微电子制造技术课件

1、微电子制造技术第 17 章 掺 杂 概 述 本征硅的导电性能很差，是不能直接用于芯片制造的，只有在硅中加入一定的杂质，使电导率发生明显变化时，硅才可以用于半导体制造。在硅中加入杂质的过程称为掺杂。 掺杂是制造半导体器件的基础，掺杂的方式有热扩散和离子注入。常用的杂质是族和族元素中的硼（B）和磷（P）。 芯片特征尺寸的不断减小和集成度的不断增加，迫使各种器件尺寸不断缩小。特别是MOS器件沟道长度的减小要求源漏结的掺杂区更浅，现在最小的结深是30nm。本章重点1.解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用；2.讨论杂质扩散的原理和过程；3.了解离子注入相对于热扩散的优缺点；4.讨论剂量和射程在离子注入中

2、的重要性；5.列举并描述离子注入机的5各主要子系统；6.解释离子注入中的退火效应和沟道效应；7.描述离子注入的各种应用。表17.1 半导体制造常用杂质 掺杂在芯片制造中的应用N-沟道晶体管P-沟道晶体管 LI oxidep 外延层p+ 硅衬底STISTISTIn+p+p-welln-wellp+pp+pp+n+nn+nn+ABCEFDGHKLIJMNOn+nn+p+pp+Figure 17.1 具有掺杂区的CMOS结构 表17.2 CMOS 制作中的一般掺杂工艺掺 杂 区 硅片的掺杂是在单晶硅生长过程中完成的，可以形成p型或者n型硅。在芯片制造过程中有选择地引入杂质是为了实现各种器件结构。杂质

3、是通过硅片上的掩膜窗口有选择性地进入硅的晶体结构中，形成掺杂区(见图17.3)。描述掺杂区的特性参数有掺杂量(包括杂质的分布形式)和结深。 掺杂区杂质的类型可以与硅片的类型相反，也可以与硅片的类型相同。掺杂区的类型由p型转变为n型或者相反的情况，就形成了pn结。 硅片在整个制造过程中要经历多次高温工艺，而每次的高温工艺都会造成杂质在硅中的扩散，从而改变掺杂区的原始参数并影响器件性能。氧化硅氧化硅p+ 硅衬底掺杂气体N扩散区Figure 17.3 硅片中的掺杂区 扩 散扩散原理三个步骤预淀积推进激活掺杂剂移动固溶度横向扩散扩散工艺硅片清洗杂质源扩散的概念 扩散是一种自然的物理过程，扩散的发生需要

4、两个必要的条件：浓度差及过程所必须的能量。 掺杂区和扩散结的形成含有杂质的气流扩散炉管+ 表示P型杂质原子-表示N型杂质原子在间隙位置被转移的硅原子SiSiSiSiSiSiSiSiSic) 机械的间隙转移SiSiSiSiSiSiSiSiSia) 硅晶体结构b) 替位扩散SiSiSiSiSiSiSiSi空位杂质d) 间隙扩散SiSiSiSiSiSiSiSiSi在间隙位置的杂质Figure 17.4 硅中的杂质扩散 固态扩散的目的在晶园表面薄层产生一定数量的掺杂原子在晶园表面下的特定位置处形成np(或pn)结在晶园表面薄层形成特定的掺杂原子分布结的图形显示 理想的 横向扩散Figure 17.5T

5、able 17.3 1100C 下硅中的固溶度极限Table 17.3 固溶度：某种杂质在特定温度下能溶入到固体中的 最大杂质数量。扩 散 工 艺完成扩散过程所需的步骤：1.进行质量测试以保证工具满足生产质量标准；2.使用批控制系统，验证硅片特性；.3.下载包含所需的扩散参数的工艺菜单；4.开启扩散炉，包括温度分布；5.清洗硅片并浸泡氢氟酸，去除自然氧化层；6.预淀积：把硅片装入扩散炉，扩散杂质；7.推进：升高炉温，推进并激活杂质，然后撤除硅片；8.测量、评价、记录结深和电阻。 表17.4 扩散常用杂质源SEMATECH “Diffusion Processes,” Furnace Proce

6、sses and Related Topics, (Austin, TX: SEMATECH, 1994), P. 7.典型的杂质(或载流子)在硅片内的深度分布扩散层中杂质原子的浓度分布 实际上由于扩散层的结深相对于平面尺寸来讲要小的多，所形成的pn结基本上可看作平行于表面的。这样，菲克第二定律就可写成： 其物理意义为：存在浓度梯度的情况下，随着时间的变化某处浓度的变化（增加或减少）是扩散粒子在该点的积累或流失的结果。 求解上述扩散方程，就可以得到浓度随时间和位置的函数关系。不过随着边界条件和初始条件的不同，其解的形式就有所不同。预淀积（恒定表面源扩散） 恒定表面源扩散是指扩散过程中硅片始终处

7、于含源的气氛中，即硅片表面浓度始终保持不变，只是随时间的变化扩散层中的杂质数在增多，预淀积后的杂质分布可由以下初始和边界条件解得影响扩散层参数（结深、浓度等）的几个因素： 杂质的扩散系数 杂质在晶园中的最大固溶度预淀积后的杂质分布再分布（有限源扩散） 有限源扩散是指在扩散过程中，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面薄层内的杂质总数不变，依靠这些有限的杂质向硅中扩散，随着时间得增加，结深增加，表面浓度下降。通常情况下，再分布和氧化同时进行。在此过程中杂质的推进使结深、表面浓度、扩散层薄层电阻达到设计要求的同时，在扩散层表面同时形成一定厚度的氧化层。薄层（方块）电阻 标志扩散层质量的一个重要参数，是器

8、件生产过程中着重控制和检验的参数之一，因为电阻本身的物理意义是反应了被测物体电导率的大小（或载流子浓度的多少）。 对如图所示的正方形扩散 层，若在图示方向加上电流， 可测得薄层的电阻值为： Rs=L/LXj=/Xj (/方块) 为电阻率，由此可见薄层电阻只与电阻率和薄层的厚度（Xj）有关，而与边长无关。由于薄层电阻测量简单，工艺过程中常用测量它来判断扩散层的质量是否符合工艺设计要求。 LLxjI四探针测量薄层电阻 在工艺线上，广泛使用测量方块电阻的方法是四探针法。 要求两探针间的距离应小于膜层的厚度。 S：探针之间的距离 常量4.53是在探针间距很小且薄层尺寸无限大的假设下的修正系数。Wafe

9、rRVoltmeterConstant current sourceVIrs = VIx 2ps (ohms-cm)用于测量样品电阻率的方法四探针测量法范德堡测量法练习题： 制造一个NPN晶体管，首先在1100下进行硼(B)预淀积扩散，扩散时间20分钟，然后在1100下做推进(再分布)扩散。假若推进扩散的时间是30分钟，试求推进后的结深应为多少？推进后表面浓度是多少？假设衬底浓度为1015cm-3，(已知1100时硼在硅中的最大固溶度是51020/cm3，扩散系数D=510-12cm2/S)离 子 注 入 离子注入是先进半导体制造过程中广泛使用的一种掺杂技术。其特点是能够重复控制掺杂的浓度和深

10、度（如图17.5所示），因而在几乎所有的应用中都优于扩散。它已经成为满足 0.25 m 特征尺寸和大直径硅片制作要求的标准工艺。 离子注入工艺在离子注入机内进行，它是半导体工艺中最复杂的设备之一 。离子注入的优点： 1. 精确控制杂质含量；2. 很好的杂质均匀性；3. 对杂质穿透深度有很好的控制； 控制杂质浓度和深度低掺杂浓度 (n, p) 和浅结深 (xj)Mask掩蔽层Silicon substratexj低能低剂量快速扫描束扫描掺杂离子离子注入机高掺杂浓度 (n+, p+) 和深结深 (xj)Beam scan高能大剂量慢速扫描MaskMaskSilicon substratexjIon

11、 implanterFigure 17.5 4. 产生单一粒子束；5. 低温工艺；6. 注入的离子能穿过掩蔽膜； 无固溶度极限。 缺点是高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。所幸的是大多数甚至所有的晶体损伤都能用高温退火进行修复。另一个缺点是注入设备的复查性，然而，这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性所弥补。离子注入参数剂量：表示注入硅片表面单位面积的离子数， 通常用 Q 表示： Q=It/enA其中，Q=剂量，单位：原子数/每平方厘米 I=速流，单位：库仑/每秒( 安培) t=注入时间，单位：秒 e=电子电荷， n=离子电荷, A=注入面积 当正杂质离子形成粒子束，

12、它的流量被称为粒子束电流。粒子束电流的量级是定义剂量的一个关键变量。如果电流增大，单位时间内注入的杂质原子数量也增大。射程：是指离子注入过程中，离子穿入硅片内总的距离。射程与注入离子的能量有关。而离子的能量又是从加速电势差中获得的。离子注入中的能量一般用电子电荷与电势差的乘积，即电子伏特（ev）来表示。 例如，如果一个带正电荷的离子在电势差为100KV的电场中运动，它的能量就是： KE=nv=1*100KV=100keV 注入离子的能量越高，意味着杂质原子穿入硅片的深度越大，即射程就越大。而射程和结深相关，所以控制射程就意味着控制结深。高能注入机的能量可达到 23MeV，低能量注入机的能量目前

13、已经下降到约200eV，能够掺杂非常浅的源漏区。人射粒子束硅衬底对单个离子停止点RpDRp杂质分布Figure 17.7 杂质离子的射程和投影射程注入能量 (keV)投影射程 Rp (mm)101001,0000.010.11.0BPAsSb注入到硅中Figure 17.8 注入能量对应射程图 投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴)投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴) 入射离子的能量损失模型 在入射离子进入靶时，每个离子的射程是无规则的，但对大量以相同能量入射的离子来说，仍然存在一定的统计规律性。在一定条件下，其射程和投影射程都具有确定的统计平均值。为了确定入射离子的浓度(或

14、射程)分布，首先应考虑入射离子如何与靶中原子核和电子发生碰撞而损失能量的过程。因原子核和电子的质量差别很大(几个数量级)，所以这两种碰撞机构的情况是不同的。 因此，可以把入射离子能量的损失分为两个彼此独立的过程，即入射离子和原子核的碰撞及入射离子和电子的碰撞两个过程来处理。SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiX-射线电子碰撞原子碰撞被移动的硅原子携能杂质离子硅晶格Figure 17.9 注入杂质原子能量损失模型 轻离子冲击重离子冲击Figure 17.10 轻离子和重离子引起的晶格损伤入射粒子在硅片中的分布 入射粒子在硅片中的分布，一

15、般取如下形式的高斯分布函数，即由此解得峰值浓度NMaxN(x)RPxpRP离子注入机离子注入机包括以下5个部分：离子源引出电极(吸极)和离子分析器加速管扫描系统工艺腔 离子注入机示意图离子源分析磁体 加速管离子束等离子体 工艺腔吸出组件扫描盘离子源 离子源和引出装置通常放置在同一真空腔 (图17.11)，用于从气态或固态杂质中产生正离子。 带正电的离子由杂质气态源或固态源的蒸汽产生。通常用到的B+,P+,As+，Sb+都是电离原子或分子得到，最常用的杂质物质有B2H6,BF3,PH3,AsH3等气体。由于离子本身带电，因此能够被电磁场控制和加速。 另一种供应杂质材料的方法是加热并气化固态材料，

16、这种方法有时被用于从固态小球中获得砷As+和磷P+。固态源的缺点是气化时间较长(约40180分钟)。然而，从环境和安全角度出发，大多数IC制造商更愿意使用固态离子源。Figure 17.11 离子源和吸极装配图吸出组件源室涡轮泵离子源绝缘体起弧室吸极吸出组件粒子束前板狭缝起弧室灯丝电子反射器气体入口5 V电子反射器阳极 +100 V起弧室气化喷嘴电炉气体导入管DI 冷却水入口掺杂剂气体入口Figure 17.12 Bernas 离子源装配图吸极和离子分析器 吸极的作用是收集离子源中产生的所有正离子，并使他们形成粒子束。离子通过离子源上的一个窄缝得到吸引。 吸极由吸引装置的电狐室(阳极)的正排斥

17、，以及吸引装置负压(阴极)的吸引(见图17.13)。由于正离子每个都带有正电荷，因此被吸向负电场。电场强渡越大，离子运动的就越快，动能也就越大，在硅片中穿行的距离就越长。 吸极的负电压偏置还能阻止等离子体中的电子，使正离子形成粒子束。负压偏置的印制电极可以把离子束聚束成一个平行束流，使其通过注入机。+-NS N S120 V起弧吸出组件离子源60 kV吸引2.5 kV抑制源磁铁5V灯丝To PA+粒子束参考端(PA电压)抑制电极接地电极Figure 17.13 离子源和吸极交互作用装配图 质量分析器磁铁石磨离子源分析磁体粒子束吸出组件较轻离子重离子中性离子Figure 17.14 分析磁体 从

18、离子源引出的离子可能包含许多不同种类的离子，他们在吸极电压的加速下，以很高的速度运动，因为不同离子有着不同的原子质量单位，而磁性离子分析器能将所需要的离子从混合的粒子束中分离出来，如图17.14所示。 分析器磁体形成的90度角能使离子的轨迹偏转成弧形。对于一定的磁场强渡，重离子不能偏转到合适的角度，而轻离子的偏转过大。只有一种离子能够发生恰当的偏转，顺利地通过分析器磁铁的中心，这就是最终注入到硅片中的杂质。 离子弧形轨迹半径由离子的质量、速度、磁场强渡和离子所带的电荷共同决定。通过将磁场强渡调整到与杂质离子的轨迹匹配，期望得到的杂质就能通过分析器末端的窄缝，而其它离子则被阻挡。加速管 为了获得

19、更高的速度(能量)，除了分析器磁铁，正离子还要在加速管中的电场作用下进行加速(见图17.15)。加速管由一系列被介质隔离的电极组成，电极上的负电压依次增大。 当正离子进入加速管时，它们就在电场的作用下加速，加速的大小与电场有关，总的电压越高，离子的速度就越大(能量越大)。高能量意味着杂质离子能够被注入到硅片的深度就越大。而低能量可以被用于超浅结注入。图17.16表示了粒子束能量与剂量的关系。 剂量与能量的关系图强调了能量(射程)和剂量(浓度)在离子注入中的重要性。100 MW100 MW100 MW100 MW100 MW0 kV+100 kV+80 kV+20 kV+40 kV+60 kV+

20、100 kV粒子束粒子束至工艺腔电极来自分析磁体Figure 17.15 加 速 管临近吸收现在应用扩展应用多晶掺杂源/漏损伤工程Buried layers倒掺杂阱三阱Vt 调整沟道和漏工程0.1110100100010,0001016101110121013101410151017能量 (keV)剂量 (atoms/cm2)Figure 17.16 剂量与能量图源原子质量分析磁体线形加速器最终能量分析磁体扫描盘硅片Figure 17.17 高能注入机的线形加速器扫描系统 从离子源吸出的离子束虽然经过磁分析器、加速装置，但聚束粒子束仍然很小(中等电流的注入机束斑约1cm2，大电流注入束斑约为3

21、cm2)。 为了在硅片上所有地方均匀注入，必须通过扫描系统将离子束流覆盖整个硅片。 扫描方式有两种：固定硅片，移动束斑；固定束斑，移动硅片。注入机的扫描系统有以下几种不同类型： 静电扫描 机械扫描 混合扫描 平行扫描 + Ion beamY-轴偏转X-轴偏转硅片旋转倾斜高频 X-轴偏转低频 Y-轴偏移Figure 17.20 硅片的静电粒子束扫描 由于在静电扫描过程中硅片是固定的，颗粒污染的机会会明显降低。这种扫描的另一优点是电子和中性离子不会发生偏转，能够从束流中消除。主要缺点是粒子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍粒子束的注入，如图17.21所示。 光刻胶a) 无倾斜的机械

22、扫描粒子束b) 正常倾斜的静电扫描光刻胶粒子束Figure 17.21 扫描外半径扫描内半径注入面积(计算的)溢出杯旋转粒子束Figure 17.22 离子注入硅片的机械扫描工艺腔 工艺腔包括扫描系统、具有真空锁的装卸硅片的终端台、硅片传送系统和计算机控制系统，另外还有一些检测剂量和控制沟道效应的装置，是离子注入机的重要组成部分。 工艺腔的高真空可以用多级机械泵、涡轮泵、冷却泵联合来实现(通常是10-6托)。 离子注入机中的实时剂量监控系统通过测量到达硅片的粒子束完成。通常用一种称为法拉第杯的传感器测量粒子束电流。VIISion终端台工艺腔终端子系统原子系统注入子系统操作界面片架真空锁硅片传送

23、器扫描盘监视器WallFigure 17.25 注入工艺腔的硅片传送器带硅片的扫描盘扫描方向法拉第杯抑制栅孔径电流积分仪在盘上的取样狭缝粒子束Figure 17.26 法拉第杯电流测量离子注入机的分类退 火 由于注入离子进入硅中和硅原子的碰撞作用，使硅晶体结构发生变化，严重时注入层变成非晶层。另外，被注入离子基本不占据硅的格点，而是停留在晶格的间隙位置。这些间隙杂质只有经过高温退火过程才能被激活而占据晶格格点。退火还能加热硅片，修复注入层的晶格缺陷。 修复晶格缺陷大约需要500，激活杂质原子需要950， 除了和温度的有关以外还与时间有关，时间越长温度越高，杂质被激活的越充分。硅片的退火有两种基

24、本方法：高温退火和快速热处理退火(RTP) 。修复硅晶格结构并激活杂质硅键b) 退火后的硅晶格a) 注入过程中损伤的硅晶格粒子束Figure 17.27 硅单晶的退火 沟道效应 在非晶靶中，原子的排列是无规则的，入射离子在靶中受到的碰撞过程是随机的。而对于单晶靶，因为靶中原子是按一定规律周期性地重复排列而成为晶格点阵，具有一定的对称性和各向异性。因此，靶对入射离子的阻止作用将不是各向同性，而是与靶晶体的取向有关。 以硅为例，若从 晶向看去，可以看到由原子包围成的一系列平行管道（见图17.28)。因此当入射离子沿此方向进入沟道时，就会在沟道中前进成为一种有规则的运动，这种运动称为沟道运动。显然，

25、在这种情况下，来自靶原子的阻止作用是很小的，因而其射程就很大。我们把这种效应称为沟道效应。Figure 17.28 沿 轴的硅晶格视图 沟道效应是我们不希望的。注入过程中有 4种方法控制沟道效应（1）倾斜硅片；（2）掩蔽氧化层；（3）硅预非晶化；（4）使用质量较大的原子。 倾斜硅是减小沟道效应最常用的方法，是把硅片相对与粒子束运动方向倾斜一个角度。（100）晶向常用角度是偏离垂直方向7，保证杂质离子进入硅中很短距离内就会发生碰撞。从而能获得对注入离子投影射程更好的控制（见图17.29）。值得注意的是，超浅结低能注入的沟道效应有所不同，倾斜硅片几乎不起什么作用。另外，倾斜硅片会增加阴影效应，可能

26、导致器件性能的不对称。离子入射角与沟道Figure 17.29 离子入射角与沟道 MaskMaskSilicon Substrate粒子束扫描离子注入机颗粒在被注入区产生空洞Figure 17.30 来自颗粒沾污的注入损伤离子注入在工艺集成中的发展趋势不同注入工艺的实例深埋层倒掺杂阱穿通阻挡层阈值电压调整轻掺杂漏区 (LDD)源漏注入多晶硅栅沟槽电容器超浅结绝缘体上硅 (SOI) Figure 17.31 注入埋层 n-wellp-wellp- Epi layerp+ Silicon substratep+ Buried layer倒掺杂阱n-wellp-wellp+ 埋层p+ Silicon

27、 substrateN杂质p-type dopantp+n+Figure 17.32 倒掺杂阱 n-wellp-wellp+ Buried layerp+ Silicon substraten-type dopantp-type dopantp+p+n+n+Figure 17.33 防止穿通 n-wellp-wellp+ Buried layerp+ Silicon substraten-type dopantp-type dopantp+p+pn+n+nFigure 17.34 阈值电压调整的注入 + + + + + + +- - - - - - - - -+ + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - n-wellp-wellp+ Buried layerp+ Silicon substratep+ S/D implantn+ S/D implant侧墙氧化硅DrainSourceDrainSourceb) p+ 和n+ 源漏注入(分两步进行)+ + + + + +