第十二章 硅和锗的化学制备_第1页
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0SLCKC0SeffLCKC0SLCKC 对确定的溶液系统，平衡分凝系数 ko是常数，故有效分凝系数 keff与晶体生长速率f，溶质在溶液中的扩散系数D，边界层厚度有关。而又和溶液的自然对流和搅拌有关。22/( )( )0LLfx Dd CxdCzDfdxdxdCAedx运动坐标系中一维溶质扩散方程)exp()1 (DvkkkCCkoooLseff1231(初始区域)：由于ko1，熔区中溶质浓度逐渐，直至CL/ko2(均匀区域)：进入熔化材料与离开熔区的浓度相等3(最后区域)：熔区长度减小，使溶质浓度上升（等价于溶质保守系统的分凝）00SLdsC dxC dxC dxKC dx01 (1)KxlSCCK eLSVrrGrG23434031282VlsrGrrrdrGdVls*Gr2r23*)(316VlsrGrG*rGSiC:生长卷线NaCl:蒸发卷线汽相生长的汽相生长的SiCSiC双卷线双卷线连续生长置”任何位置都是“生长位粗糙面位错机制：提供台阶生长不连续扭折台阶二维成核奇异面

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