集成电路设计原理-课前提问1ppt课件

1、微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理1.说出典型说出典型PN结隔离工艺用到的光刻掩膜版结隔离工艺用到的光刻掩膜版(mask)称号及其作用称号及其作用?4月9日课前提问2.典型典型PN结隔离工艺中引出结隔离工艺中引出NPN管的电极管的电极时应留意什么？埋层有什么作用？时应留意什么？埋层有什么作用？3.典型典型PN结隔离工艺中隔结隔离工艺中隔离分散为什么放在基区分离分散为什么放在基区分散之前而不放在基区分散散之前而不放在基区分散或发射区分散之后？或发射区分散之后？P-SubN-epiP+P+PN+N+CE B剖面图剖面图微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设

2、计原理集成电路设计原理4月11日课前提问1.说出说出N阱硅栅阱硅栅CMOS根本工艺用到的光根本工艺用到的光刻掩膜版刻掩膜版(mask)称号及其作用称号及其作用?3. N阱硅栅阱硅栅CMOS根本工艺中采用的场根本工艺中采用的场区注入有哪些作用？区注入有哪些作用？2.在在N阱硅栅阱硅栅CMOS根本工艺中采用部分根本工艺中采用部分氧化的目的是什么？氧化的目的是什么？4. N阱阱CMOS根本工艺中引出根本工艺中引出MOS管衬管衬底电极需求留意什么？每个底电极需求留意什么？每个MOS管能否管能否都可以有独立的衬底？为什么？都可以有独立的衬底？为什么？微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集

3、成电路设计原理4月16日课前提问1.双硼分散穿通型超增益双硼分散穿通型超增益NPN晶体管在晶体管在幅员设计中有哪些本卷须知？幅员设计中有哪些本卷须知？3.N+埋层对埋层对NPN管、横向管、横向PNP管和衬管和衬底底PNP管分别有什么影响？管分别有什么影响？2.在在N阱硅栅阱硅栅CMOS根本工艺中是由哪些根本工艺中是由哪些光刻掩膜版共同确定出光刻掩膜版共同确定出P+注入窗口？注入窗口？4.在在N阱硅栅阱硅栅CMOS根本工艺中采用的场根本工艺中采用的场区注入工艺有什么作用？区注入工艺有什么作用？微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理4月18日课前提问1.NPN管在发射

4、极条长一样的情况下，双基极管在发射极条长一样的情况下，双基极双集电极形与单基极条形相比较有哪些特点？双集电极形与单基极条形相比较有哪些特点？3.在在N阱硅栅阱硅栅CMOS根本工艺中，寄生根本工艺中，寄生可控硅构造有什么危害？如何抑制其危可控硅构造有什么危害？如何抑制其危害？害？2. 在在N阱硅栅阱硅栅CMOS根本工艺中，引线孔、通根本工艺中，引线孔、通孔和钝化窗口的作用分别是什么？孔和钝化窗口的作用分别是什么？ 微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理4月25日课前提问1. 单纯减小工艺特征尺寸对单纯减小工艺特征尺寸对MOS器件会有器件会有哪些不良影响？为什么？哪些

5、不良影响？为什么？2. 简述等比例减少实际的根本思想。简述等比例减少实际的根本思想。3.选择分散电阻条宽时普通要思索哪些要选择分散电阻条宽时普通要思索哪些要素？基区分散电阻、基区沟道电阻和离子素？基区分散电阻、基区沟道电阻和离子注入电阻各具有哪些优缺陷？注入电阻各具有哪些优缺陷？微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理5月2日课前提问1 双极型集成电路中集电极电位一样的晶双极型集成电路中集电极电位一样的晶体管都可以放在同一个隔离区中；体管都可以放在同一个隔离区中；N阱阱CMOS集集成电路中一切成电路中一切NMOS管具有一样的衬底，而一管具有一样的衬底，而一切的切的P

6、MOS管也具有一样的衬底。管也具有一样的衬底。2 CMOS集成电路抗闩锁设计是为集成电路抗闩锁设计是为了防止功耗过大烧毁芯片，进展抗闩锁了防止功耗过大烧毁芯片，进展抗闩锁设计的芯片就一定不会被烧毁。设计的芯片就一定不会被烧毁。下面的说法能否正确？为什么？下面的说法能否正确？为什么？微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理5月2日课前提问3集成电路幅员必需遵照设计规那么进展设集成电路幅员必需遵照设计规那么进展设计，不能大于设计规那么中定义的最小条宽和计，不能大于设计规那么中定义的最小条宽和最小间距。制造集成电路所用的光刻掩膜版是最小间距。制造集成电路所用的光刻掩膜版是

7、根据集成电路幅员制造的，所以集成电路幅员根据集成电路幅员制造的，所以集成电路幅员的图层与光刻掩膜版之间存在一一对应的关系。的图层与光刻掩膜版之间存在一一对应的关系。下面的说法能否正确？为什么？下面的说法能否正确？为什么？微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理5月9日课前提问2CMOS与非门和或非门的输入端数为与非门和或非门的输入端数为什么不宜过多？什么不宜过多？1CMOS反相器中，反相器中，NMOS管宽长比越管宽长比越大，低电平输出速度越快、输出低电平越大，低电平输出速度越快、输出低电平越低；而低；而PMOS管宽长比越大，高电平输出速管宽长比越大，高电平输出速度越

8、快、输出高电平越高。这种说法能否度越快、输出高电平越高。这种说法能否正确，为什么？正确，为什么？微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理5月14日课前提问1C2MOS反相器为什么不宜反相器为什么不宜设计成强驱动？设计成强驱动？ E/E饱和负载饱和负载NMOS反相器为什么速度慢、功反相器为什么速度慢、功耗大？耗大？ VDDACFCViVoVDDMLMI2 E/E饱和负载饱和负载NMOS与与非门和或非门中，哪种门电路非门和或非门中，哪种门电路的特性相对会好些？的特性相对会好些？ABFVDDMLABFFVDDML微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路

9、设计原理5月16日课前提问1. 说出以下单元电路的各自称号。并对其中说出以下单元电路的各自称号。并对其中两个进展特性比较。两个进展特性比较。ViVoVDDMLMIViVoVDDMLMIVGGViVoVDDMBMIMLCBVGL微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理5月16日课前提问2. 说出以下单元电路的各自称号。并对其中说出以下单元电路的各自称号。并对其中两个进展特性比较。两个进展特性比较。ViVoVDDMDMEViVoVDDMPMNViVoVDDMPMN微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理5月21日课前提问1.定性比较定性比较C

10、MOS与非门和或非门的特性。与非门和或非门的特性。VDDCBFADVDDABFCD微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理5月21日课前提问2.衬底偏置效应对下面电路分别产生哪些衬底偏置效应对下面电路分别产生哪些影响？影响？FABCVDDVDDCBFnor3AABFVDDML微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理5月23日课前提问1.下面的电路完成什么功能？设计时应留意什么下面的电路完成什么功能？设计时应留意什么问题？为什么？问题？为什么？DQCPDCPQcabdVDDVDDVDDabcd微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计

11、原理集成电路设计原理5月28日课前提问2.选择分散电阻条宽时普通要思索哪些要素？选择分散电阻条宽时普通要思索哪些要素？基区分散电阻、基区沟道电阻和离子注入电阻基区分散电阻、基区沟道电阻和离子注入电阻各具有哪些优缺陷？各具有哪些优缺陷？3. 单纯减小工艺特征尺寸对单纯减小工艺特征尺寸对MOS器件会有哪器件会有哪些不良影响？些不良影响？1.以下电路哪些输出高电平能到达电源点位？哪以下电路哪些输出高电平能到达电源点位？哪些输出低电平能到达地电位？哪些理想的静态功些输出低电平能到达地电位？哪些理想的静态功耗为零？哪些可在耗为零？哪些可在CMOS根本工艺下实现？根本工艺下实现？ABF FVDDMLViVoVDDMDMEViVoVDDMPMNViVoVDDMPMN微电子中心微电子中心HMECHMEC集成电路设计原理集成电路设计原理6月13日课前提问2.SRAM和和DRAM为