微影制程简介

1、投板酸洗水洗微蝕微蝕水洗酸洗水洗烘干送壓膜每段作用每段作用n投板 input 2片檢測系統n酸洗acid water rinse 清潔,去脂n水洗water rinse 防止藥水污染n微蝕微蝕 microetching 粗化粗化n酸洗acid water rinse 去除氧化層n水洗water rinse 防止藥水污染n烘乾dry (80度) 乾燥板面粗化后銅表面粗化后銅表面品質判定品質判定:水破試驗水破試驗（Water Break） 測試前處理後板面清潔的程度。通常板子從水中拿起，直立時可保持完整的水膜約30sec以上. 不破；平放時可維持1030sec不破。為一種粗略的試驗。但對於測試板面

2、清潔的程度是一種很重要的措施.5.1擇取測試裸板三片(長15cm、寬10cm、雙面)。 5.2使用#600砂紙將板邊四周之銅屑磨平，以避免掉屑造成 量測上之誤差。5.3烘乾(120、30min), 置乾燥器冷卻至室溫, 秤重並記錄A (g)。5.4將測試板依正常流程微蝕處理。5.5烘乾(120、30min) , 置乾燥器冷卻至室溫, 秤重並記錄B(g)。5.6計算E.A.(Etching Amount)值。 5.1擇取測試裸板三片(長15cm、寬10cm、雙面)。 設備能力檢核設備能力檢核 A：微蝕前烘乾後重g 8.932：銅的比重g/cm3 B：微蝕後烘乾後重g 2.54*10-6：單位換算

3、in/cm 2：一片基板有雙面 15*10：基板尺寸 cm2 61054. 2932. 810152BA計算公式計算公式:預熱壓膜前整列壓膜翻板冷卻送曝光120度&4kg/cm2 壓膜品質判定壓膜品質判定壓膜品質 發生原因1.壓膜氣泡 A.滾輪破洞 B.板面水氣2.壓膜膜皺 A.乾膜上異常 B.滾輪異常3.壓膜掉膜 A.壓條溫度異常 B.壓條不潔4.壓膜銅屑 A.粘塵不乾淨. B.前處理烘乾段過髒基板設定底片清潔底片設定底片設定底片及底片框清潔曝光撕Mylar送DES2.PE值PCB對底片CCD連線中心距離之差異(P-A)/2+機台對位誤差： 40um3.ME值(底片CCD變化量)：5

4、0um4.JE值(PCB與底片CCD單孔中心偏移量)：7um P A曝光對位曝光對位顯影水洗蝕刻水洗去膜水洗酸洗水洗烘干送AOI显影水溶性干膜的显影液为l一2的无水碳酸钠溶液，液温3040。 显影机理是感光膜中未曝光部分的活性基团与稀碱溶液反应生成可溶性物质而溶解下 来，显影时活性基团羧基一COOH与无水碳酸钠溶液中的Na+作用，生成亲水性集团一 COONa。从而把未曝光的部分溶解下来，而曝光部分的干膜不被溶胀。显影操作一般在显影机中进行，控制好显影液的温度，传送速度，喷淋压力等显影参数，能够得到好的显影效果。 DES線顯影段的原理線顯影段的原理正确的显影时间通过显出点(没有曝光的干膜从印制板

5、上被显掉之点)来确定，显出点必 须保持在显影段总长度的一个恒定百分比上。如果显出点离显影段出口太近，未聚合的抗蚀膜 得不到充分的清洁显影，抗蚀剂的残余可能留在板面上。如果显出点离显影段的入口太近，已 聚合的于膜由于与显影液过长时间的接触，可能被浸蚀而变得发毛，失去光泽。通常显出点控 制在显影段总长度的40一60之内。使用显影机由于溶液不断地喷淋搅动，会出现大量泡沫，因此必须加入适量的消泡剂。如 正丁醇、食品及医药用的消泡剂、印制板专用消泡剂AF一3等。消泡剂DES線顯影段的原理線顯影段的原理起始的加入量为0.1 左右，随着显影液溶进干膜，泡沫又会增加，可继续分次补加。显影后要确保板面上无余胶，

6、以 保证基体金属与电镀金属之间有良好的结合力。显影后板面是否有余胶，肉眼很难看出，可用1甲基紫酒精水溶液或l一2的硫化钠 或硫化钾溶液检查，染十甲基紫颜色和浸入硫化物后没有颜色改变说明有余胶。DES線顯影段的原理線顯影段的原理由於乾膜光阻本身的平均厚度在1.01.5mil之间，对水平输送式蚀刻线上之板面而言，会造成细密线区的水沟效应（Puddle Effect），使得所喷射新鲜蚀刻液的强力水点，打不到待蚀的铜面，而且连空气中的氧气也被阻隔。此氧气的角色是协同将金属铜（Cu0）氧化成可水溶的铜离子（Cu+），是一种不可或缺的氧化剂。氧化力减弱蚀刻不足将造成线底两侧之残足，成为细线工程的一大隐忧。

7、至於另一种半氧化的Cu+则很难水溶，常附著在线路腰部流速较低的侧壁上，可当成护岸剂（Banking Agent），而使侧蚀（Undercut）得以减低。Cu0 蚀刻液 O2 Cu+ 难水溶的中间物，可当成护岸剂 DES線蝕刻段的原理線蝕刻段的原理Cu0 蚀刻液 O2 Cu+ 蚀刻液 O2 Cu+ .成为可水溶的铜离子 为了降低水沟效应减少侧蚀与残足起见，5mil以下的细线应尽可能将待蚀刻的铜层逼薄，同时也还应将抗蚀阻剂逼薄。如此一来除可避免积水而方便氧气进入外，还可加速新鲜药液更换的频率，有效的排除废铜液，逼薄Z方向待蚀铜面上扩散层（Diffusion layer）的厚度，以增快正蚀减缓侧蚀，

8、使细线密线的品质更好。DES線蝕刻段的原理線蝕刻段的原理1.試驗板2/2OZ 2024，板厚6mil(含)以上。2.用MRX-4000先量測一片基板兩面各120點之銅厚值，並記錄於表E內。3.蝕刻：蝕銅厚平均值需控制在1.01.3mil。4.蝕刻試驗板三片，已量測板放中間。5. 蝕刻後取中間一片先至前處理酸洗，再量測Data。6.量測方法：於板邊留3cm的邊，長邊取12點，短邊取10點，共120點設備能力檢核設備能力檢核計算公式計算公式&DATA記錄記錄% R/2X 100% ( X: 蝕銅後蝕銅平均值，: 最大蝕銅值最小蝕銅值)a Data記錄：1. 需分別記錄Top side 、Bottom side 每一點量測值2. Top side、 Bottom side、 Both side 之uniformity均需計算3. 定義： Top side % = 100 Bottom side = 100% Both side % = 100% 1.蝕刻因子蝕刻因子（Etch Factor） Etch Factor即為蝕刻品質的一種指標。需製作Microsection微切片，針對影像中線路之狀況代入 V/X之公式計算出蝕刻因子即可。Etch Factor必須要大於2.5。 2. 蝕刻速率蝕刻速率（Etch Rate） 用以測試板子經過微蝕段時，銅面被微蝕劑所咬蝕的程度。可將板