819OriSemiSchottky40.01.00.model1H5819IDAT54VishaySchcttky30.00.30.mdelBAT54DHBE0520LUriSemiEcho七tky20.00.50.mcdelMBRJ05201HBE0530LOriSemiSchottky30.00.50.modelMBRJ05301HBIE11COOnS已miSchcttky100.C1.00MBE5110CHBES13OLUriEenuSchottky30.0i.ao.modelMBRS1301HBES14OOriSemiSchottky

9、40.0i.ao.modelMBR5140HBES34CUriSemiSchott40.03.00.mcdelMBRS340HBES360OriEemiSchcttky60.03.ao.mdelMEES3&0GMDSH2-3CentralSchottky30.00.20.modelClflDSHZ-DFLS220LDimilesInc.Echo七七ky20.02.ao.modelDFLS2201WKES12OOtiE目misilicc-TL200.01.ao.mdelMUES120L1KRS320OnS已misilicorL200.03.ao.modelMUES320WBE735UriSermScho七tky35.07.50.modelMBR735IMBL745OriSemiSchottky45.07.50.modelMBR745IDZS4C6V2LUriSHfTii6.E.E邛典U苗BZ3IB4CBV2LUriEemizenerB.2.modelBZXSilCSbBZX84C10LOriSemizencr10.0.modelBZX84C1CDZ2IS4C12LOriSemi12.0.BZX64C1SBZ3IB4C