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文档简介

1、 P+NN+GlassP+NN+GlassWafer CleanOxidation1st PhotoBOE EtchGrid EtchPR StripOxide EtchSIPOS Dep.2nd Photo1st Ni PlatingNi Sintering2nd Ni PlatingAu PlatingPG Burn offGlass FiringLTO3rd PhotoPG CoatingRCA Clean进黄进黄光室光室PR StripContact EtchNon SIPOSNN+P+排晶片进热氧化炉热氧化出热氧化炉收料HMDS烤箱烘烤光阻涂布软烤对位曝光显影硬烤BOE浸泡HF浸泡纯

2、水QDR冲洗混合酸浸泡纯水QDR冲洗甩干机甩干纯水QDR冲洗利用 BOE 蚀刻晶片表面氧化层利用高纯水( 12M)快速冲洗晶片表面前站之残余物利用高纯水( 12M)快速冲洗晶片表面前站之残余物利用混合酸去除晶片表面之杂物利用甩干机将晶片表面之水分带离利用 HF 蚀刻晶片表面氧化层利用高纯水( 12M)快速冲洗晶片表面前站之残余物SC1清洗HF浸泡纯水QDR冲洗SC2清洗纯水QDR冲洗甩干机甩干纯水QDR冲洗利用 SC1 去除晶片表面之微粒及有机物利用高纯水( 12M)快速冲洗晶片表面前站之残余物利用高纯水( 12M)快速冲洗晶片表面前站之残余物利用SC2 去除可能残留於晶片表面之金属离子利用甩干机将晶片表面之水分带离利用 HF 蚀刻晶片表面氧化层利用高纯水( 12M)快速沖洗晶片表面前站之残余物光阻玻璃涂布软烤对位曝光显影硬烤将光阻玻璃以旋转涂布机均匀的涂布在晶片表面将光阻内之有机溶液以约90烘烤，以增加后续对位曝光之解析度将软烤完成之晶片以对位曝光机进行图形转移将曝光完成之晶片以显影液将所需之图形显现出来将显影完成之晶片送进130 之烤箱烘烤，使光阻固化排晶片光阻烧除炉光阻烧除出光阻烧除炉收料排晶片玻璃烧结炉玻璃烧结出玻璃烧结炉收料HMDS烤箱烘烤光阻涂布软烤对位曝光显影

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