材料科学姑苏实验室博士后招聘公告

1、PAGE PAGE 8 材料科学姑苏实验室博士后招聘公告实验室简介材料科学姑苏实验室是瞄准国家实验室建设标准和国际一流水平，服务国家重大工程战略需求，立足苏州现有科研基础与发展要求，集聚国内外创新资源，与科研院所、高等院校、龙头企业协同建设的新型的研发机构。目前注册为苏州市事业法人，已获批准为首批“江苏省实验室”，正在争取成为省级科研单位。实验室坐落在苏州工业园区，总部规划用地不少于500亩，10年建设资金总额200亿元。姑苏实验室以独立法人事业单位实体化运行，实行理事会领导下的实验室主任负责制。基于“组织支撑流程，流程支撑业务”的理念设立组织模块，创新实践“主建”和“主战”相结合的矩阵式管理

2、理念，探索符合科技创新规律和市场经济规律，引领未来科技、产业发展与国际接轨的各类新型管理体制机制。姑苏实验室的建设目标是紧扣材料科学领域中的国家重大战略需求、区域经济发展重大需求以及未来科技革命的前沿技术“三大重点”，以突破国家重大战略需求、攻克区域产业重大技术瓶颈、解决行业重大科技问题为使命，通过五年左右的一期建设，集聚1000名以上的科研、技术及管理人才，建成具有国际一流水平的材料研发、分析表征、仿真模拟等公共平台，突破一批材料科学领域核心基础科学问题和关键共性技术问题；通过二期建设，到2030年，姑苏实验室力争跻身世界一流材料实验室行列，成为具有全球影响力的国际化创新策源地、国家材料战略

3、性科技创新基地。欢迎全球有志于电子信息材料、能源环境材料、生命健康材料等研究领域的优秀才俊加盟，共同致力于材料领域的科研创新！岗位描述和应聘条件序号项目研究方向招聘人数专业方向候选人基本条件1超导量子器件（器件工艺开发）（G201&202)3半导体、微电子1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、有较强的微纳加工基础，熟练掌握版图设计、紫外光刻、电子束曝光、薄膜生长、刻蚀、封装等工艺，有硅基和III-V半导体器件、超导电子器件的加工经验者优先；3、沟通能力强，具有合作精神，能够独立承担器件研究和工艺开发工作；4、有良好的英文阅读和写作能力。2超导量子器件（量子器件设计

4、及测控）（G201&202)7物理、微电子、微波工程、电子信息技术1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、有固态量子器件设计、测控和分析经验者优先；3、深入理解量子电动力学或量子光学，了解开放量子系统理论，熟悉低温测试系统。3超导量子器件（材料微波损耗测试）（G201&202)3物理、电子信息技术、材料、微波1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、具备三年以上微波工程、微波器件设计、器件电磁场模拟及测试相关工作经历；3、深入理解材料微波损耗机理；4、有微波器件设计及微波损耗测试经验者优先4超导量子器件（固态量子芯片退相干微观机理研究）（G

5、201&202)2物理、电子信息技术、材料、微波1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、具备三年以上材料微观物性研究、及测试相关工作经历，有较强的量子器件及量子材料功底，精通前沿的高精密量子器件表征，如STM/AFM表征、电子自旋共振表征、钻石NV 色心探针表征、Scanning SQUID表征等；3、深入理解材料微波损耗机理；4、有微波器件设计及微波损耗测试经验者优先5高精度动态三维智能视觉芯片与系统核心技术开发（G203）6计算机、通信、自动化等相关专业1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、有较好数学基础，较强的图像处理算法设计能力

6、；3、在计算成像、图像处理等领域具有相关研究成果或开发经验；4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；5、了解双目、结构光、ToF等一种或者多种技术者优先。6MOCVD/MBE外延与器件验证（G2101）3半导体材料生长、半导体光电子器件、微电子学与固体电子学、材料学、物理学、真空技术等相关专业；1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、了解并熟悉掌握MOCVD/MBE设备研发制造及生长技术；3、根据外延材料测试与下游器件的结果反馈，进行外延工艺的优化与改进；4、对MBE外延产品分析检测，数据分析，形成报告和技术文档；5、熟悉外延产品知识和相关应用，熟练操作所负责的仪

7、器和软件，能独立设计实验和分析实验结果；6、熟悉了解外延片各类表征手段，如XRD，PL，ECV，AFM等，同时根据要求的材料结构研发和编写外延生长工艺7基于超表面的光谱调制结构设计（G2102）1材料、电子、微电、精仪等1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、微电子、电子工程、半导体物理、材料等相关专业硕士及以上学历，研究生阶段从事过光子晶体、超材料方面的研究。3、有较好的数理基础，能深刻理解微纳结构与电磁波的相互作用，熟练使用FDTD、Rsoft、RCWA等进行电磁波仿真。4、根据公司业务需求，完成微纳结构的仿真设计，配合测试结果优化结构设计。5、熟练使用Tann

8、er Tool或klayout等版图设计软件者优先，有一定的代码能力者优先8快速高精度光谱重建算法研究(G2102)1材料、电子、微电、精仪等1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、数学、计算机等相关专业，具备扎实的数学基础和数据处理经验；3、熟悉并可以应用多种机器学习模型。包括但不限于线性模型、树模型、概率图模型、聚类模型、深度学习模型、多任务学习、迁移学习、强化学习、整数规划算法、VRP算法（其中若干种即可）；4、熟练掌握python和C+;5、有算法部署经验者优先;6、责任心强，善于学习新事物，有较强的分析问题和解决问题的能力。9融合人工智能的材料结构搜索策略

9、和方法（G2103）1计算材料学&人工智能国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、熟悉C+, Python等；熟悉主流的开源深度学习框架如PyTorch, TensorFlow等；如有遗传算法、粒子群算法经验更佳。10高精度超高带宽量子比特读取技术（G2113)1物理电子学/电子学相关专业1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、具备高速模拟电路设计、FPGA程序设计经验11退役动力电池材料回收与再生（G2116）4选矿，湿法冶金，材料（新能源材料），化工，LCA，有机合成，生物合成专业1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年

10、以内；2、具备深厚的电化学/锂电材料合成/测控、智能识别/选矿/湿法冶金的理论知识；3、能够独立开展研究平台搭建和开展课题研究；12晶圆级微透镜阵列光学芯片（G2118)1自动化1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、具有3年以上微纳加工（光刻、刻蚀、SEM检测）经验者优先; 3、 精通衍射光学，微纳光子学理论基础和设计技巧，具有实际设计的成功经验; 4、熟悉相关的微纳加工技术，了解相关的核心设备型号和操作规程，并了解制作过程所需材料;5、精通光刻、纳米压印、电镀、印刷、精通薄膜等技术，并能熟练使用日常分析及检测仪器。13晶圆级微透镜阵列光学芯片（G2118)1微电

11、子与固体电子学1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、至少熟练掌握Matlab编程语言，简历必须包含以Matlab语言撰写的代码内容，熟练掌握C/C+或Python等编程语言者更佳；3、有扎实的傅里叶变换、概率论、线性代数功底（相关课程成绩优秀）；4、熟悉数字信号处理、统计信号处理、阵列信号处理、雷达者优先考虑。14连续喷墨打印技术研究（G2120)6电子工程、自动化、机械工程，材料，电子，微电，物理1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、具有MEMS器件、PZT压电薄膜制备、传感器件（Sensor）、制动器件（Actuator）或其他半

12、导体器件研究基础和经验； 3、熟悉常见的MEMS芯片制备工艺：光刻、深硅刻蚀、键合等； 4、较强的论文检索，英文专业文献阅读和撰写能力。15OLED/QLED显示材料的设计合成与开发（G2120)6有机/物理化学/高分子化学；微电；材料；光学1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、有扎实的有机分子材料设计与合成的基础和经验；3、具有3年以上的OLED/QLED或其它有机光电器件的研究经历；4、较强的论文检索，英文专业文献阅读和撰写能力。16半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究（微聚焦电子束（10微米级别、动态扫描）、光电子调制检测）（G2121)2真空电

13、子学1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、有较好物理基础；3、在磁偏转电子束、电子透镜等领域具有相关研究成果或开发经验；4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；5、有XPS使用维护经验者优先。17半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究（X射线单色化调制）（G2121)1光学1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、有较好光学基础；3、在光束聚焦等领域具有相关研究成果或开发经验；4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；18半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究（自动化控制）（G2121)1自动化1、国内外著名大学博士

14、学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、有较好自动化基础；3、在仪器自动化领域具有相关研究成果或开发经验；4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；19半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究（数据分析反馈）（G2121)1计算机，人工智能1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内；2、有较好计算机基础，较强的算法设计能力；3、在大数据、人工智能等领域具有相关研究成果或开发经验；4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力；20AlGaN深紫外LED外延生长、AlGaN深紫外LED器件工艺（G2122）4半导体材料与器件、光电子1、国内外著名大学博士学位获得者，年

15、龄35岁以下，毕业3年以内；2、具有化合物半导体材料外延生长、光电子或功率电子器件的研究背景；3、了解相关领域国内外最新研究进展，具有扎实的专业基础知识和实验技能、及较强的英语读写能力，在前期学习/工作过程中做出同行认可的成绩；4、具有较强的团队合作精神、责任心和独立开展工作的能力，动手能力强，认真细心，踏实肯干，善于沟通，有意长期从事氮化物半导体材料与光电子器件的研发及产业化工作；5、具有AlGaN基深紫外LED材料MOCVD外延生长或芯片工艺研发经验者优先考虑。相关待遇薪资待遇：协议年薪25万起，成功进站工作者额外获得2年18万生活补贴。人才项目：实验室支持符合条件的博士后进站人员竞争性申报国家“博新计划”、国际交流计划引进项目、博士后基金站前特别资助等。职称评定：在站期间可参与申报自然科学研究系列职称。科研项目：按照相关规定，申请国家、省市各类科研项目。在职培训：提供相关专业与技术能力培训