模拟电子电路习题课

1、模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 主讲教师： 玄玉波 画出二极管输出电路波形？画出二极管输出电路波形？1.根据输入信号大小，判断二极管导通与截止。假设电路中二极管全部开路，分析二极管两端电位（当电路存在多个二极管时，存在优先导通权，正偏电压最大的管子优先导通）2.找出 与 的关系。3.画输出信号波形。P6(三）P8六1.OViV二极管估算法二极管估算法1.判断二极管导通与截止。假设电路中二极管全部开路，分析二极管两端电位（当电路存在多个二极管时，存在优先导通权，正偏电压最大的管子优先导通），分为理想和实际二极管两种。2.利用上述分析方法将截止的二极管开路，3.画输出信号波形。P书28 例2

2、确定二极管的工作状态。确定二极管的工作状态。P7(四）四）1、确定二极管的工作状态。确定二极管的工作状态。P7(四）四）1、双极性三极管，放大状态，用直双极性三极管，放大状态，用直流电压表测得各三极管的各极电流电压表测得各三极管的各极电位（对地）。试判断三极管的电位（对地）。试判断三极管的电极、管型及所用材料？极、管型及所用材料？p131.判断电极：基极电位 居中。对NPN管 对PNP管 。发射极和基极电位差绝对值硅管0.7V左右，锗管0.2V左右，据此可找出发射极e,并判断管子材料。最后剩下的电极便为集电极c。2.判断管型。NPN型管 ,PNP管 。3.判断材料。硅管的 ,锗管的 。BVCB

3、EVVVCBEVVVEBVV EBVV VVBE7 . 0VVBE2 . 0PNP三极管特点：三极管特点： 发射结发射结集电结集电结放大区正 VBE=-0.7反 (电源VCC为负值）饱和区正 VBE=-0.7 正 VBC=-0.4 VCE=-0.3截止区反反PPN2.10.41.81.40.7EBCP15 2.1(4)三极管直流分析三极管直流分析,估算法估算法1.设晶体管处于线性放大状态。2.分析线性电路， ， 。3.确定晶体管工作状态。 ONBEBEVVBCIINPNPNP放大VBE0.7V;VCE0.3-VBE0.7V;-VCE0.3饱和VBE0.7V;VCE0.7V;-VCE0.3截止V

4、BE0.3-VBE0.7V;-VCE0.3复合管复合管P书92 2-13结论：21P书92 2-19RB1RB2RCREVCC(-9V)P16 2.6(b）假设工作在放大模式mAIIEC2.621mARIEE65. 27 . 06mAIIICEB03. 0P书93 2-19 mAIVVVCECCE74.247 . 0126满足-VCE0,ID流入管子漏极。 P沟道：VDS0,ID自管子漏极流出。（2）VGS极性取决于工作方式及沟道类型 JFET:VGS与VDS极性相反。 取值任意耗尽型：极性相同与增强型：GSDSGSVVVMOSFETP书131 3-13场效应管估算法场效应管估算法无论P还是N

5、沟道，都先假设工作在饱和区。（1）由直流通路写出管外电路VGS与ID之间的关系式。（2）根据FET的类型，选择合适的数学模型。 （3）联立求解上述方程。在得到的两组解中，根据FET选取合适（VGS）的一组。 （4）判断电路工作模式： thGSGSVV DSV场效应管饱和区电流场效应管饱和区电流MOS JFET P作业本21 3.3 2D2IthGSGSoxnVVlWC2D1IoffGSGSDSSVVIp书书129 3-6沟道长度调制效应忽略不计，00GQI VIRIRRVDQSGGGS4-RVDQG21DD2设MOS管工作在饱和区，则 mAVVVlWCthGSGSoxn2GSQ2D5 . 108. 02I联立求解上述方程：VVmAIGSQDQ63. 337. 0舍去VVmAIGSQDQ14.1314.17由