减薄划片工艺介绍学习教案

1、会计学1减薄划片工艺减薄划片工艺(gngy)介绍介绍第一页，共46页。第1页/共45页第二页，共46页。外延(wiyn)片下料清洗(qngx)蒸镀黄光作业刻蚀合金减薄划片测试分选减薄、划片位于芯片生产工艺的中游。第2页/共45页第三页，共46页。减薄、划片COW（chip on wafer）COT (chip on wafer)减薄、划片第3页/共45页第四页，共46页。研磨机研磨机抛光机抛光机第4页/共45页第五页，共46页。激光激光(jgung)划片机划片机裂片裂片(li pin)机机第5页/共45页第六页，共46页。第6页/共45页第七页，共46页。430m80m我司减薄的过程(guch

2、ng)是要将厚度约为430m的COW片（chip on wafer）减薄至80m5m左右第7页/共45页第八页，共46页。 定义： 将芯片固定在陶瓷(toc)盘上便于减薄的过程。第8页/共45页第九页，共46页。 步骤： 清洁陶瓷盘 上蜡贴片前，首先需要保证陶瓷盘的洁净程度，LED芯片减薄是属于微米量级的操作，任何细微的杂质都可能导致意想不到(y xing b do)的异常状况。第9页/共45页第十页，共46页。 步骤： 涂蜡 将陶瓷(toc)盘加热至140，保证蜡条能迅速融化，涂蜡过程中需注意要使蜡均匀分布在陶瓷(toc)盘表面。第10页/共45页第十一页，共46页。 步骤： 贴片 将需要减

3、薄的芯片小心(xio xn)放置于陶瓷盘上，注意需要赶走芯片与蜡层之间的气泡。第11页/共45页第十二页，共46页。 步骤： 加压冷却 通过(tnggu)加压的方式使，陶盘与芯片之间的蜡均匀分布，并凝固将芯片固定。第12页/共45页第十三页，共46页。 定义： 使用钻石砂轮将芯片(xn pin)快速减薄到一定厚度，研磨后芯片(xn pin)厚度值为1205m，此步骤大约耗时15min。430m15min120m第13页/共45页第十四页，共46页。 步骤： 修盘 每次研磨前需使用油石将钻石砂轮修整一遍。此动作意义(yy)类似于切菜的前磨刀。第14页/共45页第十五页，共46页。 步骤(bzhu

4、)： 归零 归零实际是设置研磨起始点，归零又分为手动归零和自动归零。第15页/共45页第十六页，共46页。 步骤： 研磨 砂轮高速自转（1050rpm）并以一定的规律(gul)进给将芯片减薄到指定厚度。第16页/共45页第十七页，共46页。 定义： 如果说研磨(ynm)是快速减薄的过程，抛光则是一个缓慢减薄的过程，同时使芯片表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面。第17页/共45页第十八页，共46页。 步骤(bzhu)： 镶盘 将锡盘上均匀布满钻石液的过程。第18页/共45页第十九页，共46页。 步骤(bzhu)： 抛光 通过抛光液中的钻石颗粒，缓慢减薄芯片。第19页/共45页第二十页，共46页

5、。 定义(dngy)： 将减薄后的芯片从陶瓷盘上卸下来的过程。第20页/共45页第二十一页，共46页。 步骤： 浸泡 将抛光后的陶瓷盘放入去蜡锅中，加热浸泡5min左右(zuyu)，使芯片从陶瓷上剥离。第21页/共45页第二十二页，共46页。 步骤： 夹取 用平口镊小心将减薄后的芯片夹只提篮中以便于清洗。由于芯片很薄夹取过程(guchng)中需非常小心。第22页/共45页第二十三页，共46页。 定义(dngy)： 使用一定的化学试剂通过水浴浸泡，QDR冲洗的方式将芯片上蘸有的残蜡清洗干净。第23页/共45页第二十四页，共46页。 步骤(bzhu)： 去蜡液ACEIPAQDRIPA烘干第24页/

6、共45页第二十五页，共46页。划片第25页/共45页第二十六页，共46页。 定义(dngy)： 使用蓝膜或白膜将减薄后芯片固定的过程。 第26页/共45页第二十七页，共46页。 步骤： 准备工作 用IPA加至无尘布上擦拭chuck表面和滚轮(gnln)。把vacuum开至off。减薄后80m芯片很脆弱，需要注重每一个细节。第27页/共45页第二十八页，共46页。 步骤： 取片 把贴片机vacuum开至off处。小心(xio xn)将贴好的芯片取下。第28页/共45页第二十九页，共46页。 步骤： 贴片 放铁环(ti hun)，需注意对准卡栓，用平口镊子夹取芯片，放片时芯片正面朝上，使用白膜粘住

7、芯片。第29页/共45页第三十页，共46页。 使用激光在芯片背面(bimin)，沿切割道划片。不同尺寸芯片，划片深度不一，深度区间为25至40m之间。注意：并未将芯片划穿。第30页/共45页第三十一页，共46页。 在芯片正面（激光划芯片背面），沿着激光划片的痕迹使用裂片机将管芯完全(wnqun)分离开。第31页/共45页第三十二页，共46页。 定义： 将完全(wnqun)分离的管芯由正面贴膜翻转成背面贴膜。 第32页/共45页第三十三页，共46页。 步骤： 去杂质 将切割与劈裂过程中产生(chnshng)的一些碎屑杂质粘掉。第33页/共45页第三十四页，共46页。 步骤： 贴膜 剪一方形蓝膜(

8、大小为 20cm*20cm，长宽误差(wch)不大于2cm)，将Wafer背面贴于蓝膜中间位置第34页/共45页第三十五页，共46页。 步骤： 加压 蓝膜在下，白膜在上放于倒膜机加热平台上，盖上硅胶片，硅胶片需覆盖整个片子区域，按下下降按钮，加压盘下降，等待4秒后加压盘自动上升(shngshng)，即加压一次完成。第35页/共45页第三十六页，共46页。 步骤： 撕膜 从加热(ji r)平台上取下，左手按住贴有Wafer的蓝膜，右手贴着膜平撕下表面的白膜，倒膜完成，管芯由正面贴膜变成了背面贴膜第36页/共45页第三十七页，共46页。 定义： 通过扩张蓝膜的方式，增大(zn d)管芯之间距离，以

9、便于目检作业 第37页/共45页第三十八页，共46页。 步骤： 扩张前准备 开机，打开(d ki)电源，查看引伸盘控温器上的温度显示值是否为40 5,异常红灯会亮。 第38页/共45页第三十九页，共46页。 步骤： 扩张前准备(zhnbi) 放扩张环 ，打开压盖，将扩张环的内环放入底盘中，注意光滑面朝上，将扩张环的外环放入压环盘中，注意光滑面朝下。 第39页/共45页第四十页，共46页。 步骤： 放蓝膜 将贴有芯片(xn pin)的蓝膜平铺于底盘上，贴有芯片(xn pin)的一面朝上。 第40页/共45页第四十一页，共46页。 步骤： 扣紧压盖 放下压盘，将“锁紧放松”按钮置于锁紧端，使得压盘

10、和底盘锁紧；此机台具有延时机制，压盘和底盘锁紧之后的5秒之内引伸盘上升按钮将会失效，5秒之后恢复正常,“电源(dinyun)指示灯”自动亮起。 第41页/共45页第四十二页，共46页。 步骤(bzhu)： 扩张 按下引伸盘上升钮，这时贴有芯片的蓝膜会被扩张 第42页/共45页第四十三页，共46页。 步骤： 压环 引伸盘伸到顶后，将环外套下压装置轻轻推到引伸盘上方直至不能推动为止，此时(c sh)会有一个sensor感知，接着按下压环柱后面的绿色按钮，最后按下环外套下降钮即可 第43页/共45页第四十四页，共46页。 步骤： 取环 压环后将各部件(bjin)复位后，松开压盖紧锁。取下环我们就得到了COT（chip on tape）第44页/共45页第四十五页，共46页。NoImage内容(nirng)总结会计学。第5页/共45页。减薄:顾名思义是通过特定的工艺手法将物体由厚变薄的过程。将陶瓷盘加热至140，保证蜡条能